电力零售核心业务架构与购售电决策

随着电力工业改革的不断发展和智能电网的兴起,现代电力系统正逐步演变为更加复杂的信息物理融合系统。未来电力系统中将同时融合可再生能源、分布式发电设备、储能设备、智能表计、需求响应等新技术与新机制。在电力零售市场环境下,这些新技术与新机制给零售公司带来了严峻挑战,需要发展新的决策机制与方法。随着中国新一轮电力市场化改革的逐步深化,多个区域的电力零售市场也正在逐步建立和运营。为了给国内构建完整的竞争性电力零售市场提供有益的参考,并帮助相关研究学者和技术人员更好地了解电力零售市场的研究现状,文中首先介绍了一些主要国家的电力零售市场情况,然后以澳大利亚和芬兰为例,详细说明了电力零售公司的组织结构和购售电业务流程。接着,比较系统地综述了近年来国内外电力零售决策方面的研究进展,包括零售负荷预测、零售公司购电策略、零售定价策略、零售风险管理等。最后,讨论了电力零售研究领域的一些关键问题和未来可能的发展方向。     

InP／SiO2纳米颗粒膜的非线性光学性质

采用射频磁控共溅射方法在石英玻璃和抛光单晶硅片上制备了InP/SiO2纳米复合薄膜,并在磷气氛保护下对薄膜进行了高温(520℃)退火处理,以消除复合薄膜中残存的In和In2O3,得到了纯净的InP/SiO2纳米颗粒膜样品.X射线光电子能谱和卢瑟福背散射实验结果表明薄膜中InP和SiO2的化学组分基本上保持理想化学计量配比;X射线衍射和激光拉曼光谱实验结果都证实了薄膜中InP纳米晶粒的存在;线性吸收光谱实验观察到了室温下纳米颗粒膜光学吸收边明显的蓝移现象.采用单光束脉冲激光Z扫描方法测量了InP/SiO2纳米颗粒膜的非线性光学性质.测量结果表明,我们所制备的InP/SiO2纳米颗粒膜的三阶光学非线性折射率系数达10-8 cm2/W量级,比InP晶体块材的相应值大4个数量级.(OB3)     

二氧化硅超薄膜的扫描隧道显微镜和扫描隧道谱研究

用超高真空热氧化方法在Si(111)清洁衬底上生长了二氧化硅超薄膜，并利用超高真空扫描隧道显微镜和扫描隧道谱技术对超薄膜的表面形貌和局域电学特性进行了研究。结果显示，在超薄范围二氧化硅呈层状生长，不同层的微分电导谱所测禁带宽度差别可以达到约3eV，形貌对二氧化硅带宽的影响小于膜厚的影响。     

智能电网环境下基于大数据挖掘的居民负荷设备识别与负荷建模

利用数据挖掘技术对用户负荷大数据进行处理,既可以通过识别用电负荷设备来分析用户的用电行为习惯,又可以辅助进行负荷精确建模,实现精确而有目标性的需求侧管理或制定具有针对性的零售商售电策略。在此背景下,基于动态时间弯曲(dynamic time warping,DTW)的时间序列匹配方法,提出了一种低频负荷数据下的居民电器设备识别方法。首先,将负荷数据分割成单负荷设备运行和多负荷设备同时运行2种情况下的负荷子序列;然后,依据待识别子序列的时间长度,参照实测的电器设备耗电功率数据,生成与其时间长度一致的电器设备耗电功率参考序列,其中包含了从电器设备启动前一时刻至设备关闭后一时刻的功率变化情形;最后,以DTW距离作为相似性度量指标确定识别结果。对于由多负荷设备运行产生的负荷序列,提出了一种剔除已识别设备后将序列再次分割,如此交替进行的识别策略。在获得识别结果后,构建了居民负荷统计模型。借助于高效数据分析软件R语言平台,实现了所提出的算法,并使用500组负荷数据进行了数据实验。结果表明,在对负荷数据每min采样1次的情况下,所提出的负荷设备识别方法对单设备负荷序列识别的准确率超过93%,对多设备负荷序列识别的准确率接近83%。     

基于移动通信网络的机器人遥操作

提出了一种基于移动通信网的多机器人遥操作方案,解决了在恶劣的移动环境中如何保证系统稳定性,并进行具有实时力觉、视觉反馈的双向遥操作等问题。其中通过比较现存的各种视频压缩标准,结合关键帧提取、帧分割等技术,提出了一种移动网中的实时视频传输方案。一系列室外机器人群编队行进实验验证了方案的有效性。     

具有复合埋层的新型SIMON材料的制备

采用氮氧共注入方法制备了新型的 SIMON(separation by implanted oxygen and nitrogen) SOI材料 .采用不同的制备方法分别制作出样品并进行了结构测试和分析 ,发现 SIMON材料的结构和质量对注入条件和退火工艺非常敏感 .并对各种氮氧复合注入技术做了分析和比较 ,发现氮氧分次注入可以得到更好的结构和性能     

一种新的基于Kruppa方程的摄像机自标定方法

主要针对传统的基于Kruppa方程的摄像机自标定算法的欠鲁棒性提出了一种新的二步式标定方法．在新标定方法中，首先利用传统的LM优化算法或遗传算法求解出Kruppa方程中通常需要被消去的比例因子，然后再利用线性方法完成对摄像机的标定．大量的仿真和真实图像实验表明，该方法可以大大提高基于Kruppa方程标定算法的鲁棒性及标定精度．     

不平衡负载工况下三相变流器有源功率解耦控制

三相电压源型变流器(VSC)对于微电网的稳定运行有着重要的作用。然而,孤岛工况下带三相不平衡负载运行时,交流侧产生的二次脉动功率耦合至直流侧,导致系统的工作性能降低并影响系统的寿命。针对该问题,在二次功率脉动分析的基础上,提出了一种基于虚拟三相瞬时功率的解耦控制策略,通过控制虚拟三相瞬时功率脉动分量为0,在不增加开关器件的情况下,利用LCL滤波器中电容提供负载所需二次脉动功率,实现交直流侧二次脉动功率解耦。在此基础上进一步分析了该拓扑结构直流侧所需的最低电压以及电流应力影响因素。最后仿真和实验结果均表明所提控制策略可以较好地实现功率解耦控制,直流侧源电流二次脉动分量大大减小,有利于提高系统控制性能和实现直流侧电容轻量化。     

C+注入Si形成SiC/Si异质结构的椭偏光谱

用椭偏光谱法测量了(35keV,1.0×10118cm-2)和(65keV,1. 0×1018cm-2)C+注入Si形成的SiC/Si异质结构.应用多层介质膜模型和有效介质近似,分析了这些样品的SiC/Si异质结构的各层厚度及主要成份.研究结果表明:注35keV C+的样品在经1200 C、2h退火后形成的SiC/Si异质结构,其β-SiC埋层上存在一粗糙表面层,粗糙表面层主要由β-SiC、非晶Si和SiO2组成,而且β-SiC埋层与体硅界面不同于粗糙表面层与β-SiC埋层界面;注65keV C+的样品在经1250 C、10h退火后形成的SiC/Si异质结构,其表层Si是较完整的单晶Si,埋层B-SiC分成三层微结构,表层Si与β-SiC埋层界面和β-SiC埋层与体硅界面亦不相同.这些结果与X射线光电子谱(XPS)和横截面透射电子显微镜(TEM)的分析结果一致.