100 MeV质子回旋加速器二期辐照效应管道设计

针对中国原子能科学研究院100 MeV质子回旋加速器上的单粒子效应辐照装置进行了二期管道设计，采用八极磁铁校正法对束流进行了扩束及均匀化，最终在靶上得到了一个30 cm×30 cm、均匀性好于92%的均匀分布的束斑，满足了单粒子效应实验的需求。为降低靶站处的束流能散及中子本底，采用两级降能的方案，在偏转磁铁前放置1个降能片，将能量分为100 MeV和40 MeV两档，并分别针对这两个能量点进行方案设计，束流利用率均在42%以上。公差分析结果表明，四极磁铁对靶上束斑均匀性的影响大于八极磁铁，安装过程中应优先保证四极磁铁的安装公差。     

PWR堆芯燃料组件非线性梁模型研究

为描述燃料组件的非线性特性，采用有限元方法建立燃料组件横向梁模型，并引入迟滞模型，用于模拟燃料组件横向变形时的非线性效应。计算结果表明:该非线性梁模型能够更准确地获得组件的弯曲变形和受力，有助于开展燃料组件事故分析。      

半导体激光器辐照损伤效应实验研究进展

半导体激光器(LD)工作在空间辐射或核辐射环境中时,会受到辐照损伤的影响而导致器件性能退化。文章回顾了不同时期研制的LD(从早期的GaAs LD到量子阱LD和量子点LD)在辐照效应实验方面的研究进展,梳理了国际上开展不同辐射粒子或射线(质子、中子、电子、伽马射线)诱发LD辐射敏感参数退化的实验规律,分析总结了当前LD辐照效应实验方法研究中亟待解决的关键技术问题,为今后深入开展LD的辐照效应实验方法、退化规律、损伤机理及抗辐射加固技术研究提供理论指导和实验技术支持。     

GeTe中铁电极化对自旋霍尔电导的调控研究

利用电场控制电荷的自旋流与电流相互转换是自旋电子器件的关键所在,而这种控制机制在铁电半导体GeTe中可以得到实现,因为其铁电极化可以改变自身的自旋织构。基于密度泛函理论计算,我们发现可以通过铁电极化可以进一步调节自旋霍尔电导(spinHallconductivity,简记为SHC),通过计算得到自旋霍尔电导的一个分量σxyz在带边缘附近可以达到100?/e(?cm)-1的量级,其主要原因在于电极化改变了能带结构。该研究工作为可控的自旋输运的实验和理论研究具有重要的价值,必将推动自旋电子学的进一步发展。     

双极线性稳压器中子辐射位移效应研究

双极线性稳压器广泛应用于空间设备,中子辐射效应不容忽视。对国产双极线性稳压器在不同负载偏置下的中子辐射效应开展研究。试验过程中发现,负载越大,位移损伤效应越明显。试验后通过加载不同负载的详细在线测试发现,不同偏置下的输出电压差异是由于负载的不同引起的。辐照偏置对双极线性稳压器的位移损伤无显著影响,但中子位移效应导致了双极线性稳压器的带载能力严重降低,使其失去负载调整能力。因此,在工程评估时,应结合应用需求,选择合理的负载进行评估。     

锂离子电池单体卷芯代表性体积单元静动态压缩特性实验研究

通过对电动汽车用磷酸铁锂电池单体内部卷芯代表性体积单元试件做在面内方向的约束压缩测试,研究了电池单体卷芯的静动态压缩特性。试验结果研究表明,试件的变形行为主要包括屈曲,塑性铰和相应剪切带的形成以及卷芯组分材料的密实化。试件的静动态压缩的力学响应具有显著的差异,主要表现为随着加载速度的增大应力增强明显,试件的变形模式发生改变。最后,利用试件结构的惯性效应和试件材料的应变率效应解释了试件在约束压缩试验中产生的这种动态效应。     

政治关联与社会、经济双重效应的绩效分析——基于民营上市公司的数据

文章以寻租、资源依赖和利益相关者理论为基础,以2012年披露的深沪交易所的825家民营上市公司为样本,运用多元回归模型对企业政治关联与社会、经济所产生的双重效应进行实证分析。结果发现,企业的政治关联会产生显著的社会和经济效应,其中,关联程度与社会雇员规模、慈善捐赠水平以及企业绩效呈正相关,不同企业领导人的政治关联会产生不一样的经济效应。本研究结果对民营企业利用政治关联的优势,提升社会竞争力和企业价值有一定的理论与现实意义。     

狄更斯幽默叙事艺术之美感特质的研究

英国维多利亚时期伟大的现实主义小说家,查尔斯.狄更斯,以其作品中色彩斑斓的人物形象、诡异多姿的空间场景和博大精深的文化内涵,为读者带来了极具震撼而又深刻的审美美感。而这种"夸张"、"荒诞"、"不可理喻"的幽默叙事艺术,以一种突出的"漫画式"美感形式,为小说文本的叙事带来了强劲的感染力,使之产生着无限的艺术价值。本文力图在前人的基础上,对狄更斯的幽默叙事艺术的"美感"特质进行深层的剖析和客观的诠释。     

单汽泡沸腾过程数值模拟的研究

利用Comsol Multiphysics软件中的Level Set方法对单汽泡沸腾过程进行了模拟,建立了微细结构网格,给出了边界条件,求解了质量、动量、能量和Level Set方程,得到了正确的模拟结果。分析了单汽泡沸腾过程中相含率、压力场、速度场和温度场随时间的变化规律;考察了接触角和壁面效应对汽泡脱离直径和汽泡生长周期的影响。模拟结果表明,当接触角小于12°时,汽泡脱离直径维持不变;当接触角大于12°时,接触角越大,汽泡脱离直径越大。汽泡生长周期随接触角的增大而延长。当加热装置的直径小于汽泡脱离直径时,汽泡受壁面效应的影响不易脱离;当加热装置的直径大于汽泡脱离直径时,汽泡脱离直径不随加热装置直径的增大而变化;汽泡生长周期随加热装置直径的增大而缩短。     

InGaAs MOSFET的电容电压特性

通过自洽求解泊松和薛定谔方程,计算了GaAs,InAs和InGaAs MOSFET的电容电压(CV)特性,并与Si MOSFET的CV特性以及GaAs MOSFET的CV测量结果做了比较。研究结果表明,对于电子有效质量较轻的InGaAs半导体,量子效应非常明显,反型电容显著降低。研究结果还表明,随着栅介质有效厚度的减小和沟道掺杂浓度的增加,量子效应更加突出,反型电容进一步减小。