界面对纳米SiC/LAS陶瓷复合材料微波介电性能的影响

利用激光诱导法制各的纳米SiC和LAS玻璃粉米，采用热压法制各纳米SiC／LAS陶瓷复合材料，研究了纳米SiC／LAS陶瓷复合材料微波介电性能与纳米SiC含量、烧结温度以及碳界面层的关系。结果表明，在1080℃以下烧结温度对陶瓷致密度的影响较大而对陶瓷复介电常数的影响较小；但在1080℃以上烧结温度对烧结致密度的影响较小，而对陶瓷复介电常数的影响较大，复合材料复介电常数的实测值与计算值之间存在很大的差异。通过计算和分析认为，复合材料制各过程中纳米尺度的SiC促进了碳界面层形成，使得烧结温度对复合材料复介电常数有很大影响。     

不同熔化条件对Na2O·4TeO2玻璃性能的影响

探索了不同熔化条件对 Na2 O· 4Te O2 玻璃性能的影响 ,确定了 Na2 O- Te O2 系统玻璃的合理的熔化条件。通过热分析和红外分析等手段 ,对由不同原料在不同熔化条件下所得到的玻璃进行了分析 ,发现熔化条件不同时 ,由不同原料所得玻璃的性能也有很大差别。当熔化温度较低、熔化时间较短时 ,玻璃中存在未分解完全的来自原料的原子基团。由不同原料所得的玻璃的 DSC曲线和抗析晶能力差别很大。随着熔化温度的升高和熔化时间的延长 ,由不同原料熔化所得玻璃的性能趋于一致。在 80 0℃下熔化 1 h是亚碲酸钠玻璃较合适的熔化条件     

掺杂有机闪烁激活剂玻璃的荧光光谱和光输出

通过把有机闪烁激活剂p-TP、p-QT和POPOP等掺入低熔融温度的无机玻璃中，对玻璃的发光性能进行了探索。研究表明，掺杂有机激活剂的闪烁玻璃光输出较低，其主要原因是：①玻璃中存在的气孔等缺陷严重降低了玻璃的透光率；②玻璃中有机激活剂的实际浓度较低。由于玻璃基体中重原子的影响，使得闪烁玻璃的发射峰向长波方向移动，POPOP已起不到波长转换剂的作用，本身仅作为激活剂而发光。     

(K0.5Na0.5)NbO3-LiNbO3无铅压电陶瓷的烧结特性和压电性能研究

采用传统陶瓷烧结工艺制备了(1-x)(K0.5Na0.5)NbO3-xLiNbO3无铅压电陶瓷,研究了陶瓷的结构、烧结特性及电性能特征.制备的(K0.5Na0.5)NbO3-LiNbO3陶瓷为单一的钙钛矿结构,室温下其相结构随LiNbO3含量增加逐渐由正交相向四方相转变,显微结构也由于LiNbO3含量的不同而表现出很大差异.与(K0.5Na0.5)NbO3陶瓷相比,(K0.5Na0.5)NbO3-LiNbO3陶瓷的烧结温度降低,烧结特性得到改善. (K0.5Na0.5)NbO3-LiNbO3陶瓷表现出优越的压电性能,其中0.94(K0.5Na0.5)NbO3-0.06LiNbO3(x=0.06)陶瓷的压电常数d33达到205pC/N,机电耦合系数kp为40.3%,kt达到49.8%.     

康古尔韧性剪切带与金矿床

通过对康古尔金矿全面系统的研究,论述了金矿床与韧性剪切带之间的联系,认为金矿床的产出、分布受控于剪切带。     

SiC/SiC复合材料的制备及力学性能研究

采用低压化学气相渗透（LPCVI）工艺制备了具有不同热解碳界面层厚度的SiC/SiC复合材料,对热解碳沉积工艺以及复合材料的力学性能进行了研究.结果表明：沉积温度、系统总压、PN2/PC3H6均会使沉积热解碳的形貌发生改变;随热解碳界面厚度增加,复合材料的韧性提高,弯曲强度先增大后减小.     

双反应室激光诱导气相合成纳米Si/C/N复相粉体及其微波介电特性

用激光诱导气相反应法,以六甲基二硅胺烷(Me3Si)2NH)(MeCH3)为原料,用双反应室激光气相合成纳米粉体装置合成了纳米Si/C/N复相粉体,复相粉体的粒径为20～30nm,纳米粉体的分散性好,无严重团聚.研究了纳米Si/C/N复相粉体在8.2～12.4 GHz的微波介电特性,纳米Si/C/N复相粉体介电常数的实部(ε′)和虚部(ε″)在8.2～12.4 GHz随频率增大而减小,复合材料的ε′和ε″可以通过纳米粉体的含量进行调整,而且介电损耗(tgδ=ε″/ε′)较高,是较为理想的微波吸收材料,计算结果表明经典的有效媒质公式对含纳米Si/C/N复相粉体的复合材料是不适合的.纳米Si/C/N复相粉体中Si,C,N原子周围的化学环境比纯SiC和Si3N4相的混合体要复杂得多,这是导致其性能变化的主要原因.纳米Si/C/N复相粉体中的SiC微晶固溶了大量的N原子,在纳米Si/C/N复相粉体中形成大量的带电缺陷,在电磁场作用下形成极化耗散电流,极化弛豫是其吸收电磁波的主要原因.     

硅粉粒径对反应烧结多孔氮化硅陶瓷介电性能的影响

以硅粉为原料,添加质量分数为30%的成孔剂(苯甲酸)球形颗粒,反应烧结制备了气孔率为55%,具有球形宏观孔的低密度多孔氮化硅陶瓷.研究了硅粉粒径对反应烧结多孔氮化硅陶瓷介电性能的影响.结果表明:烧结后样品的介电常数ε'和介电损耗tanδ随着初始硅粉粒径的减小都有明显的降低.平均颗粒尺寸为7μm的硅粉制备的样品的ε'嘬小,约为2.5.原料硅粉的粒径变化将影响反应烧结的反应速率,从而影响反应烧结后样品的生成相和微观结构.随着平均颗粒尺寸的减小,反应烧结后Si3N4相含量增加,Si2ON2相和游离硅含量减少,气孔变小.     

热压条件对短切SiC_f/LAS复合材料介电/力学性能的影响

采用热压烧结法制备出致密度超过90%的短切SiCf增强LAS玻璃陶瓷基复合材料,讨论了热压温度与压力对复合材料性能的影响。力学测试表明,当热压温度由1200℃上升到1280℃,复合材料断裂强度从124MPa下降到80MPa,断裂韧性从3.27MPa.m1/2下降到2.92MPa.m1/2;当热压压力由20MPa提高到34MPa,复合材料断裂强度从124MPa下降到86MPa,断裂韧性从3.27MPa.m1/2下降到3.00MPa.m1/2。断口形貌SEM观察结果表明,因纤维掺入过量,φ(SiCf)=36%,使纤维与基体结合较差;而过高的热压温度与压力会使界面反应加剧,破坏纤维强度及纤维与基体的结合。介电性能测试表明,在8～12GHz频率,复合材料复介电常数的实部ε′由基体的7.6增大到10～70,虚部ε″由基体的0.34增大到60～160,介电损耗tgδ由基体的0.04增大到2～20,并具有明显的频散效应。而且,随热压温度升高或者热压压力的增加,复合材料ε′增大,而ε″与tgδ减小。复合材料具有成为电损耗型宽带微波吸收材料的潜力。     

高温雷达吸波材料研究现状与展望

“薄、宽、轻、强”已经不能完全满足新型武器装备对雷达吸波材料提出的耐高温、抗氧化、高强度及高韧性等新要求。高温雷达吸波材料受到广泛关注, 本文首先综述了C、ZnO、SiC三类高温吸收剂研究现状, 主要介绍了它们吸波性能改进途径及电磁参数的温度响应机理; 然后对比了涂覆型与结构型高温吸波材料的特点; 在此基础上, 阐述了连续纤维增强陶瓷基复合材料作为高温结构吸波材料的优势、研究现状及存在的问题; 最后, 提出了高温吸波材料未来潜在的发展方向。