中国竹材人造板的科技创新历程与展望

概述了中国利用其丰富的竹材资源与竹材的优良特性,以现代木材工业的工艺与技术装备为依托,研制开发竹材人造板系列产品的情况。介绍了竹材人造板各主要品种在产品结构的改进,工艺技术的创新,胶粘剂的改性以及竹材专用加工设备的研制等方面的科技创新成果和形成竹材工业化利用的历史进程,并探讨了竹材人造板的发展前景。     

牛初乳活性免疫球蛋白(IgG)复合热变性保护剂的研究

利用琼脂双向免疫扩散法测定免疫活性IgG含量，采用三国素二次通用旋转组合设计对甘氨酸、蔗糖、甘露醇作为牛初乳活性免疫球蛋白（IgG）热变性保护荆的保护效果进行研究，建立了活性免疫球蛋白（IgG）残留率与各热变性保护荆之间的回归方程，分析了甘氨酸、蔗糖、甘露醇作为热保护剂对免疫活性IgG残留率的影响，筛选出了较为理想的热保护荆为甘氨酸添加量3％。蔗糖添加量3％，甘露醇添加量4％（均为质量分数），它们对免疫活性IgG残留率的作用为甘氨酸〉甘露醇〉蔗糖。     

火电机组功率波动的仿真研究

主蒸汽温度、压力的变化会导致功率控制回路的被控对象增益发生变化,固定参数PID控制器无法适应这种变化,控制品质会变差,甚至可能导致机组出力发生波动,进而引起电网的振荡。本文采用了引入自适应因子的前馈校正,能够消除主蒸汽参数变化对机组功率的影响,保证机组出力稳定。     

改进单神经元PID用于预防水轮机组功率振荡

原动机侧的功率波动会导致电网的低频振荡,严重威胁电力系统的安全稳定运行。水轮机组运行工况的变化会导致固定参数的经典PID控制器的控制品质变差,甚至引起机组有功功率的波动。采用改进单神经元PID控制器来代替水轮机组功率控制回路中的经典PID控制器,通过建模仿真并对比两者的控制品质,证明了改进单神经元PID控制器可以消除工况变化所带来的影响,保证水轮机组的稳定出力。     

7A52铝合金表面微弧氧化陶瓷层摩擦学特性

利用微弧氧化技术在7A52装甲铝合金表面原位生成了陶瓷层,通过SEM、XRD等手段分析了陶瓷层的表面形貌和物相组成,并在MS-T3000往复式摩擦磨损试验机上考察了陶瓷层在干摩擦条件下的摩擦学行为,分析了陶瓷层的磨损失效机制.结果表明,徼弧氧化陶瓷层由α-Al2O3和γ-Al2O3陶瓷相组成,高硬度的陶瓷层提高了7A52铝合金表面接触载荷承载能力和耐磨性,耐磨性最大提高幅度达到了100倍以上.陶瓷层的磨损机制以磨粒磨损失效为主.     

桩筏基础优化设计的新思路

众所周知 ,桩筏基础的筏板对整个基础的性能有着重要的作用 ,但大多数桩筏基础设计中一直不考虑筏板或桩帽的有利影响。根据这样的习惯方法设计的桩筏基础 ,由于设置了过多的桩 ,其总沉降是非常小的。然而 ,从经济角度出发 ,考虑筏板的承载能力 ,将基础的平均沉降和差异沉降均控制在可接受的水平而进行基础设计 ,是十分可取的。根据广泛的参数研究结果 ,本文提出一种新的设计概念 ,即将桩仅设置在相对柔性的筏板的中部 ,使差异沉降最小。本文将由 Clancy提出的混合( Hybrid)方法用于所进行的分析中 ,研究表明 ,在筏板的中部占筏板面积 16 %～2 5 %的区域内 ,设置桩群 ,并使桩群的刚度近似等于无桩筏板的刚度 ,则桩筏基础的差异沉降即可忽略不计。桩群总的承载力大约为总荷载的 40 %～ 70 %,其与桩群面积比和土的泊松比有关。这一方法的有效性得到了由作者进行的离心模型试验结果的验证     

水布垭防淘墙有限元分析

在水利工程实践中,考虑到地形、地质和水力学条件,需要在下游出口河道两岸设置防淘墙,以免因泄洪冲刷引起的边坡失稳.对与水布垭防淘墙有关的一些问题进行了有限元计算分析.结果表明,泄洪冲刷对防淘墙和附近的岩体有一定的影响;采用预应力锚索加固措施可以改善防淘墙及附近岩体的应力变形状况.此外,作为探讨,对防淘墙采用普通单元和梁单元进行模拟,并对结果进行比较.     

基于ETM+的深圳市绿地信息提取方法研究

针对深圳市生态绿地信息系统的规划需求,利用Landsat ETM+影像通过对3种图像增强方法(原始波段组合、差值运算、NDVI与其它波段组合)进行比较,集中探讨了深圳市绿地信息提取的最佳方法。结果表明,NDVI与其它波段组合法对于深圳市绿地信息的提取,可以得到比较理想的绿地分布信息,达到了城市生态绿地监测的要求。     

一体式智能防爆涡街流量计

工业涡街流量计对液体,蒸汽,天然气和空气实验室所得到的数据都证实了斯特罗哈尔数与液体的密度无关,涡街流量计是根据液体速度与漩涡频率成正比的原理设计的,只有测得稳定的频率值才能积算出流量值,涡街流量计安装中所需要的各种配件如渐缩管,渐扩管,弯头和阈门都会影响速度分布从而造成速度分布畸变,液体的粘度高清除漩涡和速度分布畸变也快,因此在流量计前后的直管段可以短一些。     

图形衬底上硅区双离子束选择淀积Co研究

本文报道了利用质量分离低能双离子束淀积法在硅氧化硅图形衬底上采用不同的工艺条件淀积钴（Ｃｏ）离子,并生长硅化钴薄膜．扫描俄歇微探针（ＳＡＭ）和Ｘ光电子能谱（ＸＰＳ）测量结果表明,只在纯硅区探测到了硅化钴;而氧化硅区始终未见有钴的迹象．很好地实现了在图形衬底上钴离子的选择淀积和硅化钴薄膜的选择生长．