闭管扩散Zn对InP表面性质的影响

利用闭管扩散方法以Zn3P2为扩散源，在不同扩散温度和扩散时间下对非故意掺杂InP (100）晶片进行扩散. 用电化学C-V法（ECV）和二次离子质谱法(SIMS)分别测出了空穴浓度和Zn的浓度随深度的分布曲线. 结果表明扩散后InP表面空穴和Zn的浓度在扩散结附近突然下降，InP表面空穴浓度主要取决于扩散温度，扩散深度随着扩散时间的增长而变大，InP表面Zn浓度一般比空穴浓度高一个数量级. 另外对扩散后的样品进行光致发光（PL) 测试，表明在保证表面载流子浓度的同时，适当降低扩散温度和增加扩散时间能减小对InP表面性质的影响.     

高量子效率前照式GaN基p-i-n结构紫外探测器

研究了Al0.1Ga0.9N/GaN异质结p-i-n结构可见盲紫外探测器的制备与性能.p区采用Al组分含量为0.1的AlGaN外延材料形成窗口层,使340～365nm波段的紫外光可以直接透过p区到达i区并被吸收,有效提高了这个波段的响应率与量子效率.并且研究了不同p区AlGaN外延层厚度对探测器性能的影响,制备了两种不同p区厚度(0.1μm和0.15μm)的器件,测试结果表明,p区的厚度对200～340nm波段光吸收的量子效率影响较大,而i区的晶体质量的提高可以有效提高340～365nm波段光吸收的量子效率.并且当p区AlGaN厚度为0.15μm时,器件的峰值响应率达到0.214A/W,在考虑表面反射时外量子效率高达85.6%,接近理论极限,并且在零偏压时暗电流密度为3.16nA/cm2,表明器件具有非常高的信噪比.     

使用Pb_(1-x)Ge_xTe材料提高红外薄膜光学器件温度稳定性

提高薄膜光学器件温度稳定性的一条途径是根据光学薄膜器件的稳定性理论 ,选择两种具有相反折射率温度系数的材料组成膜系 ,使材料随温度变化引起的位相变化相互抵消。但很难找到折射率温度系数可以完全相互抵消的两种材料 ,因此有必要找到一种折射率温度系数可以调节的材料。研究表明 :红外长波材料 Pb1-x Gex Te的折射率温度系数可以随 Ge组分 x的改变而改变。研究结果证明使用 Pb1-x Gex Te材料 ,薄膜光学器件温度稳定性得到了很大的提高。     

改性环氧涂层的防腐蚀性能研究

采用电化学阻抗谱法,冷热交变实验和湿热实验考察了三种不同固化剂固化的环氧涂层防腐蚀性能。结果表明：以吗啉Mannich碱固化的环氧涂层在金属/涂层界面的憎水性有所提高,具有较好的防腐蚀性能。     

嵌入式系统和小卫星星务管理系统

小卫星星务管理系统(简称星务系统)是卫星正常工作的核心系统.小卫星星务系统的研制是嵌入式系统在航天领域的应用.本文对嵌入式系统的发展情况及特点进行了综述,又对嵌入式系统开发的一般方法,包括实时操作系统(RTOS)作了介绍.然后介绍了已发射的小卫星星务计算机的一些信息,并针对小卫星的特殊性,提出了小卫星星务系统研制中需要考虑的因素.     

碲镉汞材料制备及其评价

红外辐射是介于可见光和微波之间的电磁波,波长从0.75微米到1000微米,覆盖光谱区之宽是可见光、X光等其它有意义的电磁波段不能相比的,因而也包含更多的内容,有更多的应用.为了研究红外辐射,制造红外器件乃至红外系统是必不可少的,所以制备具有特殊红外功能的材料,如红外辐射材料、红外光学材料、红外探测材料、红外隐身材料,就成了发展红外技术的先决条件.这些材料中以红外探测材料最为重要.     

γ辐照对InGaAsP/InP单光子雪崩探测器性能的影响

对InGaAsP/InP单光子雪崩探测器（SPADs）进行了总剂量为10 krad（Si）和20 krad（Si）的γ辐照,并进行了原位和移位测试。辐照后,暗电流和暗计数率有轻微的下降,而探测效率和后脉冲概率基本不变。经过一定时间的室温退火后,这些退化基本恢复,这表明瞬态电离损伤在γ辐照对InGaAsP/InP单光子雪崩探测器的损伤中占主导地位。     

室温下高探测效率InGaAsP/InP单光子雪崩二极管

我们描述了一种高性能平面InGaAsP/InP单光子雪崩二极管（SPAD）,该二极管具有单独的吸收、分级、电荷和倍增（SAGCM）异质结构。通过电场调节和缺陷控制,SPAD在293 K的门控模式下工作,光子探测效率（PDE）为70%,暗计数率（DCR）为14.93 kHz,后脉冲概率（APP）为0.89%。此外,在死区时间为200 ns的主动淬灭模式下工作时,室温下实现了12.49%的PDE和72.29 kHz的DCR。     

MBE脱氧条件与InGaAs/InP APD性能的相关性

InP基InGaAs/InP雪崩光电二极管（APD）对近红外光具有高敏感度,使其成为微弱信号和单光子探测的理想光电器件。然而随着先进器件结构越来越复杂,厚度尺寸从量子点到几微米不等,性能越来越受材料中晶格缺陷的影响和工艺条件的制约。采用固态源分子束外延（MBE）技术分别在As和P气氛保护下对InP衬底进行脱氧处理并外延生长晶格匹配的In_0.53Ga_0.47As薄膜和APD结构材料。实验结果表明,As脱氧在MBE材料质量方面比P脱氧具有明显的优势,可获得陡直明锐的异质结界面,降低载流子浓度,提高霍尔迁移率,延长少子寿命,并抑制器件中点缺陷或杂质缺陷引起的暗电流。因此,As脱氧可以有效提高MBE材料的质量,这项工作优化了InP衬底InGaAs/InP外延生长参数和器件制造条件。