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91.
染料敏化纳米薄膜太阳电池的新型对电极研究 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了用金属基板和塑料薄膜制作的4种新型对电极和由这些对电极构成的染料敏化纳米薄膜太阳电池的性能。由不锈钢、镍片和导电聚合物膜为基材的对电极构成的太阳电池的光电转换效率近5%;不锈钢对电极可以通过降低内阻来改善大面积染料敏化纳米薄膜太阳电池的光电转换效率。此外,测试了这些金属基板和塑料薄膜在电解质溶液中的耐腐蚀性和稳定性;考察了由不锈钢和导电聚合物膜对电极构成的染料敏化纳米薄膜太阳电池的长期性能稳定性,并提出了改善这些新型对电极的长期性能稳定性的途径。 相似文献
92.
LTE基站建设目前已在各大运营商中拉开序幕,在新建基站的同时,现有大量的2G/3G基站都将升级为LTE基站,现有基站的开关电源绝大多数都会出现电源分配端子不足的情况,本文重点探讨开关电源电源端子不足改造的各种方式,以最大程度利旧现有资源,降低建设成本和建设难度。 相似文献
93.
94.
超声-光法在高压电器设备局部放电检测中的应用 总被引:3,自引:2,他引:1
超声波法在检测高压电器设备局部放电时存在一些弊端,为了消除或尽量避免这些问题,笔者阐述了光纤传感器的原理及其用于高压电器设备绝缘监测的依据,介绍了基于Fabry-perot、Mach-zehnder和Michelson 3种干涉原理的光纤传感器及其在高压电器设备局部放电超声-光检测中的试验研究和实际应用,最后提出了高压电器设备局部放电超声-光检测法研究目前存在的问题及发展方向。试验和实际运用研究表明,利用光纤技术实现的超声-光检测和定位局部放电实现高压电器设备绝缘监测是完全可行的。 相似文献
95.
电子技术的高速发展对散热技术提出了更高的要求,热界面材料作为散热技术的关键材料之一,面临着提高热导率以及减小传热热阻的挑战。将垂直碳纳米管阵列(VACNTs)和固-液相变材料石蜡(PA)与硅橡胶(SR)复合,研制了一种新型VACNTs/PA/SR复合相变垫片。研究表明,通过磁场校准方法可以使表面改性的镀镍多壁CNTs在SR中实现垂直定向排列,所得VACNTs/SR垫片较CNTs随机排列的垫片具有更高的热导率,并确定VACNTs/SR垫片中CNTs的适宜含量为6%(质量),对应垫片的热导率可达0.71 W/(m·K)。对于固定CNTs含量为6%(质量)但PA含量不同的一系列VACNTs/PA/SR相变垫片,PA的添加量不大于12.5%(质量)时,相变垫片克服了液态PA的泄漏问题;相变垫片在PA发生固-液相变后表现出硬度显著下降,热阻减少可达55.14%,并具备优异的热可靠性。将最佳VACNTs/SR垫片样品及最佳VACNTs/PA/SR相变垫片样品进行散热性能对比发现,与使用VACNTs/SR垫片的情况相比,使用VACNTs/PA/SR相变垫片时的模拟芯片不仅在温度上升阶段的升温速率更小,而且当芯片温度达到平衡后对应的平衡温度也更低,降低了3.5℃,显示出更好的散热性能。VACNTs/PA/SR相变垫片优良的特性和散热性能使其在电子设备散热领域具有良好的应用前景。 相似文献
96.
硬酯酸/膨润土复合相变储热材料研究 总被引:9,自引:0,他引:9
采用“液相插层法”制备出了硬酯酸/膨润土复合相变储热材料,在34%的硬酯酸质量含量下,复合相变储热材料的XRD图谱与有机膨润土和硬酯酸的混合物明显不同,是硬酯酸嵌入到膨润土的纳米层间并形成了一种新型的复合相变材料。DSC分析表明,此材料在熔融和凝固过程中都出现了两个相邻的相变峰,其相变温度比硬酯酸略低,相变潜热与复合相变材料中硬酯酸百分含量的对应值相当。500次连续循环储热/放热实验表明,此材料的层间距和相变温度及相变潜热变化很小,证明其具有很好的结构和性能稳定性。 相似文献
97.
研究了R40 7C在螺旋隔板花瓣管冷凝器中的传热特性 ,在实验条件下 ,该冷凝器的总传热系数可超过 30 0 0W /(m2 ·K) ,证明了螺旋隔板花瓣管冷凝器能显著地强化R40 7C的冷凝传热。 相似文献
98.
99.
100.
The band configurations of the undoped strained-layer InxGa1-xAs(8 or 15nm)-GaAs(15nm) MQW with x = 0.1,0.15 and 0.2, respectively, have been investigated by photocurrent spectroscopy at the temperature range of 10- 300K. Both intersubband transitions and transitions between confined level and continuum are observed. The photocurrent peak related to the 2s or other excited states of heavy-hole exciton is also observed and the exci-tonic binding energy thus obtained is about 8meV. The valence band offset △Ev is determined to be 0.38 and 0.40 by means of two different methods. Owing to the strain effect, both electrons and heavy holes are confined in the InGaAs layers while light holes in the GaAs layers. 相似文献