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91.
HEMT小信号等效电路参数提取 总被引:2,自引:1,他引:1
本文用HEMT小信号等效电路模型,考虑到HEMT与MESFET结构上的不同点,肉体分析了HEMT小信号等效电路中串电阻、寄生电感、寄生电容和本征元件参数的提取和这些方法,提取了HEMT器件32-39GHZ八个频率点的S参数值。实验结果表明,该方法简单有效,具有可操作性。 相似文献
92.
基于毫米波图像的隐匿物检测技术在无接触式人体安检中具有重要意义。目前,毫米波设备已实现三维成像,但隐匿物检测算法通常将其简单压缩为二维图像进行目标检测,未能充分利用图像深度方向的信息。针对这一问题,提出一种毫米波图像隐匿物检测框架,将三维图像视为截面序列并充分利用其截面内特征沿序列(即深度方向)的内在逻辑关系。该框架由卷积神经网络与长短时记忆网络构成,前者用于提取截面的粗细粒度特征,后者用于提取上述特征沿深度方向的全局关联性,实现特征级信息融合,从而提高隐匿物二维定位准确率。实验结果表明,与现有主流毫米波图像隐匿物检测方法相比,所提模型能大幅提高检测精度。 相似文献
93.
以主动式毫米波全息成像的应用为背景,中国科学院上海微系统与信息技术研究所研制的异质结AlGaAs/GaAs PIN二极管毫米波开关为安检成像领域的关键核心器件,为此提出一种基于高、低阻抗变换线的补偿结构以优化高频处的匹配程度.设计合适的毫米波倍频链路、低插入损耗的带通滤波器以及低插入损耗和高隔离度的开关通道阵列,实现一款满足系统要求的输出功率和一致性且谐波抑制良好的发射前端.结果 表明,在28~34 GHz频段内,各通道的输出功率大于10 dBm,谐波抑制度大于22 dBc,通道间的隔离度大于23 dB,通道间的差异小于2 dB,满足主动成像发射端的要求.集成相应天线阵列和接收前端后进行成像实验,可以得到分辨率为0.5 cm的毫米波成像. 相似文献
94.
毫米波单片集成低噪声放大器电路 总被引:1,自引:0,他引:1
基于0.25μm PHEMT(赝配高电子迁移率场效应晶体管)工艺,给出了一款毫米波MMIC(单片集成电路)低噪声放大器.放大器设计中采用了三级级联增加栅宽的电路结构,通过前级源极反馈电感的恰当选取获得了较好的输入驻波比和较低的噪声;采用直流偏置上加电阻电容网络,用来消除低频增益和振荡;三级电路通过电阻共用一组正负电源,使用方便,且电路性能较好:输入输出驻波比小于2.0,增益大于15dB,噪声系数小于3.0dB.1dB压缩点输出功率大于15dBm,芯片尺寸为1mm×2mm×0.1mm.这是国内报导的面积最小、性能最好的毫米波低噪声放大器. 相似文献
95.
给出了一种基于功率PHEMT工艺技术设计加工的K波段反馈式MMIC宽带功率放大器。在21~29GHz的工作频段内,当漏极电压为6V、栅电压为-0.25V、电流为111mA时,1dB压缩点输出功率大于21dBm,小信号增益在13±1.5dB,输入驻波比小于3,输出驻波比均小于1.7。芯片尺寸:1mm×2.5mm×0.1mm。同时给出了一种芯片级电磁场仿真验证方法,用该方法仿真的结果和测试结果非常一致,保证了电路设计的准确性。 相似文献
96.
97.
设计并模拟分析了光纤通信用超高速单电源 Ga As判决再生电路 ,采用非掺 SI Ga As衬底直接离子注入、1μm耗尽型 Ga As MESFET、平面电路工艺研制出单片 Ga As判决再生电路。实验测试结果表明 ,该电路可对输入信号进行正确的“0”、“1”判决 ,并经时钟抽样后 ,输出正确的数字信号 ,传输速率可达 2 .8Gbit/s,可用于覆盖 2 .5Gbit/s系列光通信系统 相似文献
98.
一种具有新型增益控制技术的CMOS宽带可变增益LNA 总被引:1,自引:0,他引:1
高速超宽带无线通信的多标准融合是未来射频器件的发展趋势,该文提出一种基于CMOS工艺、具有新型增益控制技术的宽带低噪声放大器(LNA),采用并联电阻反馈实现宽带输入匹配,并引入噪声消除技术来减小噪声以提高低噪声性能;输出带有新型6位数字可编程增益控制电路以实现可变增益。采用中芯国际0.13m RF CMOS工艺流片,芯片面积为0.76 mm2。测试结果表明LNA工作频段为1.1-1.8 GHz,最大增益为21.8 dB、最小增益8.2 dB,共7种增益模式。最小噪声系数为2.7 dB,典型的IIP3为-7 dBm。 相似文献
99.
Superior graphene-metal contacts can improve the performance of graphene devices. We report on an experimental demonstration of Ge/Au/Ni/Au-based ohmic contact on graphene. The transfer length method (TLM) is adopted to measure the resistivity of graphene-metal contacts. We designed a process flow, which can avoid residual photoresist at the interface of metal and graphene. Additionally, rapid thermal annealing (RTA) at different temperatures as a post-processing method is studied to improve graphene-metal contact. The results reveal that the contact resistivity of graphene and Ge/Au/Ni/Au can reach 10^-5 Ω· cm^2 after RTA, and that 350 ℃ is optimum annealing temperature for the contact of graphene-Ge/Au/Ni/Au. This paper provides guidance for fabrication and applications of graphene devices. 相似文献
100.