全文获取类型
收费全文 | 6663篇 |
免费 | 343篇 |
国内免费 | 200篇 |
专业分类
电工技术 | 470篇 |
综合类 | 498篇 |
化学工业 | 907篇 |
金属工艺 | 342篇 |
机械仪表 | 396篇 |
建筑科学 | 658篇 |
矿业工程 | 360篇 |
能源动力 | 203篇 |
轻工业 | 566篇 |
水利工程 | 294篇 |
石油天然气 | 240篇 |
武器工业 | 99篇 |
无线电 | 679篇 |
一般工业技术 | 524篇 |
冶金工业 | 353篇 |
原子能技术 | 91篇 |
自动化技术 | 526篇 |
出版年
2024年 | 19篇 |
2023年 | 84篇 |
2022年 | 94篇 |
2021年 | 114篇 |
2020年 | 107篇 |
2019年 | 184篇 |
2018年 | 144篇 |
2017年 | 87篇 |
2016年 | 77篇 |
2015年 | 111篇 |
2014年 | 261篇 |
2013年 | 190篇 |
2012年 | 217篇 |
2011年 | 162篇 |
2010年 | 236篇 |
2009年 | 237篇 |
2008年 | 203篇 |
2007年 | 254篇 |
2006年 | 253篇 |
2005年 | 199篇 |
2004年 | 180篇 |
2003年 | 201篇 |
2002年 | 172篇 |
2001年 | 203篇 |
2000年 | 202篇 |
1999年 | 276篇 |
1998年 | 214篇 |
1997年 | 217篇 |
1996年 | 234篇 |
1995年 | 275篇 |
1994年 | 214篇 |
1993年 | 232篇 |
1992年 | 212篇 |
1991年 | 189篇 |
1990年 | 189篇 |
1989年 | 170篇 |
1988年 | 68篇 |
1987年 | 65篇 |
1986年 | 71篇 |
1985年 | 49篇 |
1984年 | 57篇 |
1983年 | 52篇 |
1982年 | 51篇 |
1981年 | 41篇 |
1980年 | 49篇 |
1979年 | 17篇 |
1978年 | 15篇 |
1975年 | 6篇 |
1956年 | 5篇 |
1955年 | 5篇 |
排序方式: 共有7206条查询结果,搜索用时 312 毫秒
991.
用聚丙烯酰胺凝胶等电聚焦电泳技术对圆唇散白蚁的长翅成虫,工蚁、兵蚁与五种蜚蠊雌成虫的酯酶同工酶进行了比较研究.结果表明,圆唇散白蚁长翅成虫有11条酶带,工、兵蚁各有10条酶带.圆唇散白蚁与五种蜚蠊具4条共有酶带,其中,圆唇散白蚁与中华地鳖有8条共带,相似系数最高.酯酶同工酶可反映出等翅目与蜚蠊目昆虫的进化关系. 相似文献
992.
高效率平面磁控溅射器的研制 总被引:1,自引:1,他引:0
介绍一种新型磁控溅射装置。它采用两块极性相对的环状磁铁的设计方法,通过扩大靶表面的等离子放电区域面积,使传统磁控溅射枪使用中经常受到的两个限制──溅射速率与靶的利用率得到了较大的改善。实验中铜靶在溅射功率密度为11W/cm~2时溅射速率约为800nm/min,如果继续提高功率则可获得更高的速率。而靶的利用率可达64%左右。另外,在认为出射粒子符合cos~nθ分布的前提下,发现当n=3.3时,实验数据和理论数据符合得较好。 相似文献
993.
994.
995.
996.
997.
介绍了托盘共用系统的研究现状,并在现有托盘共用系统的基础上,提出一个改进的托盘共用系统.基于改进的托盘共用系统,建立了托盘共用系统托盘回收随机规划模型,模型中考虑了需求和运输能力不确定等因素,采用机会约束规划方法对模型进行了确定性等价转换.通过算例进行了数值求解和数值分析,验证了模型的有效性,得出了一些有意义的结论. 相似文献
998.
链霉亲和素的产生、纯化和鉴定 总被引:2,自引:1,他引:2
本文报道链霉亲和素(streptavidin.SA)的产生、纯化和主要特性鉴定。根据Streptomycesavidinii菌对碳、氮源的需求,配制成特定培养基,在28℃±1℃摇床培养S。avidinii 10天,SA产量为10~50mg/L。用2-亚氨基生物素琼脂糖凝胶层析纯化,每升培养上清平均可提取SA20~30mg。所得SA电泳出现2~3条区带,分子量为64562,等电点为6.0,紫外吸收扫描图谱与Sigma产品相似,SA活性平均为14.4 μg/ml,表明自制SA可供实际应用。 相似文献
999.
设计了一套材料表面改性试验装置,对其放电特性以及由丝状放电向准辉光放电转变的条件进行了试验。利用发射光谱技术和电压电流测试技术,研究了常温常压下空气介质阻挡放电所加电压和输入能量对N2(C^3Πu→B^3g)发射光谱强度的影响。N2(C^3Πu→B^3Πg)的发射光谱强度随放电电压及输入能量的增加而增强,当电压(频率)和输入能量增大某一值后,N2(C^3Πu→B^3g)的发射光谱强度增强速率变大,介质阻挡放电从丝状放电过渡到准辉光放电模式,产生均匀分布的发光现象,这非常有利于对薄膜和金属材料表面的改性。 相似文献
1000.