毫米波半导体器件与其外延材料的发展

本文回顾了近年来飞速发展的毫米波半导体器件（如ＨＥＭＴ、ＨＢＴ、Ｓｉ／ＳｉＧｅＨＢＴ、ＩＭＰＡＴＴ等）及相应外延材料的研究进展．     

位错芯重构缺陷对于Si中位错运动的影响

为了研究晶格常数不匹配的异质结SiGe/Si生长过程中低温缓冲层内缺陷对位错运动的影响,使用位错偶极子模型在Si晶体内建立了一对30°部分位错,和导致30°部分位错运动的弯结结构,以及位错芯重构缺陷(RD)与弯结组合而生成的弯结-RD结构.通过分子动力学模拟,使用Parrnello-Rahmman方法施加剪应力促使位错运动,得到了左右弯结-RD结构在迁移过程中的8种稳定构型,并且使用NEB方法和紧束缚势计算了纯弯结和弯结-RD迁移过程中势垒高度,发现弯结-RD的迁移能力要高于纯弯结结构.从模拟结果推断出,低温层生长技术中的Si低温缓冲层由于低温限制了重构缺陷的运动,减少其相遇发生湮灭的概率,从而使得更多的弯结能够与重构缺陷结合生成弯结-RD结构来提高30°部分位错的运动能力,由此释放异质结结构失配应力所需的位错密度会随之减小.     

npn AlGaN/GaN HBT模型与特性分析

基于实验数据对GaN材料的少子寿命和碰撞电离率进行了建模,应用漂移-扩散传输模型开展了npnAlGaN/GaN异质结双极晶体管的特性研究,给出了器件导通电压、偏移电压和饱和电压的解析式.结果表明:实际器件导通电压、偏移电压及饱和电压较大的原因主要是高基区电阻和基区接触的非欧姆特性,为器件的工艺制造提供了理论指导.     

梳针刺辊与锯齿刺辊分梳差异的研究

为研究刺辊类型、速度对纤维损伤和去除结杂的影响,用Uster AFIS单纤维测试系统,分别对三种梳针刺辊和一种锯齿刺辊在二档道夫速度和四档刺辊速度条件下所加工的生条进行了检测.结果显示:梳针刺辊在减少纤维损伤方面明显优于锯齿刺辊;梳棉机产量低时,梳针剌辊去除棉结的效果好一些,梳棉机产量高时,锯齿刺辊去除棉结的效果要好于梳针剌辊;梳棉机产量低时,大都以锯齿和梳针Ⅲ刺辊去除杂质效果好些,梳棉机产量高时,锯齿和梳针Ⅱ刺辊去除杂质效果好些.     

微波、毫米波单片集成电路（MIMIC）技术

本文主要叙述微波、毫米波单片集成电路的性能及其应用。     

AlGaInP/GaAs异质结双极晶体管直流特性研究

制备了大尺寸AlGaInP／GaAs SHBT和DHBT，对其直流特性进行了测试，并分析了AlGaInP／GaA。单异质结晶体管(SHBT)和双异质结晶体管(DHBT)的直流特性差异，深入研究了影响AlGaInP／GaAsHBT开启电压(Voffset)的各个因素。结果表明：AlGaInP／GaAsHBT开启电压与外加基极电流密切相关，采用宽发射区可大大降低器件的开启电压。     

带间耦合多有源区大功率980nm半导体激光器

提出利用隧道结实现带间耦合再生多有源区大光腔大功率的半导体激光器。该激光器能够在小的电流下输出大的光功率；同时可以使出光端面成倍增加，减少了端面光密度，克服端面灾变性毁坏（COD）。由于耦合形成大光腔，提高了光输出的质量。制备4个有源区带间耦合大功率980nm半导体激光器。在2A注入电流下输出功率5W，阈值电流172mA，斜率效率3.24w/a，阈值电流密度273A/cm^2。     

电炉用喷补料的研制

对电炉用喷补料主原料的选择以及对结合剂、细粉加入量、加水量等的试验检测，结果表明以镁砂为主原料，配以合适的粘结剂，选择四级颗粒级配，喷补料抗侵蚀性较为理想。     

用热失重法确定水合粘土水分含量及存在形式

文章以蒙脱土为例，采用热失重法定性定量确定了水合粘土中结合水类型、界限及其相对含量，并与等温吸附法结果进行了对比。结果表明，用该方法得到的水合蒙脱土中各种水分的相对含量及总含水量与等温吸附实验结果相一致。热失重（25~250 ℃）分析结果表明，水合蒙脱土中水分子主要存在自由水、松散吸附结合水、紧密吸附水（强吸附结合水）3种状态，分别对应于25~75 ℃、75~120 ℃、120~230 ℃区间里的失水。从热失重（25~250 ℃）规律来看，仍存在两个明显的转折点p/ps=0.9、0.98，它们为粘土-水体系的两个特征湿度，前者为粘土表面强结合水与松散结合水（渗透结合水）之间的界限，后者为松散结合水与自由水之间的界限，这验证了等温吸附法确定的两个特征湿度及对粘土表面结合水界限划分的正确性。