成分配比对稀土钨电极材料组织及力学性能影响

通过固液掺杂、等静压压制、中频烧结的方法，制备了不同的氧化镧、氧化钇、氧化锆三元掺杂成分比例的钨电极材料烧结棒材，探究了不同成分配比对样品显微组织、第二相粒子分布以及宏观力学性能的影响。结果表明，氧化镧、氧化钇、氧化锆三元复合添加能够有效改善第二相粒子在钨基体中的分布形态，降低第二相在晶界的过度富集，提高钨电极材料的综合力学性能。并且当添加成分镧、钇、锆质量比为3:1:1时，材料具有最好的综合力学性能，致密度可达96.04%，显微硬度可达549.37HV0.3，抗压强度可达3785MPa，原因是此配比下第二相粒子最为细小均匀，弥散程度最高，对基体晶粒的细化作用最好，该配比下钨基体平均晶粒尺寸达到10.3μm。     

低压静电场辅助冷冻对竹笋品质的影响

为研究低压静电场辅助冷冻对竹笋冻结特性的影响，以冻结曲线、硬度、水分损失率、水分迁移、冰晶形态和组织微观结构为指标，探究低压静电场辅助冷冻（－35 ℃）和普通冷冻（－35 ℃）条件下竹笋品质的变化规律。结果表明：低压静电场辅助冷冻提高了冻结效率，改变了冰晶形态及分布，减轻了组织微观结构破损程度，改善了解冻汁液流失情况。与静电板间距10、20、30、40 cm处的冷冻竹笋解冻后水分损失率分别为14.16%、12.58%、9.73%、10.44%，显著低于对照组（21.01%）（P＜0.05），硬度分别为461.19、507.48、496.65 g和455.31 g，显著高于对照组（350.70 g）（P＜0.05）。低场核磁共振分析结果表明，在低压静电场辅助冷冻下竹笋解冻后汁液流失减少，扫描电子显微镜观察结果显示，竹笋纤维排列整齐，组织微观结构保持较好。低压静电场辅助冷冻可有效改善竹笋品质，可为利用低压静电场进行果蔬的冷冻贮藏和冷链运输提供参考。     

Noncentrosymmetric Tetrel Pnictides RuSi4P4 and IrSi3P3: Nonlinear Optical Materials with Outstanding Laser Damage Threshold

Noncentrosymmetric (NCS) tetrel pnictides have recently generated interest as nonlinear optical (NLO) materials due to their second harmonic generation (SHG) activity and large laser damage threshold (LDT). Herein nonmetal-rich silicon phosphides RuSi₄P₄ and IrSi₃P₃ are synthesized and characterized. Their crystal structures are reinvestigated using single crystal X-ray diffraction and ²⁹Si and ³¹P magic angle spinning NMR. In agreement with previous report RuSi₄P₄ crystallizes in NCS space group P1, while IrSi₃P₃ is found to crystallize in NCS space group Cm, in contrast with the previously reported space group C2. A combination of DFT calculations and diffuse reflectance measurements reveals RuSi₄P₄ and IrSi₃P₃ to be wide bandgap (E_g) semiconductors, E_g = 1.9 and 1.8 eV, respectively. RuSi₄P₄ and IrSi₃P₃ outperform the current state-of-the-art infrared SHG material, AgGaS₂, both in SHG activity and laser inducer damage threshold. Due to the combination of high thermal stabilities (up to 1373 K), wide bandgaps (≈2 eV), NCS crystal structures, strong SHG responses, and large LDT values, RuSi₄P₄ and IrSi₃P₃ are promising candidates for longer wavelength NLO materials.     

A Voltage Control Method for a Distributed Line Feeder by means of Multiagent Approach

This paper proposes a method for the coordinated control of power factor by means of a multiagent approach. The proposed multiagent system consists of two types of agent: single feeder agent (F_AG) and bus agent (B_AG). In the proposed system, an F_AG plays as an important role, which decides the power factors of all distributed generators by executing the load flow calculations repeatedly. The voltage control strategies are implemented as the class definition of Java into the system. In order to verify the performance of the proposed method, it has been applied to a typical distribution model system. The simulation results show that the system is able to control very violent fluctuation of the demands and the photovoltaic (PV) generations.     

开关磁阻电机结构性转矩脉动抑制方法

开关磁阻电机具有结构简单、成本低和调速范围广等优势,但其双凸极结构和控制器的开关特性,导致存在转矩脉动现象,使得抑制转矩脉动成为焦点问题。首先从开关磁阻电机的结构和运行机理出发,针对线性解析方法难以分析转矩特征的问题,建立电机有限元模型求解出转矩特征并进行样机验证试验。分析样机结构参数对转矩脉动的影响,针对结构参数耦合问题,选择NSGA-Ⅱ算法在参数优化平台上对样机结构参数进行多目标寻优,在保证优化后样机的转矩脉动系数和平均转矩均优于初始电机的条件下,最终获得样机最优化结果。结果表明,不同结构参数对电机转矩的影响有较大的差异,对结构参数的优化能有效地抑制转矩脉动,该参数优化方法可以为开关磁阻电机结构性转矩脉动抑制提供参考。     

电压对电刷镀三价铬镀层性能的影响

在45钢表面电刷镀得到三价铬镀层,镀液组成和工艺条件为:Cr2(SO4)36H2O 0.4 mol/L,甲酸铵0.5 mol/L,氨基乙酸0.5 mol/L,H3BO30.6 mol/L,NaH2PO2 H2O 0.3 mol/L,pH=1.5,温度50°C,镀笔移动速率15 cm/s。研究了电压对镀铬层显微结构、表面粗糙度、厚度、显微硬度和耐磨性的影响。随电压增大,镀层厚度增大,显微硬度和耐磨性均先提高后降低。电压为14 V时,镀层的表面平整,粗糙度为2.387μm,显微硬度为602 HV,耐磨性最好。     

巨型水电站孤岛试验期间AVC电压波动的解决

本文首先分析国内典型的AVC的一般配置、控制策略和控制原理,针对巨型水电站孤岛试验期间的AVC控制的复杂工况进行阐述,对出现的AVC电压波动的情况进行分析,并对采用的解决方案进行介绍,为今后类似电站的孤岛运行期间的AVC电压控制提供一些参考建议。     

仪器仪表产品脉冲耐压试验要求和保护器件的选择

仪器仪表产品的脉冲耐压试验是产品型式试验、例行试验中的基本内容。通过对GB4793.1标准的整理,归纳了仪器仪表产品的脉冲耐压试验要求。通过对试验方法和设备特性的梳理,总结了特性参数,并介绍了应对脉冲耐压试验可采取的保护器件的类别及选用方法。     

基于关键路径延时检测的自适应电压缩减技术

为了减小传统的最差情况设计方法引入的电压裕量,提出了一种变化可知的自适应电压缩减(AVS)技术,通过调整电源电压来降低电路功耗.自适应电压缩减技术基于检测关键路径的延时变化,基于此设计了一款预错误原位延时检测电路,可以检测关键路径延时并输出预错误信号,进而控制单元可根据反馈回的预错误信号的个数调整系统电压.本芯片采用SMIC180 nm工艺设计验证,仿真分析表明,采用自适应电压缩减技术后,4个目标验证电路分别节省功耗12.4％,11.3％,10.4％和11.6％.