PMN-PT陶瓷中的氧缺位及其消除

研究了组成中Pb含量的变化对组成为Pbx(Mg1/3Nb2/3)0.65Ti0.35O3的铌镁酸铅-钛酸铅(PMN-PT)陶瓷压电性能的影响,发现化学计量比组成(x=1)的Pbx(Mg1/3Nb2/3)0.65Ti0.35O3陶瓷经常出现压电性能的大幅度退化现象,而A位适量缺Pb能稳定地获得高性能的Pbx(Mg1/3Nb2/3)0.65Ti0.35O3陶瓷。XPS元素价态分析的结果表明,化学计量比的Pbx(Mg1/3Nb2/3)0.65Ti0.35O3陶瓷中含有较多的氧缺位,氧缺位的产生源于MgNb2O6(MN)合成过程中的气氛差异,A位适量缺Pb能有效地消除这种氧缺位而稳定地获得正常的压电性能,其机理被认为是氧缺位与铅缺位的复合。     

900MS六辊可逆冷轧机开发研制

本文在探讨普通四辊轧机与六辊轧机的不同轧制结果的同时，重点介绍了我公司研制开发的其结构、性能在国内处于邻先地位的９００ＭＳ六辊可逆冷轧主机的主要技术性能和结构特点。     

提高钴冶炼回收率的生产实践

本文简述了从低品位钴渣中回收钴的生产实践,找出了影响钴回收率的主要因素.重点介绍了所采取的相应措施。使钴冶炼回收率达到80%以上。同时还提出了正待改进的方面。以进一步提高钴冶炼回收率。     

新型存储器FRAM与非易失性存储器

FRAM是一种新型非易失性存储器。这种存储器可以克服目前现有非易失性存储器的缺陷和限制。介绍其基本工作原理、结构及其特点,并把它与其他非易失性存储器的性能特点作了比较。     

低铅真空蒸馏富集Ge,In,Ag

对隔焰炉底铅进行分步真空蒸馏的小型试验结果：第一次蒸馏获得冷凝合金含８６．７２％Ｚｎ的粗锌，将残留合金进行二次蒸馏获得冷凝合金含７５．９４％Ｐｂ的粗铅，Ｇｅ、Ｉｎ、Ａｇ富集于最终残留合金中，千克级规模一步蒸馏。在１０００℃下恒温１８０ｍｉｎ，真空度６６．７～３９．９Ｐａ，将Ｚｎ、Ｐｂ蒸出。残留合金中Ｇｅ、Ｉｎ、Ａｇ的含量分别为９．９６％、６．６７％、８．９７％，富集比分别为７．２１倍、６．６７倍、     

清洁催化氧化苯甲醇合成苯甲醛新途径

以30%的双氧水为氧源,Na2WO4·H2O为催化剂,在酸性配体存在而无任何溶剂和相转移催化剂的条件下,清洁催化氧化苯甲醇合成苯甲醛。研究了不同配体及其用量对反应的影响。     

铌酸锂γ射线辐照色心缺陷的研究

对铌酸锂晶体进行γ射线辐照处理，吸收光谱显示基础吸收边紫移，４８０ｎｍ波长附近出现一明显吸收峰，这是由空位色心Ｖ０和Ｎｂ＾４＋缺陷引起的，Ｎｂ＾４＋的存在进一步被ＥＰＲ实验所证实。本文对上述辐照缺陷的产生机理进行了讨论。     

碳酸锰矿石酸浸动力学在工程上的应用

根据碳酸锰矿酸浸试验结果和早先得到的动力学模型,在以下几个方面应用于工程上:计算宽粒度范围多粒子体系(实际上为工业矿浆)总转化率的求和方法;估计不同操作体系(如间歇搅拌浸出,顺流或逆流连续搅拌反应槽(STR)中浸出转化率的整套计算程序以及决定浸出工艺最佳条件的最低投资成本和作业成本模型。