Al-Si电子封装材料粉末冶金法致密性研究

采用粉末冶金方法研究Al-Si复合材料的烧结行为。结果表明:随着Si含量从40%分别增加至50%,60%时,AlSi复合材料的烧结致密度从99.7%逐渐降低至99.0%;随着粉末的中位粒度增大,Al-Si复合材料的烧结密度略有降低,但差别不十分明显;随着烧结温度的提高,材料致密度明显增加,且最合适的烧结温度在550~600℃之间;随着烧结压力的提高,Al-50Si复合材料致密度明显增加,这是因为烧结压力增加时,球形粉末受挤压产生的塑性变形增加,有效地减小了粉末之间的间隙,从而增加了烧结材料的致密度,但最佳的烧结压力为60MPa,制得Al-50Si复合材料的致密度高达99.3%。     

单相供电的三相同步电动机的平衡运行

单相电源供电运行是电动机不平衡运行模式之中一种比较有意义的运行模式。探索了三相同步电动机在单相电源供电模式下运行的可能性,计算了随着负载的变化,维持相平衡所需要的电抗值的大小,并介绍了获得正序和负序阻抗的2种方法。     

有机硅助剂在皮革工业的应用(六)

简述了合成革制造用有机硅助剂;皮革涂饰剂厂-天然革和合成革两用有机硅助剂的特性,如改善涂层的疏水性、耐磨性、光泽、手感、流平性、消泡性、湿润性等。     

中药材农药残留分析中的前处理方法比较

[目的]比较中药萝芙木中17种农药残留的2种前处理技术。[方法]样品经有机溶剂提取后,采用磺化法和固相萃取法进行净化,并采用GC-ECD进行检测,对前处理的提取条件和净化条件进行优化。[结果]石墨炭黑/氨基(CARBON/NH2)复合固相萃取小柱能够较好地去除杂质,磺化法不适用硫丹(含硫丹Ⅰ和硫丹Ⅱ)、狄氏剂和拟除虫菊酯类农药。[结论]采用CARBON/NH2复合固相萃取技术的方法平均回收率为75.11%~113.53%,相对标准偏差为0.34%~4.84%,适合中药萝芙木中17种农药残留的分析。     

酶解制备玉米寡肽的研究

为了高效制备玉米寡肽,本实验对玉米蛋白粉进行超声预处理,以寡肽得率为评价指标,采用复合蛋白酶、碱性蛋白酶、风味蛋白酶、中性蛋白酶、胰蛋白酶、木瓜蛋白酶6种蛋白酶对其进行水解,筛选出碱性蛋白酶为制备玉米寡肽的最适水解用酶。通过单因素实验和响应面分析确定制备玉米寡肽的最适工艺条件为:加酶量2660U/g、底物浓度8.0g/100mL、反应温度57.0℃、反应pH为9.0、反应时间3h。在该条件下制备的玉米酶解产物的寡肽得率为34.34%±0.22%,与理论预测值的相对误差在±1%以内。     

一例点状掌跖角皮病大家系致病基因精细定位

目的在1例四代点状掌跖角皮病大家系中定位其致病基因所在区域。方法用覆盖8和15号染色体的微卫星标记对一例点状掌跖角皮病大家系进行致病基因的定位研究,用ABI3730测序仪进行微卫星标记的基因分型,利用Linkage软件(5.10 Version)和Cyrillic软件(2.01 Version)进行连锁和单倍型分析。结果该家系符合常染色体显性遗传模式,当外显率为100%时,排除了以前报道过的8q24.13-8q24.21区域,但在15号染色体上的微卫星标记D15S153处获得最大LOD值为5.38(重组率θ=0.00)。单倍型分析将该家系致病基因定位在微卫星标记D15S651和D15S988之间,该结果将国外定位的区域缩小至染色体15q22.2-15q22.31区域之间遗传距离为5.06cm内。结论染色体15q22.2-15q22.31区域存在该点状掌跖角皮病家系的致病基因,表明在中国人群中该病有遗传异质性存在。     

纳米β沸石的合成

纳米沸石作为沸石的主要发展趋势之一,近年来得到了长足发展.沸石纳米化后,由于外表面增大、表面能增高、孔道缩短、外露孔口增多以及外表面酸位数量增加,使其拥有了一系列特殊的优异性能,因此将在工业上得到广泛应用.系统地研究了投料Na2O/Al2O3、SiO2/Al2O3、(TEA)2O/Al2O3以及不同晶化温度对合成β沸石的影响,选择合适的合成条件,合成出纳米β沸石.     

基于历史文脉延续的城市商务中心区规划设计

以宝鸡市陇县东部商务中心区规划设计为例,探讨了在规划设计中如何营造城市历史文化氛围,提出了历史为基,山水为实,尊重自然,面向未来的规划理念,旨在通过剖析规划设计方案,为城市建设中如何减少"千城一面"的城市问题提供参考。     

利益相关者视角下文化旅游纪念品同质化问题分析与解决策略研究 ——以开封市为例

文章针对开封市文化旅游纪念品市场发展中存在的同质化现象,以利益关系、促进程度和影响力作为依据,将利益相关者划为直接层、间接层和潜在层三个层级,并构建了利益相关者关系网络图,进而深层次分析了当前同质化现象背后的原因,并提出利益相关者视角下的文化旅游纪念品同质化问题的解决体系:以顶层政策助推地区文旅氛围构建,建立各层级利益相关者之间的关联共赢机制,强化文化旅游纪念品的内生式发展动力。     

瞬态电压抑制二极管的建模及仿真

基于0.5 μm CMOS 工艺,设计瞬态电压抑制（TVS）二极管.利用黑箱理论对该器件在高电压大电流下的反向工作特性建模,在Matlab 数值模拟工具中利用所建模型仿真,获得了包含一次击穿、二次击穿（硬失效）点的反向I –U 特性曲线;基于Silvaco TCAD 工艺器件仿真平台,经DC 仿真验证所建模型的准确性.仿真结果表明,2 种方法获得的特性曲线基本吻合,本文所建数值模型能够预测TVS 二极管瞬态电压抑制时的电特性.