SrWO4-ZnO复合物的制备及光致发光与光催化性质的研究

采用溶剂热法制备纯的和复合ZnO的SrWO4,利用XRD、TG、PL、ICP和UV-Vis等手段对样品进行表征,研究ZnO含量对SrWO4-ZnO复合物的光致发光及光催化降解次甲基蓝活性的影响.结果表明:适量ZnO的复合引起SrWO4-ZnO复合物PL光谱强度降低,当ZnO复合量为7%时,复合物的PL光谱强度最低,光催化次甲基蓝溶液效率最高.表明复合物的PL光谱与其光催化活性有着一定的联系.     

Sr2.7Eu0.2P2-x VxO8(0≤x≤2)的光致发光性质

用溶胶-凝胶方法制备Sr2.7 Eu0.2 P2-x Vx O8(0≤x≤2)样品.采用X射线衍射(XRD)和光致发光谱(PL)来表征样品的晶体结构和发光性能.XRD结果表明:随着x的增大,晶体结构由Sr3 P2 O8相过渡到Sr3 V2 O8相.PL光谱结果表明:适量的P5+掺杂使得Sr2.7 Eu0.2 P2-x Vx O8的发光增强,激发VO43-比直接激发Eu3+更有利于Sr2.7 Eu0.2 P2-x Vx O8的发光.     

钨掺杂氧化锌薄膜的结构与光学性能的研究

实验采用溶胶-凝胶法在石英玻璃衬底上制备了掺杂不同钨离子浓度氧化锌薄膜.研究了钨离子的浓度变化对氧化锌薄膜结构与光学性能的影响.测试结果表明,钨离子的掺入使氧化锌薄膜的晶体质量得到提高,衍射峰位置向低衍射角度方向移动,导致薄膜的光学带边发生收缩,即产生＂红移＂现象.随着钨离子浓度增加,氧化锌薄膜光致发光强度表现为先增加而后出现浓度淬灭现象.     

Combustion synthesis of Ce~（3＋）, Eu~（3＋） and Dy~（3＋） activated NaCaPO_4 phosphors

The preparation of NaCaPO4 doped with rare earth (RE) ions Ce3+, Eu3+ and Dy3+ by combustion method was described. Under UV excitation (251 nm) of NaCaPO4:Ce3+ showsd emission (367 nm) in UV range. When NaCaPO4:Dy3+ phosphor was excited at 349 nm, the emission spectrum showed intense bands at 482 nm (blue) and 576 nm (yellow). In Eu activated NaCaPO4 phosphor, the emission spectrum showed a dominant peak at 594 nm (orange) while others were at 614 and 621 nm (red) when excited at 393 nm. The prepared phosph...     

Ba3Gd（BO3）3:Eu3+,Tb3+荧光粉的制备及其发光性能的研究

采用高温固相法制备Ba3Gd(BO3)3:Eu3+,Tb3+荧光粉,通过X射线衍射(XRD)和光致发光光谱分别对其物相和发光性能进行表征,并研究Tb3+离子掺杂量对其发光性能的影响。结果表明:Eu3+和Tb3+均作为发光中心进入到Ba3Gd(BO3)3的晶格中并取代Gd3+的格位;在378 nm激发下,样品表现出Eu3+和Tb3+的特征跃迁,分别发射红光和绿光;随着Tb3+掺杂量的增加,Tb3+的绿色发射强度先增强后减弱,说明存在浓度猝灭,而Eu3+的红色发射强度逐渐提高,说明Tb3+对Eu3+有敏化作用;样品Ba3Gd(BO3)3:Eu3+,Tb3+的发光颜色可从绿色调整到橙红色。     

基于光纤传感技术的伽马探测研究

利用Sol-gel法制作掺铈石英光纤的前驱体,采用powder-in-tube技术拉制掺铈光纤,分析闪烁光纤的影响因素,确定光纤传感器的结构和尺寸,研制出闪烁光纤传感器.闪烁光纤传感器对伽马射线具有发致发光效应,伽马射线与被记录光子算有对应关系,通过计算处理,得到伽马射线的强度.通过实验,实现闪烁光纤对伽马射线的探测,并能分辨出射线强度随距离变化的响应.通过与NaI晶体作为探测体进行对比,得知闪烁光纤传感器探测的技计数率相对比较低,距实际测井应用还有需要进一步研究.通过闪烁光纤传感技术能够实现对伽马射线的探测,对于实现光纤传感器对自然伽马射线探测具有重要的意义.     

退火温度对磁控溅射SiC薄膜结构和光学性能的影响

首先采用射频磁控溅射法在单晶Si(100)衬底上沉积制备了SiC薄膜,然后将所制备的薄膜试样分别在600,800和1 000℃氩气氛中退火120 min;采用X射线衍射仪和红外吸收光谱仪分析了薄膜的结构随退火温度的变化,采用荧光分光分度计研究了薄膜的发光性能随退火温度的变化。结果表明:室温制备的SiC薄膜为非晶态,经600℃退火后薄膜结晶,且随着退火温度的升高,薄膜的结晶程度越来越好,并且部分SiC结构发生了由α-SiC到β-SiC的转变;所制备的SiC薄膜在384和408 nm处有两个发光峰,且两峰的强度均随退火温度的升高逐渐变强,其中384nm处的峰源自于SiC的发光,408 nm处的峰源自于碳簇的发光。     

ZnO多角晶须的制备及表征

采用脉冲激光沉积技术先在Si(111)衬底上制备Zn薄膜,然后在石英炉中热蒸发金属锌粉的方法制备了ZnO晶须。分别用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)和光致发光(PL)谱对样品的结构、成分、形貌和光学特性进行了表征。结果表明,采用此方法得到的ZnO多角晶须为六方纤锌矿结构,其根部直径大约在100～500nm之间,尖部直径大约为40nm左右,长约几个微米。Zn薄膜能够有效地促使晶核的形成与长大从而促进了ZnO晶须的形成。最后,简单讨论了ZnO纳米晶须的生长机制。     

芴衍生物TF-CF1的发光性质研究

芴类化合物是一种刚性平面联苯结构的电致发光材料,因具有宽的能隙、高的发光效率等优点,备受专家学者的关注。文章结合作者的工作实践,简述TF1可以作为一种有机电致发光的潜能型材料。     

光致发光PL技术在硅块检测中的应用

光致发光影像PL Imping技术应用在硅块检测方面已经开发出来，这项技术可以把掺硼铸锭硅块以高解析度，在极短时间内量测得到每一面的PL Imping影像。这些影像按照体少子寿命（τbulk）变化进行分析，并且针对类稳态光导（QSSPC）及微波光导量测技术（μ－PCD）进行比较，证明可以作为硅块分析工具。我们证明在辐照均匀下的量测结果不仅符合光伏产业的一个太阳（One Sun）辐照条件，当量测结果具备平均注入条件，更得到一致体少子寿命值测试结果。