日本通产省修改原铝的有关预测数字

日本通产省已修改了1982年财政年度(到]983年3月31日止)国内原铝产量的预测数字,现在预计原铝产量只能达到31万吨。预计原铝进口量将达到125万吨,而早先预计为110万吨。原铝消费盈从原估计的173.5万吨将下降到169万吨。修改后,1982财政年度     

镓即将恢复发展

据国外贸易商和制造商调查,在资本主义经济衰退中,镓生产虽然也稍受影响,但不如其它金属严重。事实上,镓生产的恢复似乎很快即将到来。例如日本芝浦公司最近声称已研制出工业上可行的新砷化镓片。然而,这要经过3～4年的时间才能大量生产。但在某些电子应用方面能取代硅,因其传递速度为硅的5倍,而耗电量仅为其十分之一。目前,99.9999％(6N),镓的出厂价格为400～600     

镁厂经济分析

根据镁厂的工艺流程、生产规模以及产品集中和分散程度不同,各厂情况差别很大。普遍认为,从原料到镁锭每公斤镁的能耗为: 电能 28～40度热能 240～350兆焦耳显然,新的镁生产设备能耗居于下限。上述能源费用,按重量计仅比铝的相应费用高     

硅中注铋脉冲激光退火的研究

本文报导了采用165 keV He~+离子沟道背散射技术研究高剂量铋注入<111>硅后,进行脉冲激光退火的效果,并和热退火作了比较。热退火温度达到900℃时,剩余晶格损伤还有35％;在750℃下退火时,铋的替位率达到最大值50％,温度再升高,替位率反而下降;在退火温度高于625℃时就产生大量铋原子的外扩散。面脉冲激光退火后,晶格损伤几乎全部消除,铋原子进行再分布,它在硅中的浓度可超过固溶度一个数量级,且95％以上处于替代位置。文中还就不同激光能量下的退火情况作了比较。     

碳素焙烧技术的改进

引言美国南方线材铝业公司是一家铝电解厂,由佐治亚州卡罗尔顿南方线材公司和宾夕法尼亚州匹兹堡美国钢铁公司合资经营。该厂于1969年投产,年产能约为181500吨。铝电解槽设计为150千安。每槽需要746公斤阳极18块,每20天换一次。阳极生产的要求是尽可能经济地生产出质量最好和最稳定的阳极。近年来,南方线材铝业公司为达到上述目的和应付日益迅速增长的天然气费用,已作出极大努力。因为这些努力与敞开式环形炉的节能有关,本文拟就此予以讨论。     

日本铝工业处境暗淡

日本铝工业仍然处境暗淡。有的预言家说,今后几年内,似将每况愈下。铝电解厂还继续谈论削减产能的问题,而私营贮备联盟不得不继续购进超额存货。通产省说它将为贮备联盟再购进铝7100     

美国道屋化学公司预测镁价将上涨

根据镁库存空虚,需求继续超过产量等情况,预计到1983年下半年,镁价将上涨。上涨部份必须抵补恢复闲置产能的新增加费用。镁在某些目前和末来的应用方面是一种对价格极端敏感的材料。然而,镁产量的增加,并不妨碍其保持或打入新市场的能力,因为市场预测人员预测,镁价格的上升幅度将比其主要兢争对手——铝为大。预计铝和镁之比率将达到1.5,届时,在某些应用方面,镁的吸引力将比铝更大。目前的比率为2.6,     

离子束增强沉积氮化硅薄膜生长及其性能研究

用离子束增强沉积技术合成了氮化硅薄膜并研究了薄膜的组分、性能和结构.结果表明,离子束增强沉积生长的氮化硅薄膜的组分比,可借助于调节氮离子和硅原子到达率之比加以控制.在合适条件下生长的氮化硅薄膜,其红外吸收特征峰在波数为840cm~(-1)附近,光折射率在2.2到2.6之间,其组分为Si_3N_4用RBS、AES、TEM、SEM、ED及扩展电阻,测量和观察生成的氮化硅薄膜的组分深度分布及结构.发现,离子束增强沉积制备的氮化硅薄膜,存在着表面富硅层、氮化硅沉积层及混合过渡层这样的多层结构.薄膜呈球状或方块状堆积.基本上是无定形相,但局部可观察到单晶相的存在.离子束增强沉积制备的氮化硅薄膜中的含氧量比不用离子束辅助沉积的显著减少.     

RBS ANALYSIS OF DAMAGE AND ANNEALING OF ION IMPLANTED InP:Fe

Rutherford backscattering spectroscopy (RBS) with channeling technique has been used to analyze the damage and its annealing of Si+ and P+ implanted InP:Fe. 150 keV Si ions and 160 keV P ions were implanted with doses ranging from 1×1013 to 1×1015 / cm2 at room temperature, 200℃ and 77K. Thermal annealing was performed in a conventional open tube furnace under flow of pure N2 for 15 minutes. Annealing temperature was chosen from 150℃ to 800 ℃ It was found that a dose of 8×1013cm2 Si+ was sufficient to produce an amorphous layer at room temperature and its epitaxial regrowth takes place at temperature below 150 ℃. The epitaxial regrowth of amorphous layer produced by 1×1014/cm2 Si ions occurs from both substrate and surface while that produced by co-implantation of 1×1014 /cm2 Si ions with the same dose of P ions takes place from substrate only. It was also noticed that for the former sample, its amorphized layer can be nearly completely recrystallized by epitaxial growth at 650 ℃, but for the latter much residual disorder remains even after annealing at 750 ℃. As for 77K implant at dose as low as 5×1013/cm2, Si ions begin to produce an amorphous layer that can be wholly reordered at 750℃. Samples implanted at 200℃remain crystalline only with small fraction of disorder due to self-annealing effect during the implantation. The damage annealing in the implanted layer corresponds to the change of electrical parameters got from Hall measurements.     

关于Cu-Au合金溅射机制的研究

本文报道了用热中子活化法测量Cu-Au合金在80keV Ar~+离子不同剂量轰击下的部分溅射产额比S_Cu/S_Au,并用卢瑟福背散射(RBS)技术分析样品中元素的反冲以及表面层成分的相对变化,从而研究了元素择优溅射对表面层变化所起的作用。