溅射气压对ZrO2薄膜微结构与光学性能的影响

利用射频反应磁控溅射在显微玻璃、单晶硅片、NaCl和石英上沉积ZrO2薄膜.膜厚60～80nm.研究发现,溅射气压升高,薄膜结晶程度降低,同时存在单斜相和四方相;晶粒尺寸增大;折射率上升;透射率在700～1000nm波段上升.这些结果表明溅射气压影响ZrO2薄膜生长机制、微观结构和成份,进而影响其光学性能.     

氧分压对反应磁控溅射ZrO2薄膜光学透射率的影响

从氧空位、表面粗糙度及晶界三方面,讨论了氧分压对射频反应磁控溅射ZrO2薄膜光学透射率的影响.结果表明,随氧分压增大,氧空位的减少使单斜相逐渐占优,缺氧状况的改善使薄膜透射率逐渐升高;高氧分压下,出现颗粒聚集现象,表面粗糙度大幅增加及晶粒的聚集长大,使薄膜透射率下降.     

循环流化床炉内传热特性分析

该文分析了循环流化床锅炉的炉内传热特性，分析比较了循环流化床锅炉与煤粉炉在传热特性上各自的特点，并以实例计算验证了循环流化床炉内传热特性的正确性。     

综合自动化系统VQC实现方式的探讨

综合自动化变电所监控系统软件VQC的方式，在实际运行中存在一些不足，文章结合VQC软件调试及运行维护的实践，就VQC运行监控模式、闭锁策略、控制方案的选择等方面提出改进建议，并介绍相应的有效措施。     

市场调查人员个性特征与调查效果研究

以135名杭州市市场调查人员为被试,使用艾森克人格问卷(EPQ)测定人格维度,以"项目完成率"、"完成质量"2个客观指标与"责任心"、"热情"2个主观指标为评价标准,综合论述了市场调查人员个性特征与调查效果的关系。结果发现:市场调查人员个性特征与调查效果之间有一定关系,其中"精神质"是影响调查效果的重要因素。低精神质,外倾,且神经质得分较高和较低者调查效果好。     

HL-2A装置真空室总体检漏

介绍中国环流器2号A偏滤器托卡马克装置真空室总装检漏及结果.根据其真空室特点设计了不同结构的检漏子系统,用氦质谱检漏仪、四极场质谱计与氦质谱检漏仪相结合的方法(双质谱法)分别进行零部件和真空室总体检漏,对有关检漏技术问题进行了讨论.     

PCVD在狭缝内壁沉积Ti-Si-N薄膜的研究

用脉冲直流等离子体辅助化学气相沉积(PCVD)设备在狭缝的侧壁上沉积Ti-Si-N薄膜.经微观物相分析发现,在狭缝的侧壁上随着测试深度的增加,薄膜中Ti元素逐渐减少,Si含量增加,薄膜的相组成始终为nc-TiN/Si3N4.利用球痕法测定了各深度处薄膜的厚度,显微硬度仪测试了侧壁上深度不同位置处薄膜显微硬度.实验结果表明,随测试深度增加,薄膜厚度和显微硬度下降.     

沉积温度对ZrO2薄膜相结构和透射率的影响

利用射频反应磁控溅射在显微玻璃、单晶硅片、NaCl片和石英上沉积ZrO2薄膜.薄膜厚度80 nm～100 nm.利用X射线衍射仪、透射电子显微镜、X射线能谱仪、分光光度计和原子力显微镜研究了沉积温度对薄膜相结构和O/Zr、透射率的影响.研究发现,沉积温度升高,非晶相减少,结晶相增多;晶粒尺寸增大;沉积温度为370 ℃,透射率明显下降.     

ZnO薄膜的制备和结构性能分析

ZnO作为一种宽带隙半导体材料,近几年来已经成为国际上紫外半导体光电子材料和器件领域的研究热点.激光分子束外延(L-MBE)系统是获得器件级ZnO外延薄膜的先进技术之一.高质量精密ZnO陶瓷靶材对于该工艺的实施是十分关键的,本文中采用高纯原料,在洁净条件下制备了大面积、薄片型、尺寸可控的符合理想化学配比的高纯ZnO陶瓷靶材.采用所制备的靶材,利用L-MBE技术在(0001)蓝宝石基片上进行了ZnO薄膜的外延生长,在280 ℃～300 ℃低温条件下所生长的薄膜样品具有(0001)取向的纤锌矿晶体结构,薄膜光学性能良好,论文中对ZnO薄膜的低温L-MBE生长机理进行了探讨.     

石英衬底上的BPxN1-x薄膜沉积及P对其光学带隙调制的研究

以光学石英为衬底,采用热丝辅助射频等离子体增强化学气相沉积方法(HF-PECVD)沉积了BPxN1-X薄膜.通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱(EDAX)、紫外-可见(UV-VIS)等测试手段研究了薄膜的化学组成、结晶状况,以及P元素掺杂对BPxN1-X薄膜材料光学带隙的调制规律.结果表明,所沉积薄膜具有多晶团聚、定向生长的特点,其表面形貌随时间而变化,最后发展成多晶球状密堆成膜,与石英衬底结合牢固.BPxN1-x薄膜的磷元素相对含量随磷烷流量增加而增加,光学带隙相应窄化.通过控制磷的掺杂量可以有效调整该薄膜材料的光学带隙.