利用雨量雷达构建面雨量自动监测系统

雨量雷达是专门适用于气象目标中降雨量定量测量的雷达设备,高分辨区域面雨量自动监测系统则是应用雨量雷达进行区域内雨量监测,监测系统通过雨滴谱仪与模型算法解决衰减订正和雨量数据计算准确度问题,可以方便地获得区域内的降雨分布情况和有效的降雨量,与常规单点雨量定量测量相比,在较大区域内测量雨量,整体上精度高,成本低。经过大理监测区域的验证,面雨量自动监测系统具备较高的测量精确度,具有较好应用前景。     

密集式MIMO声呐高分辨成像实验研究

为验证密集式多输入多输出(Multi-Input Multi-Output,MIMO)声呐高分辨成像算法的有效性,进行了水池实验并获得了期望的高分辨成像结果。首先,将成像算法分为角度维高分辨成像和距离维高分辨成像两种,分别建立了各自的成像处理流程。角度维高分辨成像基于虚拟阵列波束形成算法,距离维高分辨成像基于大带宽信号合成算法。然后,根据两种处理流程选择合适的发射信号和阵型,并据此搭建密集式MIMO声呐高分辨成像平台进行水池实验。最后,通过与传统单输入多输出(Single-Input Multi-Output,SIMO)声呐的成像结果进行对比,证明了MIMO声呐可结合发射信号、阵型和相应的处理流程获得更高的角度分辨率和距离分辨率。     

金红石型二氧化钛的无机有机包膜研究

为提高二氧化钛的颜料性能和分散性,以六偏磷酸钠为分散剂,用化学液相沉积法对金红石型二氧化钛初品进行了锆、铝氧化物无机包膜,然后再对其进行有机包膜.研究了无机包膜过程中二氧化钛的分散、浆液pH、反应时间、浆料温度对二氧化钛蓝光白度(Wr和光泽度(L)的影响,得到包覆锆、铝氧化物的优化工艺条件.经无机包膜明显改善了样品的白度和光泽度.并用透射电镜(TEM)和X射线光电子能谱(XPS)对二氧化钛样品进行了表征.最后对经过无机、有机包膜后的二氧化钛进行了各种颜料性能(遮盖力、相对消色力、细度、吸油量)检测和沉降性实验,结果表明其颜料性能和分散性得到明显改善.     

硅烷偶联剂对纳米ZnO的表面修饰

江苏工业学院的宗封琦等人利用硅烷偶联剂对纳米ZnO进行表面改性。红外和高分辨投射电镜分析结果表明,在纳米ZnO的表面形成厚度为2nm的硅烷偶联剂包覆层。湿润型实验表明,经硅烷偶联剂改性的纳米ZnO由亲水性变成了疏水性。     

固体高分辨核磁共振在水泥化学研究中的应用

介绍了强功率质子去耦、交叉极化、魔角旋转和多脉冲去耦等固体高分辨核磁共振技术的原理，以及固体高分辨率^27Al和^29Si NMR在水泥熟料矿物分析、水化产物分析和水化过程、火山灰反应及与混凝土碱集料反应研究中的应用状况。     

埃洛石纳米管/白炭黑并用补强NR的研究

研究埃洛石纳米管(HNTs)用量对NR/HNTs复合材料以及NR/HNTs/白炭黑复合材料性能的影响,试验结果表明,HNTs用量为40份时,NR/HNTs复合材料的综合物理性能较好;当HNTs/白炭黑/小分子氢键配体T的用量比为20/20/1时,NR/HNTs/白炭黑复合材料的物理性能、加工性能和热稳定性均较好.扫描电镜和透射电镜分析表明,HNTs和白炭黑均能在NR基体中均匀分散.     

高分辨力空间相机的光学系统研究

高分辨力空间相机的光学系统决定相机的外形尺寸和布局,为了相机的小型、轻量化和结构稳定,对某一种光学设计指标要求,分析比较多种光学系统结构是有必要的。本文针对在太阳同步轨道上用TDI CCD 推扫方式成像的高分辨力可见光相机,设轨道高度为500公里,地面像元分辨力达到 0.5米,用 CODE V 软件分析研究了六种可能的相机光学系统结构,得到不同相对孔径和不同视场角的光学设计结果,并给出了可供参考的六种光学系统设计结果数据。在实际工程应用时应根据不同的地面覆盖宽度的需求确定光学系统视场角,然后根据不同的视场角选定能满足这个视场角要求并尺寸最小的光学系统结构形式。     

一种新型DC100A电流源标准的设计

介绍了一种利用最新研发的电子元件和电流检测技术设计的DC 100A直流电流标准装置.该标准采用"ZERO-FLUK"技术解决了电流采样单元的零温漂、零功耗问题;采用高分辨力数模转换控制电路解决了系统控制精度和稳定性的问题.     

非晶Er2O3高 k栅介质薄膜的制备及结构特性研究

采用高真空反应蒸发法在未加热的P型Si(100)衬底上实现了非晶Er2O3高k栅介质薄膜的生长.俄歇电子能谱证实薄膜组分符合化学剂量比. X射线衍射、反射式高能电子衍射和高分辨透射电子显微镜测量表明,不但原位沉积的薄膜足非晶结构,而且高真空700℃退火30min后样品仍保持了良好的非晶稳定性.原子力显微镜检测显示高真空退火有利于改善薄膜的表面形貌.退火后,Er2O3薄膜获得了平整的表面.电容.电压测试得到薄膜的有效介电常数为12.6,EOT为1.4nm,在1MV/cm时漏电流密度为8×10-4A/cm2.这些特征表明非晶Er2O3薄膜是一种较好的高k栅介质候选材料.     

分子束外延PbTe/Cd 0.98 Zn 0.02 Te异系材料的微结构特性研究

采用分子束外延方法在Ⅱ-Ⅵ族Cd0.98Zn0.02Te(111)衬底上实现了异系Ⅳ-Ⅵ族半导体(PbTe)的外延生长.原子力显微镜(AFM)的表面形貌表征表明,PbTe表面形貌主要由三角形台阶线和螺旋形台阶面构成;理论计算表明,螺旋形台阶面的分布受到滑移位错弹性应变能的影响.通过高分辨透射电镜(HRTEM)观察,发现在PbTe和Cd0.98Zn0.02Te界面处存在Frank位错.分析表明,这些Frank位错在运动过程中会形成不同的位错组态,位错组态的相互作用是表面上形成三角形台阶线和螺旋形台阶面的主要原因.