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应用射频磁控共溅射方法,分别在InP薄片与磁控靶底座紧接触(方法1)和InP薄片放在石英靶表面(方法2)两种情况下制备了InP/SiO2复合薄膜,并分别在高纯H2中和在P气氛中对薄膜进行了热处理。X射线光电子能谱表明,对于用方法1制备的复合膜,其SiO2中的氧缺位、P和In的氧化物的含量都比用方法2的少得多。X射线和卢瑟福背散射实验结果表明,在P气氛下的高温(520℃)热处理,可以彻底地消除这些氧缺位和氧化物而得到符合化学计量的InP/SiO2纳米颗粒复合薄膜。复合薄膜的光致发光特性与制备工艺密切相关。较详细地阐述了俘获态对光致发光影响的机理。 相似文献
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采用射频磁控共溅射方法在石英玻璃和抛光单晶硅片上制备了InP/SiO2纳米复合薄膜,并在磷气氛保护下对薄膜进行了高温(520℃)退火处理,以消除复合薄膜中残存的In和In2O3,得到了纯净的InP/SiO2纳米颗粒膜样品.X射线光电子能谱和卢瑟福背散射实验结果表明薄膜中InP和SiO2的化学组分基本上保持理想化学计量配比;X射线衍射和激光拉曼光谱实验结果都证实了薄膜中InP纳米晶粒的存在;线性吸收光谱实验观察到了室温下纳米颗粒膜光学吸收边明显的蓝移现象.采用单光束脉冲激光Z扫描方法测量了InP/SiO2纳米颗粒膜的非线性光学性质.测量结果表明,我们所制备的InP/SiO2纳米颗粒膜的三阶光学非线性折射率系数达10-8 cm2/W量级,比InP晶体块材的相应值大4个数量级.(OB3) 相似文献
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光在介质中的动量是理论物理学巾的著名Rudolf Peierls惊奇之一.对折射率为n的透明介质,1908年Minkowski提出,介质中的光动量是nE/c;而在1909年Abraham又提出,介质中的光动量应该是nE/c,这里E和c分别是光的能量和真空中的光速.理论分析表明,在狭义相对论框架下,作为能量一动量张量分量的光动量流密度,Abraham动量公式符合空间对称性要求而Minkowski公式则不符合,而且,Abraham动量可表示为相对论的形式P=mV(m=E/c2,V=c/n). 相似文献
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应用磁控共溅射技术和后退火方法制备了GaAs/SiO2纳米颗粒镶嵌薄膜,并分别应用原子力显微镜、X射线衍射和卢瑟福背散射实验来观测薄膜的形貌、相结构和化学组分.结果表明GaAs纳米颗粒的平均直径很小(约为1.5~3.2nm),且均匀地分布于SiO2之中,薄膜中的GaAs和SiO2组分都符合化学计量关系.应用脉冲激光高斯光束对薄膜的光学非线性进行了Z扫描测试和分析.结果表明,薄膜的三阶光学非线性折射率系数和非线性吸收系数都由于量子限制效应而大大地增强,在非共振条件下,它们分别约为4×10-12m2/W和2×10-5m/W,在准共振的条件下,它们分别约为2×10-11m2/W和-1×10-4m/W. 相似文献
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