X射线影像识别技术在GIS缺陷诊断中的作用

变电站地基下沉容易导致GIS内部导体结构发生变化,GIS设备导体的倾斜会引发设备故障。为了检测GIS设备导体的倾斜状态,针对某220 kV变电站出现的地基下沉问题,文中首先采用局部放电方法检测GIS设备内部结构是否存在故障问题,然后采用X射线数字成像技术对GIS设备导体进行X射线检测,利用GIS典型缺陷图像自动识别技术对得到的影像进行分类识别,从而确定了不同区域导体的倾斜状态,同时检测结果可以为变电站下一步的地基处理提供准确的理论依据。     

中压电力电缆用半导电屏蔽料电阻率温度系数研究

中压电力电缆半导电屏蔽层的附加损耗与体积电阻率相关。电缆工作温度上升,半导电屏蔽层电阻增大,则电缆tg δ变大,半导电界面热效应变坏,影响电缆使用寿命,因此半导电屏蔽层电阻率的温度特性应平稳。相应的,半导电屏蔽层所用半导电屏蔽料的电阻率温度特性也应平稳。通过研究半导电屏蔽料的电阻率温度特性,认为通过考核电阻率的温度系数来评估半导电屏蔽材料的电气性能稳定性是一种可行且操作简便的试验方法,并给出了电气热稳定性较好屏蔽料的电阻率温度系数α范围。     

功率半导体国产替代进程加快,两大国产IGBT厂商加速上市

华创证券分析师耿璨认为,随着5G带来的万物互联及基站、数据中心数量的迅猛增长,及汽车电子化程度的不断提升,MOSFET及IGBT有望持续放量,带动功率半导体市场实现较快增长。国金证券也认为,2021年,功率半导体将在需求增长+涨价+国产替代的利好驱动下迎来发展良机,产业链积极受益。     

核电磁脉冲双层开孔矩形腔体屏蔽效能研究

针对开孔的双层屏蔽腔体特点,采用传输线理论,建立了核电磁脉冲平面波照射下计算双层腔体屏蔽效能的等效电路模型,推导了近似计算的解析解,与仿真计算结果进行了对比,并计算分析了双层腔体两孔的相对位置、孔间距对屏蔽效能的影响。结果表明:两孔在偏离状态下泄漏进腔体内的电磁能量最少,屏蔽效能最高;两孔之间的距离增大,腔体的屏蔽效能和谐振频率随之变大。解析解与仿真计算的结果较为一致,验证了解析方法的有效性,为工程中快速计算双层腔体屏蔽效能提供了有效的参考。     

ADS实验大厅中子防护工程技术研究

为了保障加速器驱动次临界系统(ADS)散裂靶与反应堆耦合特性及影响验证实验的顺利进行,以原子能院现有的临界实验装置为基础,对堆厅部分墙体进行屏蔽改造。建造由聚乙烯、镉、铅、钢以及混凝土等材料构成的屏蔽装置,以防止临界装置产生的射线外泄,使工作人员受到的照射保持在合理水平。通过MCNP模拟计算,完成了屏蔽结构的优化设计。基于槽钢支撑结构、铅屏蔽层、镉屏蔽层和聚乙烯屏蔽层等材料组成的组合屏蔽结构建立简化模型,采用ANSYS有限元分析程序计算分析得出各部分应力小于许用应力,稳定性符合要求。最后通过工程实践,完成对屏蔽性能理论计算结果的验证。     

辐射屏蔽专用蒙特卡罗软件RShieldMC开发与验证

辐射屏蔽计算是核电厂辐射防护设计和审评的重要内容之一。国际屏蔽计算软件对中国实行"出口封锁",制约了我国核电辐射屏蔽审核计算能力,因此,研发了具有自主知识产权的基于蒙特卡罗方法的辐射屏蔽专用蒙特卡罗软件RShieldMC(Radiation Shielding Monte Carlo)。为了验证RShieldMC程序,进行中子注量率计算的准确性和适用性,利用秦山一期反应堆结构与辐照监督管相关参数,通过RShieldMC可视化前处理模块建立辐照监督管屏蔽计算模型,计算秦山一期反应堆辐照监督管堆芯中平面和上焊缝处的中子注量率。RShieldMC程序计算结果与辐照监督管实验测量值以及MCNP(Monte Carlo N-Particle)、JMCT-S(J Monte Carlo Transport)、TORT(Three-dimensional Neutron/Photon Transport)程序计算结果符合较好,验证了RShieldMC软件在中子注量率计算中的可用性及正确性。     

H62黄铜导体短路熔痕的凝固组织

采用火灾模拟试验制备了H62黄铜导体一次短路熔痕和二次短路熔痕,研究了不同熔痕的凝固组织。结果表明:一次短路熔痕具有明显的过渡区特征,熔珠状一次短路熔痕室温凝固组织为α相,呈枝晶形貌,锌元素质量分数低于32.5%,而凹痕状一次短路熔痕室温凝固组织为α相+β相,α相沿β相晶界呈针状向β相晶内析出,且α相的针状晶未贯穿β相晶界,锌元素质量分数高于32.5%。二次短路熔痕呈熔珠状,具有明显的过渡区特征,室温凝固组织为α相+β相,α相呈羽毛状,且其排列具有方向性,锌元素质量分数高于32.5%。