D001型阳离子交换树脂吸附L-苏氨酸

实验考察了温度、pH值、氯化铵和氯化钠浓度对D001型阳离子交换树脂吸附L-苏氨酸的影响,并测定了25 ℃时阳离子交换树脂吸附L-苏氨酸的吸附等温线.结果表明:阳离子交换树脂吸附L-苏氨酸的吸附率随温度的升高呈略下降的趋势,是个放热过程;pH值增大,吸附率下降;溶液中氯化铵或氯化钠浓度增大,吸附率迅速下降,且当氯化铵或氯化钠物质的量浓度达到1.0 mol·L-1时,L-苏氨酸在树脂上吸附量很小;25 ℃时,最大饱和吸附量约为70g·kg-1(树脂).     

曹雨微[1],2,刘远2,孔会民1,2,岳萍2,唐大才2,林彦军1,[3]

以MgCl2为晶面调控剂，利用水热法对氢氧化镁（MH）的（001）晶面选择性生长进行调控，研究了晶面调控剂浓度、反应温度、反应时间等因素对MH颗粒的溶解和结晶作用。调控后产品各晶面的XRD衍射峰强度I001/I101和I001/I110较原料分别提高了214.30%和307.45%，百吨级中试产品的I001/I101和I001/I110较原料分别提高了84.08%和112.99%。采用XRD、FE-SEM、TEM、FTIR、粒度分析仪对MH产品的形貌、结构进行了表征，并对调控机理进行了研究。结果表明，MgCl2可以在水热体系中促进MH的（001）晶面选择性生长。一方面，MgCl2作为强酸弱碱盐降低了体系pH值，同时Cl－可以通过电荷中和效应使MH发生进一步加速溶解。另一方面，MgCl2提供的Cl－作用于MH的结晶过程，通过促进MH边缘生长，强化了（001）晶面的生长。     

GaAs(001)薄膜的表面形貌相变和表面重构

从原子级平坦的GaAs(001)-β2(2×4)重构表面出发,结合Reflection High Energy Electron Diffraction(RHEED)衍射图像演变和不同尺度的Scanning tunneling microscope(STM)实空间扫描图像,获取GaAs(001)薄膜表面形貌相变和表面重构的重要信息,深入地研究GaAs(001)表面形貌相变和表面重构的相互促进关系。研究发现表面重构的变化是促使表面形貌发生相变的主要动力,单一表面重构组成的GaAs(001)表面形貌更容易处于有序平坦相,GaAs(001)表面预粗糙相则是由两种同类型或者重构原胞差异很小的表面重构交织混合形成,当表面由两种完全不同类型的表面重构交错混合形成时GaAs(001)表面形貌将进入粗糙状态。研究结果表明GaAs(001)表面重构是表面形貌发生相变过程的微观内在原因,而GaAs(001)表面形貌相变是表面重构发生变化的宏观外在体现。     

Correction of secondary ion mass spectrometry profiles for atom diffusion measurements

A simple method is proposed in order to correct experimental secondary ion mass spectrometry (SIMS) profiles. This method uses only one parameter which is experimentally accessible. It is tested in the case of As SIMS profiles in Si(001) acquired with three different primary ion beam energies: 1, 3, and 9 keV. This method is shown to give consistent corrections. The correction of SIMS profiles measured in a same sample with different analysis conditions leads to the same As distribution.     

2008版《电气简图用图形符号》系列国标的使用

配合2008版GB/T4728《电气简图用图形符号》系列国家标准,国家建筑标准设计图集修编完成了09DX001《建筑电气工程设计常用图形和文字符号》。介绍2008版国家标准中图形符号的特点和使用,以便于读者对国家标准和图集的使用和理解。     

Search for a wetting layer in thin film growth of para-hexaphenyl on KCl(001)

The non-existence of a strongly bound wetting layer for the system para-hexaphenyl (6P)-KCl(001) was verified by thermal desorption spectroscopy (TDS) and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The 6P films were grown by physical vapour deposition under ultrahigh vacuum conditions at 400 K. TDS showed just a single desorption peak even down to a coverage of 0.1 nm mean film thickness. The heat of evaporation for 6P was determined to 2.3 eV. From the change of the XPS K2p substrate signal as a function of the mean film thickness one can conclude that a strong de-wetting exists at the very beginning of the 6P layer growth at 400 K. Additional investigations with atomic force microscopy reveal that at this initial stage the film grows in a form of needle like islands with a high aspect ratio and subsequently terraced mounds of 6P are formed. No dissociation of 6P on KCl was observed.     

薄膜和量子点的外延生长(英文)

首先简短地综述了人们关于外延薄膜材料层状(layer-by-layer)生长机制的认识;给出了作者关于自组装量子点外延生长过程的评价和观点,强调了量子点自组装生长过程的复杂性和非线性性质。在对已经发表过的实验数据进一步分析的基础上,作者对一个量子点自组装生长形成所需要的时间作了一个估算,说明这是一个非常快的过程(<10-4s)。最后,作者提出了一个理解量子点自组装生长过程机制的模型。     

D001树脂分离-电感耦合等离子体发射光谱(ICP-OES)法测定UO_3中硫元素

采用D001阳离子交换树脂对UO_3样品中的阴、阳离子进行分离,用亚沸水平衡色谱柱并进行溶液淋洗,建立了电感耦合等离子体发射光谱(ICP-OES)法测定UO_3样品中硫元素的分析方法。在选定的实验条件下测定硫元素的检出限为0.24μg/mL,加标回收率在91.5%～98.5%,相对标准偏差分别为3.1%和3.2%。方法简便、快捷,准确度高,适用于UO_3中硫元素含量的测定。