钨铁电除尘探讨

钨铁电除尘模拟、现场试验证明,采用电除尘处理钨铁冶炼烟气工艺可行,采用宽间距等技术措施可降低高比电阻对除尘效率的影响,保证钨铁电除尘器正常运行,使除尘效率达98％以上,烟气排放浓度在150mg/m~3以下,达到国家标准。     

Jerusalem Cross单元频率选择表面吸波特性的试验研究

对传统的频率选择表面耶路撒冷十字单元进行优化,并研究单元形状、尺寸、介质层厚度以及金属贴片厚度对含FSS吸波体雷达吸波性能的影响。结果表明,通过设计适当的FSS单元形状,并调节单元尺寸以及贴片层和介质层的厚度,可以实现对吸波体共振频率和反射率值的调整,得到符合设计要求的吸波体。     

最优标杆在市级电网企业线损精益管理中的综合应用

针对目前市级电网企业线损管理现状,即传统的线损管理无法精准寻标、有效对标,无法形成闭环管理等问题,提出一种基于戴明环(PDCA)优化的六西格玛(DMAIC)线损管理对标的方法。通过构造多评价序列信息矩阵,利用奇异值柔性优化以选取线损管理最优标杆企业。然后通过市级电网企业与最优标杆市级电网企业多层次的对标体系指导企业完成线损闭环管理工作。最后对某网区61家市级电网企业进行线损管理计算,实例表明所提方法能够有效指导线损管理,实现线损精益管理。     

康古尔韧性剪切带与金矿床

通过对康古尔金矿全面系统的研究，论述了金矿床与韧性剪切带之间的联系，认为金矿床的产出、分布受控于剪切带。     

纳米SiC和SiC(N)粉体的微波介电特性及其与微波的作用机理

研究了纳米SiC粉体和纳米SiC(N)复相粉体在8.2-12.4GHz频率范围的介电特性及其与微波的作用机理，发现纳米SiC(N）复相粉体介电常数的实部（ε′）和虚部（ε′′）在8.2-12.4GHz范围内随频率增大而减小，介电损耗（tgδ=ε′′/ε′）较高，是较为理想的微波吸收材料。纳米SiC粉体的ε′、ε′′和tgδ明显小于纳米SiC(N)复相粉体的，对微波的吸收不理想。提出了纳米SiC(N)复相粉体对微波的吸收机理。纳米SiC(N)复相粉体中的SiC微晶固溶了大量的N原子，在纳米SiC(N)复相粉体中形成大量的带电缺陷，这些带电缺陷在电磁波交变电场作用下产生极化耗散电流，强烈的极化驰豫过程导致大的介电损耗。     

热压烧结短切SiCf/LAS复合材料的介电性能

采用热压烧结法制备出致密的短切SiCf增强IAS玻璃陶瓷复合材料,讨论了热压保温时间与纤维长度对复合材料介电性能的影响.结果表明,测试频率在8～12GH2之间,复合材料的复介电常数实部ε'由基体的7.6上升到10～100,虚部ε"由基体的0.34上升到60～140,介电损耗tgδ由基体的0.04上升到1～40,并具有明显的频散效应.当保温时间由10min增加到20min时,复合材料ε'增大,ε"与tgδ减小.保温时间10min时,随着纤维长度由2mm增加到4mm,复合材料ε'减小,ε"先减小后增大,而tgδ增大;保温时间20min时,随着纤维长度由2mm增加到4mm,复合材料ε'先减小后增大,ε"与tgδ则先增大后减小.复合材料具有成为电损耗型宽带吸波材料的潜力.     

堇青石质蜂窝陶瓷的制备

选用3种不同的优质粘土、滑石及工业氧化铝,通过一定的工艺控制,在1 390℃的烧成温度、保温4 h的条件下,研制出纯度较高。结晶性较好,热膨胀系数(20～1 000℃)分别为1.48×10-6,1.50×10-6/℃和1.54×10-6/℃,气孔率分别为15％,25％和33％的堇青石质蜂窝陶瓷载体。较低的热膨胀系数保证了载体有优异的抗热震性能,高的气孔率有利于后期催化剂的浸渍。实验表明:堇青石陶瓷成分的选择及杂质相的含量对于膨胀系数影响显著。     

热解温度对聚碳硅烷转化SiC陶瓷结构及介电性能的影响(英文)

采用真空高温裂解聚碳硅烷法制备β-SiC陶瓷粉末,并对热解产物进行TGA/DSC、XRD和拉曼光谱表征。通过矩形波导法测量β-SiC陶瓷粉末与石蜡复合材料在8.2~18GHz下的复介电常数来研究其介电性能。结果表明:复介电常数的实部与虚部均随着热解温度的升高而增大。高温下产生的石墨碳引起的电子松弛极化及电导损耗是复介电常数的实部与虚部增大的主要原因。     

沉积温度对氧化锆薄膜显微结构的影响

采用直流反应磁控溅射工艺在25、300℃沉积温度下分别制备了ZrO2薄膜和YSZ薄膜。结果表明,沉积温度对ZrO2薄膜沉积速率的影响不大,而对YSZ薄膜沉积速率的影响则很大。与YSZ薄膜相比,ZrO2薄膜容易形成结晶态。25℃时所制备的ZrO2薄膜为非晶态,300℃时则为单斜晶体结构,薄膜的结晶程度随沉积温度的升高而提高。而两种温度下制备的YSZ薄膜均为非晶态薄膜。随沉积温度的升高,ZrO2薄膜表面变得致密光滑,而YSZ薄膜表面则变得粗糙不平。     

烧结温度对CaCu3Ti4O12陶瓷C波段介电性能的影响

采用固相反应法制备了CaCu3Ti4O12(CCTO)陶瓷,研究了烧结温度对CCTO晶相、微观形貌、致密度以及在C波段(3.95～5.85 GHz)的介电性能的影响。结果表明,在1040℃烧结的试样除了含有CCTO,还存在部分没有反应的TiO2。随着烧结温度的升高,TiO2逐渐消失。与1040℃和1060℃烧结的试样相比,在1080℃烧结的试样晶粒尺寸较大且粒径较均匀,而在1100℃烧结的试样有明显的熔化现象。试样的密度随烧结温度的升高而增加,在1080℃时达到最大值。在1040～1080℃烧结的试样,其介电常数随着烧结温度的升高而增加,而在1100℃烧结的试样的介电常数反而有所降低。不同烧结温度下的CCTO陶瓷的介电常数和介电损耗随频率的增大变化不大。在所得的试样中,在1080℃烧结的CCTO陶瓷介电常数最高,介电损耗最低。