基于阳极氧化法的TiO2纳米管制备及生成过程分析

运用阳极氧化法制备TiO₂纳米管，探讨了TiO₂纳米管紫外光催化净化头孢噻肟钠抗生素废水的效果，采用扫描电镜（SEM）和X射线衍射仪（XRD）对TiO₂纳米管进行了表征分析。SEM结果显示，制备的TiO₂材料表面呈阵列排布的多孔状，内径大小均匀，管径分布在30~45nm之间，管阵列呈蜂窝状，与钛板表面垂直，对比煅烧前后的TiO₂纳米管XRD图，发现煅烧后样品的XRD图出现了TiO₂锐钛矿型特征衍射峰和金红石型特征衍射峰。讨论了TiO₂纳米管的生成机理，认为纳米管的形成过程主要有最初氧化层的形成、孔核的形成、由孔核演变成微孔、微孔生长并出现空隙、形成纳米阵列管过程。     

GO@TA-Fe/PVDF纳米复合材料制备与介电性能

为降低氧化石墨烯（GO）/聚偏氟乙烯（PVDF）体系的介电损耗，本文采用单宁酸-铁配合物（TA-Fe）修饰GO表面，将改性GO和PVDF复合后制得了GO@TA-Fe/PVDF纳米复合电介质材料，研究了GO@TA-Fe对PVDF复合材料的微观形貌及介电性能影响。研究结果表明，TA-Fe包覆层强化了GO与PVDF基体间界面相容性及界面作用力，促进了GO在基体中均匀分散；TA-Fe界面层的存在显著降低了GO/PVDF漏导电流及损耗，归因于绝缘界面层有效阻止了GO之间直接接触，抑制漏导电流；TA-Fe用量对体系介电性能有明显影响，随TA-Fe用量增大，体系的介电损耗和电导率显著降低。与GO/PVDF相比，质量分数2%的GO@TA-Fe/PVDF在100Hz下介电常数为1000，而介电损耗由19.8降低为0.08。本研究制备的高介电常数及低损耗的柔性GO@TA-Fe/PVDF纳米电介质材料在电子器件及电力设备领域具有潜在应用。     

深部持续采动诱发断层活化滑移的灰色预测研究

深部持续采动诱发的断层活化滑移过程具有灰色系统的特征。基于某铜矿深部开采诱发断层活化滑移的现场实测数据,构建了GM(1,1)灰色预测模型。通过断层预测滑移量与实测滑移量对比分析,模型具有较高的精度。运用所构建的断层活化滑移灰色预测模型,对未来四期断层滑移量进行了预测,F2断层滑移量增速较快,与现场实际情况吻合。研究成果对于深部复杂采动影响下断层活化滑移量的预测具有重要的意义。