双极线性稳压器中子辐射位移效应研究

双极线性稳压器广泛应用于空间设备,中子辐射效应不容忽视。对国产双极线性稳压器在不同负载偏置下的中子辐射效应开展研究。试验过程中发现,负载越大,位移损伤效应越明显。试验后通过加载不同负载的详细在线测试发现,不同偏置下的输出电压差异是由于负载的不同引起的。辐照偏置对双极线性稳压器的位移损伤无显著影响,但中子位移效应导致了双极线性稳压器的带载能力严重降低,使其失去负载调整能力。因此,在工程评估时,应结合应用需求,选择合理的负载进行评估。     

电压对电刷镀三价铬镀层性能的影响

在45钢表面电刷镀得到三价铬镀层,镀液组成和工艺条件为:Cr2(SO4)36H2O 0.4 mol/L,甲酸铵0.5 mol/L,氨基乙酸0.5 mol/L,H3BO30.6 mol/L,NaH2PO2 H2O 0.3 mol/L,pH=1.5,温度50°C,镀笔移动速率15 cm/s。研究了电压对镀铬层显微结构、表面粗糙度、厚度、显微硬度和耐磨性的影响。随电压增大,镀层厚度增大,显微硬度和耐磨性均先提高后降低。电压为14 V时,镀层的表面平整,粗糙度为2.387μm,显微硬度为602 HV,耐磨性最好。     

基于关键路径延时检测的自适应电压缩减技术

为了减小传统的最差情况设计方法引入的电压裕量,提出了一种变化可知的自适应电压缩减(AVS)技术,通过调整电源电压来降低电路功耗.自适应电压缩减技术基于检测关键路径的延时变化,基于此设计了一款预错误原位延时检测电路,可以检测关键路径延时并输出预错误信号,进而控制单元可根据反馈回的预错误信号的个数调整系统电压.本芯片采用SMIC180 nm工艺设计验证,仿真分析表明,采用自适应电压缩减技术后,4个目标验证电路分别节省功耗12.4％,11.3％,10.4％和11.6％.     

一款实用正弦波产生电路的设计

通过施密特电路产生方波,然后经积分电路变换得到三角波。由二极管和电阻组成的变换电路级对三角波进行不同级别的导通。利用二极管的非线性特性,使各级的临界导通电压不同而对三角波进行变换得到平稳失真可控的正弦波信号。     

InGaAs MOSFET的电容电压特性

通过自洽求解泊松和薛定谔方程,计算了GaAs,InAs和InGaAs MOSFET的电容电压(CV)特性,并与Si MOSFET的CV特性以及GaAs MOSFET的CV测量结果做了比较。研究结果表明,对于电子有效质量较轻的InGaAs半导体,量子效应非常明显,反型电容显著降低。研究结果还表明,随着栅介质有效厚度的减小和沟道掺杂浓度的增加,量子效应更加突出,反型电容进一步减小。     

Krüss:全自动测定临界胶束浓度的精确给料器

<正>在2014德国慕尼黑仪器展上,德国Krüss(克吕士)公司展示了一款微型给料器——一种用于全自动测定临界胶束浓度(CMC)的定量给料装置,其专为表面张力仪K100而研发(图1)。表面张力仪K100长期占据着全自动测定临界胶束浓度测量仪市场。仅两个微型给料器就能共同覆盖整个表面活性剂的浓度系列,并可直接利用容器内张力计进行分析。表面张力仪K100可采用环法、板法     

浅析电力系统电压稳定的安全控制

随着我国制造业的不断发力,带动了用电量的不断增加。所以保持电压的稳定对于经济的发展有着至关重要的影响。另外在电力系统中电压保持稳定是电力企业必须解决的问题,因为电压稳定涉及到发电、输电和配电系统,与无功补偿、功角稳定、电压控制有着密切的联系。本文就电压稳定的相关概念进行了阐述,对静态和动态电压稳定发分析方法进行介绍,并提出解决电压不稳定的建议和措施。     

基于TLVH431的超级电容组均压电路研究

本文介绍一种基于TLVH431的超级电容电压均衡电路,实现对多个串联单体的快速有效均衡。该电路利用TLVH431作为基准电压源,使得超级电容单体电压控制在设定范围之内,最终实现整个串联电容系统的电压均衡。该电路结构简单,成本低廉,控制方便,能量损耗低。文中详细分析了电路的工作原理及工作特性,解析电路各部分参数,并用实验予以验证。实验结果证明了该电路优良的均压性能。     

配电系统电压跌落问题的分析

在社会发展和进步的过程中,供电安全是非常重要的一个环节,电能安全的运行对社会生产和生活的正常进行有着不容忽视的影响。在电网系统正常运行的过程中,有很多因素都会影响到其运行的质量和水平,所以必须要采取有效的措施对其进行调整和改进。本文主要分析了配电系统电压跌落问题,以供参考和借鉴。     

Diodes沟槽型超级势垒整流器提高下一代充电器效率

Diodes推出全新两款采用了旗下专利沟槽型超级势垒整流(Trench SBR)技术的器件SBRT15U50SP5及SBRT20U50SLP,能够实现下一代电池充电器对效率和温度的严格要求。两款全新沟槽型超级势垒整流器具有超低正向电压、低漏电流,并以较低的温度工作,有效满足充电器输出整流二极管的要求,从而易于处理36 k Hz断续模式充电器设计的较短电流脉冲。Diodes推出的两款器件包括适合10W智能手机充电器的15 A SBRT15U50SP5,以及为12.5 W平板电脑充电器而设的