屏蔽层对支架涂层药物缓释影响的体外研究

载药涂层的药物释放行为对于药物洗脱支架的临床治疗效果具有非常重要的意义。讨论了在聚碳酸酯载药涂层外面再加一层空白聚合物层(即屏蔽层)对药物释放的影响。从4方面的体外实验证明屏蔽层(drug free polymer layer,DFPL)可以防止聚碳酸酯载药涂层药物"暴释"的现象,并且屏蔽层厚度和释放速率不是简单的比例关系,以及不同的药物梯度和不同的屏蔽层材料对药物释放有不同的影响效果。     

适用于风力发电矩阵式变换器的改进双电压控制策略

矩阵式变换器是风力发电系统中的一种新型电力变换器。在研究矩阵式变换器的双电压控制策略的基础上,以方便、可靠地实现控制策略为目标,提出了双电压控制策略的改进方法。改进的双电压控制策略简化了开关组合,并推导出统一的占空比计算公式,从而减少了系统计算量,方便了编程实现,提高了程序的效率和实时性。在MATLAB/Simulink仿真研究的基础上,研制了矩阵式变换器样机进行实验研究,仿真及实验结果验证了改进后控制策略的可行性和优越性。     

氧对CIS薄膜太阳能电池开路电压的影响

采用硫化Cu-In前驱膜的方法制备CuInS2薄膜,通过分析CIS薄膜制备过程中不同阶段样品中的氧,讨论了氧的来源及其存在形态,以及对CIS层开路电压可能造成的影响。用扫描电镜（SEM）和能量色散谱仪（EDS）研究前驱膜的形貌及其成分,用X射线衍射仪（XRD）表征薄膜的结构,用俄歇电子能谱（AES）对硫化薄膜中各元素沿深度方向的分布进行了检测,最后用I-V测试仪对硫化膜的开路电压进行测量。结果表明,CuInS2薄膜中的氧来源于Cu-In前驱膜,氧主要以Cu2In2O5的形式存在于CIS/Cu-In界面处,由于氧化物在硫化反应过程中影响了Cu和In向外表面的扩散,从而影响了CIS薄膜的成分和CIS太阳能电池的性能。     

还原扩散法回收钕铁硼油泥制备再生烧结磁体的研究

本文利用还原扩散法回收钕铁硼油泥制备了再生烧结磁体。首先利用草酸盐共沉淀的的方法将钕铁硼油泥废料制备成铁和稀土元素的混合氧化物;再利用还原扩散的方法将混合氧化物转化成钕铁硼粉末。最后通过纳米NdH_x掺杂、取向压型和烧结退火制备出再生烧结磁体。所得再生磁体的最优磁性能为：剩磁(B_r)为12.01 kGs,矫顽力(H_ci)为6.501 kOe,最大磁能积((BH)_max)为32.40 MGOe。     

退火工艺对Co71．8Fe4．9Nb0．8Si7．5815非晶薄带巨磁阻抗效应的影响

采用四端法研究了退火处理T艺对Co71.8Fe4.9Nb0.8Si7.5B15非晶薄带巨磁阻抗效应的影响.结果表明,Co71.8Fe4.9Nb0.8Si7.5B15非晶薄带试样经350 ℃保温60 min退火处理后,样品的内应力得到有效释放,大大改善了样品的软磁特性,得到了最大的巨磁阻抗效应(GMI).在8 MHz的交变电流频率下,得到了24%的最大磁阻抗比.XRD分析表明,样品发生晶化后将降低巨磁阻抗(GMI)效应.     

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 研究了不同的磁场退火方式对非晶合金铁芯磁性能的影响。结果表明,纵向磁场退火后非晶合金铁芯的剩磁、最大磁导率和损耗增加;横向磁场处理后非晶合金铁芯的剩磁、最大磁导率、损耗和矫顽力减小;先加横向磁场后加纵向磁场退火,非晶合金铁芯可同时获得高的剩磁和低的损耗。     

不同感应中间包留钢液位下受钢过程中钢液流场的数值模拟

利用数值模拟软件模拟了不同感应中间包留钢液位下受钢过程中钢液的流场、空气卷入量和氧化膜浓度,并结合实际制带试验,分析了保证制带顺利进行所必需的中间包液面高度。结果表明:随着中间包留钢液位的增加,钢液的最大速度降低;与其它液位相比,液位400 mm受钢时空气卷入量较小;正常制带期间500 mm液位受钢时不会将氧化膜带入喷嘴包中,同时水口流股对包底的冲击影响最小。实际制带试验结果与流场模拟结果保持一致,正常制带期间,500mm液位受钢时平均单炉制带时长相比其他液位明显提高。     

非晶态合金材料的发展现状及在配电变压器中的应用

<正>一、非晶态合金材料概述非晶态合金又称为金属玻璃,是一种无晶体结构合金,是近30年来发展起来的新一代软磁材料。非晶态合金采用快速凝固技术,运用平面流高速连铸工艺、以每秒100万℃的冷     

基于RTDS的风光发电系统数字物理混合仿真分析

风光发电系统的仿真分析研究是发展可再生能源发电技术的重要环节,本文针对风光发电系统数字物理混合实时数字仿真的关键技术展开研究,构建风光发电系统电气架构和通信架构,采用实时数字仿真器作为研究工具,建立基于RTDS纯软件的各微电源单体控制系统模型和基于RTDS的数字物理混合仿真单体微电源模型,并分别在稳态和动态两种情况下对其进行仿真分析,研究两者间特性的差异,证明所建模型的有效性,为两类模型的选择使用提供指导。数字物理混和仿真分析条件更接近于实际情况,既可在物理平台上对控制策略的性能进行检验和调试,又可实时修正控制参数、控制策略,为实际工程设计提供重要实践依据。     

硫化对Cu-In预制膜微结构的影响

采用电沉积-硫化法制备了CuInS2薄膜,考察了硫源温度对CuInS2薄膜微结构的影响,并分析了硫化过程中的反应动力学.采用扫描电子显微镜(SEM)和能潜仪(EDS)观察并分析了薄膜的表面形貌和组分,采用X射线衍射仪(XRD)表征了薄膜的组织结构.结果表明,硫化过程的生长动力学不同于硒化过程,CuInS2薄膜的生长遵循扩散机制,当硫源温度在300～340℃之间,均可制得单一黄铜矿相结构且沿(112)面择优取向生长的CuInS2薄膜,且硫源温度为340℃制备的CuInS2薄膜均匀、致密,晶粒尺寸约为1μm,适合于制备CIS薄膜太阳能电池吸收层.