含液气井井下节流两相流研究

本文针对极性分子水的存在,基于等焓原理,采用改进的PT状态方程,建立了气-水体系节流温降预测的新模型,同时采用PT Perkins方法建立的气液两相节流压降机理模型,结合两相流预测模型,形成了含液节流气井井筒压力温度的预测方法。以苏里格气田某井为例进行节流井井筒压力温度预测,对比分析了不同节流嘴位置节流流场参数的变化,从携液角度和防治水合物生成方面综合考虑获得节流器合理下入深度,为产水气井的井下节流设计提供依据。     

带有氮气回收深冷处理设备的设计

对深冷处理技术及传统的深冷处理设备进行了简单总结,在此基础上提出了一种带有液氮回收的深冷处理设备。采用翅片管式换热器作为该深冷设备的中间换热设备,液氮通过换热器管侧进行热交换,翅片侧通过风机提供一定流速的气流进行强制对流换热,利用热交换后的气流控制设备的温度,热交换后的氮气流出换热器进行回收利用。根据使用要求对换热器进行了设计计算,确定了换热器的结构及尺寸大小。采用经验公式对该换热器的压降进行了计算,对比了该设备与传统深冷设备的效率和经济性。     

中高压气动控制系统中压力仪表的校准方法

用现场校准的方法,解决中高压气动控制系统中禁油禁水压力仪表的校准工作,同时实现对中高压控制系统的压力特性进行检测。     

关于某铅酸电池厂10kV供电线路电压降问题的原因分析与解决方案

针对某铅酸电池厂10kV供电线路电压降问题,从电网结构因素、原供电设计、厂内无功补偿配置、厂内生产设备消耗无功情况几方面进行深入分析,总结出了电压降大的几点原因.根据这几点原因一一提出了解决方案,以及铅酸电池厂供配电设计和运维过程中应注意的事项和相关建议.     

具有积累层沟道的槽栅IGBT结构

提出了一种具有积累层沟道的槽栅IGBT结构。仿真结果表明：在阻断电压为1200V,集电极电流密度为100 A/cm2,温度分别为300K和400K下的情况下,积累层沟道槽栅IGBT的正向压降分别为1.5V 和2V而常规槽栅IGBT分别为1.7V和2.4V。新结构比常规槽栅IGBT具有更低的开态压降和更大的正向安全工作区。文中同时分析了积累层沟道槽栅IGBT的阻断特性和关断特性。     

深亚微米下芯片后端物理设计方法学研究

随着摩尔定律的发展,90／65nm工艺下的大规模芯片越来越多,后端物理设计变得更加复杂,遇到了很多新问题,如高集成度、层次化设计、泄漏功耗、多角落-多模式、串扰噪声等,签收的标准也发生了变化。因此必须改进物理设计方法学,适应新的情况,来取得流片成功。     

铂、金掺杂对快恢复二极管性能的影响

本文介绍了各类寿命控制技术,重点阐述了铂、金掺杂的特点。通过对试验结果的讨论,分析了扩铂、扩金方法对反向恢复时间t_(rr)、正向压降V_F以及反向漏电流I_R等参数的影响,最终确认在高可靠性产品中扩铂是二者中的优选方法。     

适用于高压高开关频率反激变换器的ESBT^TM

在高压中小功率容量应用领域中，新一代功率器件的发展和推陈出新具有明显的特征，即在正向导通压降、击穿电压和开关频率之间进行平衡以获得最优化的组合。最近推向市场的ESBTTM，即发射极开关双性晶体管（Emitter Switched Bipolar Transistor），代表了功率器件的一个新的产品系列，特别适合于高压高开关频率应用领域。 在简单介绍发射极开关原理及其从离散到积分方程的推演之后，本文还介绍了和有效基极驱动方法有关的全部知识，因此本文也能为功率变换器设计工程师提供有益的帮助。     

用突破压力法确定堵剂在油藏中的封堵位置

为了能更准确地预测堵剂在油藏中的封堵位置,提出了堵剂突破压力法。以铬冻胶为例,首先测定不同配方堵剂在不同渗透率条件下的突破压力,然后根据地层参数及油水井条件,绘制高渗透层的压降曲线。当堵剂的突破压力高于其在高渗透层中所承受的压差时,就能封堵住高渗透层,这一位置就是堵剂的封堵位置。应用突破压力法,不仅可以确定堵剂在地层中应放置的位置,还可以正确组合堵剂并计算堵剂的用量。