GaAs/InGaP异质界面的湿法腐蚀

对柠檬酸系、盐酸系溶液腐蚀GaAs/InGaP异质结构材料体系时出现的腐蚀不均匀现象进行了实验研究,采用原子力显微镜(AFM)、电子显微镜、台阶仪等分析了不同腐蚀条件下GaAs/InGaP异质界面的腐蚀形貌,找到了简单有效的办法,可获得很好的表面平整度,同时侧向腐蚀也较小.     

基于45 nm SOI工艺的超宽带毫米波单刀双掷开关的设计北大核心CSCD

提出了基于GlobalFoundries 45nm SOI工艺的布局紧凑的宽带毫米波单刀双掷开关。设计包括了采用串并结构的全频段单刀双掷开关以及采用两级晶体管并联的Ka波段通带单刀双掷开关。设计中采用共面波导串联短截线,实现小尺寸的电感。此外,利用负体偏置技术提高了开关在毫米波波段的性能。设计的单刀双掷开关芯片核心面积为0.35mm×0.16mm。测量结果显示全频段单刀双掷开关在DC^94GHz的插入损耗小于4dB,隔离度大于24dB,而Ka波段通带单刀双掷开关在25~45GHz的插入损耗为2.5~3.2dB,隔离度大于19dB。     

高增益自偏S波段MMIC低噪声放大器

报道了具有高增益自偏结构的低噪声S波段MMIC宽带低噪声高增益放大器.该放大器是采用国际先进的0.25μm PHEMT工艺技术加工而成.电路设计采用了两级级联负反馈结构,并采用电阻自偏压技术,单电源供电,使用方便,可靠性高,一致性好.MMIC芯片测试指标如下:在1.9～4.2GHz频率范围内,输入输出驻波小于2.0,线性功率增益达30dB,带内增益平坦度为±0.7dB,噪声系数小于2.7dB.芯片尺寸:1mm×2mm×0.1mm.这是国内报道的增益最高,芯片面积最小的S波段放大器.     

EBG结构在35GHz微带阵列天线中应用

分别采用理论计算和实验测试法分析介质基片上钻孔型电磁带隙(EBG)结构的阻带特性,得出了一致结论.依据仿真与测试结果,设计了一种同时抑制TE和TM模的EBG结构,并应用于4单元35GHz微带型阵列天线.测试结果表明:该EBG结构微带阵列天线带宽增加约1倍,增益提高了1.3dBi.     

Ka波段PHEMT MIMIC VCO设计

给出了Ka波段PHEMT MIMIC VCO设计过程，根据直流特性曲线确定直流工作点，得到对应的S参数，再转化为Z参数，计算出输入输出谐振回路和输出电路的阻抗，用Agilent ADS软件进行了仿真，振荡中心频率33．14GHz，用PHEMT管作为变容管，调谐带宽为200MHz。     

射频微机械开关的计算机辅助设计

应用计算机辅助设计(CAD)方法模拟设计一种射频微机械(RF-MEMS)开关.用Agilent ADS软件模拟分析了共面波导的传输线损耗和MEMS开关的等效电路模型,并应用ANSYS软件模拟开关的驱动电压,得到了35GHz工作频率的并联电容式MEMS开关一些有意义的理论分析结果.     

微波单片有源滤波器负阻电路的实现方法

论述了用于微波单片有源滤波器负阻电路的实现方法，给出了三种由单管ＦＥＴ构成的负阻电路，以及用ＭＭＩＣ工艺能够实现的矩形螺旋电感与ＦＥＴ实现的负阻电路，并对电路进行了详细的分析与计算机模拟，分析与模拟结果显示用单管ＦＥＴ实现的负阻电路结构简单，在谐振频率点，最大负阻值可达几千欧姆，而且，综合出的负阻电路完全可以用现有的ＭＭＩＣ工艺实现，为进一步设计微波有源滤波器打下了良好的基础。     

微带巴仑双极PIN管电调衰减器分析与设计

本文分析了一种具有微带已仑结构的双极PIN管电调衰减器，该衰减器结构合理，衰减动态范围大，并可以实现双极衰减特性。文中给出了设计方法和实验结果。实验表明，该衰减器在2.10～2.30GHZ电调范围±5V内最大衰减可达35dB。     

基于倒扣技术的24GHz混合集成平衡混频器

介绍采用混合贴装倒扣二极管技术制造的新型24GHz平衡混频器，并对该混频器进行设计、仿真、加工和测试，它能提供中频100kMz时小于10dB的变频损耗，本振与信号之间优于35dB的隔离度，其结构特点利于大批量、低成本生产，适合汽车电子系统的需求。     

平面带隙结构在微波和毫米波集成电路中的应用

介绍了平面带隙结构在微波集成电路应用方面的最新进展。光子带隙(PBG)结构是具有带阻特性的周期结构,最初应用于光学领域,后来扩展到其他领域。目前从可见光到红外都有研究,在微波和毫米波频段也有应用。PBG结构可以采用金属、介质、铁磁或铁电物质植入衬底材料,或者直接由各种材料周期性排列而成。目前国内外所提出的光子带隙结构多种多样,一维和二维的平面带隙结构由于易于实现且便于集成,因而在微波毫米波集成电路中得到了广泛的应用。