多晶硅TFT有源层晶粒间界的研究

由于多晶硅薄膜晶粒间界存在大量的悬挂键与缺陷，形成带隙能态，从而导致在有源层中形成载流子陷阱和杂质分凝，本文从微观方面解释悬挂键形成带隙能态的原因极其影响，并给出降低带隙密度的方法-氢化。     

聆听自然春之歌——“魔笛”S2有源多媒体音箱试听手记

本次评测的新德克“魔笛”S2多媒体音箱是一款能满足所有非发烧级用户要求的产品,虽然外形上仍旧走传统木质的路线,但其不俗的电气设计以及选材用料却为回放优质音乐铺好了基石。外观及选材“魔笛”S2音箱的箱体全部采用优质MDF板,表面贴装进口PVC材料并喷涂钢琴漆。箱体正面覆     

光接入网技术发展掠影

从光接入网的概念出发，介绍了光接入网的接入、应用类型及传输技术等，并阐述其主要发展趋势。     

900MHz CMOS锁相环/频率综合器

采用TSMC 0 .2 5μm CMOS技术设计实现了高速低功耗光纤通信用限幅放大器.该放大器采用有源电感负载技术和放大器直接耦合技术以提高增益,拓展带宽,降低功耗并保持了良好的噪声性能.电路采用3.3V单电源供电,电路增益可达5 0 d B,输入动态范围小于5 m Vpp,最高工作速率可达7Gb/ s,均方根抖动小于0 .0 3UI.此外核心电路功耗小于4 0 m W,芯片面积仅为0 .70 mm×0 .70 m m.可满足2 .5 ,3.12 5和5 Gb/ s三个速率级的光纤通信系统的要求.     

一种有源和无源综合探测系统的研究

探讨和研究有源和无源综合探测系统工作模式和特点，重点分析了时差定位的精度分布、多基地的微波通信链路和高精度的时间同步技术。     

宽禁带半导体技术对有源相控阵雷达发展的影响

宽禁带半导体技术包括宽禁带半导体(WBGS)材料，宽禁带半导体器件(WBG devices)与其制造工艺、测试等，是当前半导体技术发展的一个重点。作者介绍了宽禁带半导体技术的发展简况及其对雷达特别是有源相控阵雷达发展的重要影响，对有源相控阵雷达的发展趋势也进行了讨论。     

信息技术进入大集成时代

20世纪半导体元器件的集成化技术深刻地改变了信息技术乃至整个人类文明进程。相比之下，半导体元件以外的各类信息元件（如无源电子元件、光电元件等）的集成化进程则步履维艰，进入21世纪以来，社会的发展对于信息技术提出的一个重要挑战就是任何使各类元件均将走上20世纪半导体元件走过的道路，全面实现集成化。尽管这一问题的解决难度非常大，其复杂性和艰巨性远远大于半导体元器件的集成，目前已出现了一些可喜的研究进展。本文从无源集成、无源-有源集成，以及光集成三个方面对这一新趋势进行评述。