热释光探测器在脉冲硬X射线能谱测量中的应用

介绍了TLD－3500热释光读出器和GR－100M型热释光剂量片构成的探测器在脉冲硬X射线辐射参数测量中的应用。详细论述了采用滤波荧光法与热释光探测器相结合测量10－10keV的硬X射线能谱的物理思想，在综合考虑了测量环境的具体情况下，设计研制了硬X射线测量系统，建立了热释光探测器对硬X射线绝对能量响应的标定方法。该方法已成功用于脉冲辐射装置“强光1号”的测量，并得到了实测数据。     

新型无机闪烁体CeF3的时间特性研究

CeF3是新型快响应无机闪烁体．对近年国内研制的CeF3无机闪烁体的时间特性进行了研究，包括脉冲辐射诊断所关心的CeF3对快脉冲γ辐射源的时间响应．如上升时间、半高竟、脉冲后沿；同时推算并使用了用脉冲法获得晶体发光衰减常数的简单估算公式，获得的CeF3衰减常数值与国外研究同行其它测量方法得到的结果基本一致。     

核探测器的二线制电路

描述了一种核探测器二线制电路的原理和性能，并应用于核料位计中，与传统的多线制探测器相比有明显的优越性．     

强脉冲离子束材料表面改性研究进展

强脉冲离子束材料表面改性技术是正在发展中的新的材料表面改性技术。近四、五年来,我们围绕发展强脉冲离子束材料表面改性技术对其主要机制(强脉冲能量效应)、离子辐照诱发的热力学过程、表面熔坑现象及大面积均匀离子束技术开展了比较全面的基础性研究。研究表明,强脉冲离子束改性除了离子注入的元素掺杂效应外,其更可利用强脉冲能量沉积诱发的热力学效应,有望突破离子射程对改性层厚度的限制,并高效利用离子剂量和能量,成为新一代低成本、高效率、高生产率、实用化的离子束材料改性与合成工艺。本文对于上述研究的主要进展和相关问题进行了总结和评论。     

强脉冲离子束在金属中引起的应力波效应

金属在强脉冲离子束辐照及其后的快速冷却过程中所经历的应力过程是强脉冲离子束金属材料改性的最重要的机制之一。对应于这种过程，金属材料的微观结构和微硬度发生了改变。本文以45＃钢和纯铝为样品，将实验中测量到的不同强度的强脉冲辐照后样品微硬度和微观结构的变化与热力学计算所描述的热力学过程相对照，解释了出现微硬度双峰是由于应力波的形成和传播使然，并预言了由于应力波的在样品背面的反射，在较强能通量的强脉冲离子束辐照下样品背表面一定深度处也会出现微硬度增加的现象，该现象已被实验所证实。     

HT-7U NbTi 管内电缆导体瞬态稳定性的实验研究与分析

在SULTAN 测试设备上进行了含分离铜股线CICC瞬态稳定性的实验研究,应用脉冲场对样品的脉冲场区域(390 mm)进行感应加热,发现设计的含分离铜股线CICC能够经受住很大的瞬态磁扰动,分析了这个现象的原因,并就股线上的电阻层对稳定性的影响进行了分析,对4个CICC导体的稳定性差异进行分析和稳定性裕度的理论计算,由理论计算值和实验测量值进行比较分析,为HT-7U纵场和极向场NbTi CICC的选择提供实验依据.     

快响应无机闪烁体CeF3的时间特性研究

CeF3是一种新型的适合脉冲γ测量的快响应无机闪烁体。本工作采用上升时间约为0．8ns、半高宽为1．5～2．2ns的脉冲辐射源，对CeF3与光电管构成探测器的时间响应进行了测量。多组实验测量结果表明：CeF3的脉冲响应前沿时间小于2ns，半高宽约10ns，波形响应后沿约60ns，平均发光衰减常数为20～30ns。     

9MeV无损探伤电子直线加速器用脉冲调制器研制

核技术所62室研制的脉冲调制器是9 MeV无损探伤电子直线加速器的重要组成部件之一,它的负载是MG5193型磁控管和电子枪。 其设计指标为:脉冲峰值电压,48 kV;脉冲峰值电流,110 A;电子枪脉冲峰值电压,10.6 kV(1档),11.3 kV(2档);电子枪脉冲峰值电流,500 mA;脉冲半宽度(71%) ,4.2 m     

双向不对称脉冲电源实现电路的设计

针对一新型表面处理工艺，设计了一种符合工艺要求、可输出双向不对称脉冲的高压脉冲电源实现电路。该电源的脉冲幅度、脉冲频率、脉冲占空比均可在一定范围内连续可调，并为此设计了以单片机为核心的智能控制电路。为保证控制电路在电源中可靠工作，采取了一些抗干扰措施。     

交流电压灭磁的现场试验与应用

本文对葛洲坝二江电厂励磁系统灭磁原理及其存在的问题进行了分析，介绍了几种解决问题的方案，并对其进行了比较，详细介绍了交流电压灭磁实现方法和应用情况。