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952.
953.
采用两步恒流电沉积结合热处理的方法制备锡锑铜氧(Sn-Sb-Cu-O)合金电极材料;通过SEM、能谱(EDS)、XRD、恒流充放电及循环伏安实验,研究样品的性能。当电沉积的阴极电流密度为5 mA/cm2,Cu基体上电沉积Sb与Sn的时间分别为18 min和12 min时,所得Sn-Sb-Cu-O电极中Sn和Sb的物质的量比约为1∶1,在0.001~1.800 V充放电,首次循环的可逆比容量为1108.6 mAh/g,库仑效率为79%;第30次循环的可逆比容量为767.7 mAh/g。 相似文献
954.
导电纳米颗粒对Sb:SnO2薄膜性能影响研究 总被引:1,自引:1,他引:0
采用水热晶化法,通过控制水热反应条件、溶液的浓度以及矿化剂的种类等因素,制备出分散性及导电性良好的SnO2纳米颗粒.采用溶胶-凝胶浸渍镀膜的方法制备Sb掺杂SnO2薄膜,在镀膜溶液的配制过程中引入SnO2纳米颗粒悬浮液,经陈化后最终得到镀膜溶液.采用van der Pauw法、UV/VIS分光光度计以及Fourier变换红外光谱仪研究和分析了添加纳米颗粒对膜层导电性能、光学性能以及膜层结构的影响;采用场发射扫描电镜研究了膜层的表面形貌.结果表明导电纳米颗粒的加入可有效提高膜层的导电性能,当SnO2纳米颗粒添加质量分数为10%时,膜层的电阻率为6.5×10…3Ω·cm;添加和未添加纳米颗粒的膜层的可见光透过率均为85%.纳米颗粒参与了溶胶-凝胶制备薄膜网络的形成,提高了膜层结构的连续性,从而使膜层具有较好的导电性能和光学性能. 相似文献
955.
Nd:Gd3Ga5O12多晶原料合成及单晶生长研究 总被引:7,自引:2,他引:5
通过对晶体生长时和生长后原料挥发物的XRD分析,发现在炉膛内壁上的挥发物质是Ga2O3和Ga2O的混合物,而观察窗口及后加热器内壁上的挥发物主要是Gd2O3。为避免原料中Ga2O3的挥发,按化学计量比配料,在1300℃下,采用固相反应法合成了Nd:Gd3Ga5O12(Nd:GGG)多晶原料。用此多晶原料,采用提拉法进行了Nd:GGG单晶生长研究,所获单晶的荧光发射峰位于1061.54nm。对晶体表面的开裂现象进行了分析。 相似文献
956.
957.
958.
959.
报道镓金属在碱性水溶液中激活芳香族羰基化合物进行Pinacol偶合反应。此反应产率较高,立体选择性好,但对脂肪族羰基化合物不适宜。 相似文献
960.