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1.
Abstract

A transfer admittance is treated as a two‐terminal network driven by cascaded dependent sources. By complex‐curve fitting, each of the four admittances of a conventional two‐port model can be approximated over a wideband with a rational function of frequency. A SPICE2‐acceptable R‐L‐C two‐port model can then be derived by applying continued fractions to the rational functions. Examples are included to demonstrate the applications of this method.  相似文献   
2.
A sub-circuit SPICE model of a MOSFET for low temperature operation is presented.Two resistors are introduced for the freeze-out effect,and the explicit behavioral models are developed for them.The model can be used in a wide temperature range covering both cryogenic temperature and regular temperatures.  相似文献   
3.
采用了计算注入干扰下电缆网络节点响应波形的时域电磁拓扑求解方法。在传输线SPICE模型和电缆网络节点SPICE模型的基础上,通过SPICE软件求解电缆网络时域响应波形,该方法可以简化传输线网络时域响应波形求解的过程。为验证方法的有效性,建立简单的传输线网络,并将传输线网络转换成SPICE网络,通过SPICE模拟计算处在注入干扰下各电磁网络节点处的电磁响应波形,利用方波噪声源进行实验,对两个选定网络进行脉冲注入。实验表明,所述方法与实测数据有较好的一致性,当传输线均匀时,影响传输线网络响应波形的因素主要有:(1)传输线中的时延;(2)传输线网络节点上的反射。  相似文献   
4.
为了在进行高速电路的分析时能够发挥FDTD与SPICE各自的优势,提出一种将FDTD与SPICE相结合的协同仿真方法.该方法的特点是用FDTD来计算互连部分,而接在互连网络终端的元器件通过SPICE来计算,二者在元件与互连线相连接的端口上进行计算数据的通信.介绍了FDTD-SPICE方法的基本原理和计算流程,并以比较器电路为例详细讨论FDTD-SPICE协同仿真分析的方法的全过程.  相似文献   
5.
In the paper, a new compact electrothermal model of the impulse transformer is proposed. This model has a form of a subcircuit dedicated for SPICE and could be used for low power impulse transformers applicable in switch-mode power supplies used in electronics. It takes into account simultaneously electric, thermal, and magnetic phenomena occurring in the considered device and describe nonidealities of the core and windings. The form of the elaborated model and analytical dependences describing all its components are presented. Correctness of this model is verified experimentally in a wide range of frequency and load resistance for selected constructions of transformers. Satisfactory agreement between the results of computations and measurements is obtained  相似文献   
6.
Desktop virtualization, which is to make the desktop virtual so that users can access any application through the network with any devices at any time and any place, is being widely used now as an emerging trend. However, it is important to further improve this approach while maintaining good user experience. Though the simple protocol for independent computing environments as a virtual desktop solution can achieve a user experience similar to an interaction with a local machine, there are still many deficiencies in it. For instance, it cannot apply to environment of high controllability of user, and the quality of graphic interactive experience is to be improved. In this paper, to meet QoE requirements of user, we build a feasible file transfer and sharing mechanism and propose a graphics subsystem optimization strategy based on simple protocol for independent computing environments (SPICE), namely Transparent Desktop. We also verify that the Transparent Desktop can provide users with ubiquitous desktop services of higher efficiency, stronger user‐controllability and better QoE through the experimental. Copyright © 2016 John Wiley & Sons, Ltd.  相似文献   
7.
A very simple subcircuit model for SPICE simulation of bipolar transistors affected by the avalanche multiplication mechanism is presented. The currently available models for bipolar transistors in circuit simulators do not consider this effect, which can lead to serious simulation errors when high-frequency thin basewidths transistors with low and soft breakdown voltages are simulated. The simulated results predicted by SPICE with the proposed subcircuit are compared with the measured data obtained from several transistors with low and soft breakdown voltages and a good agreement is reported.  相似文献   
8.
9.
从三层速率方程推导出多量子阱激光器的等效电路模型 ,并用数量而不是密度来描述载流子及光子行为 ,避开了传统方法中处处都要涉及到的体积参量 ,解释了传统的二层模型所不能解释的多量子阱 (MQW )激光器中多量子阱内载流子不均匀分布问题 ,用SPICE进行了调制特性的模拟及讨论。激光器件的模拟以层次性的方式实现 ,对使用EDA工具进行集成光学器件和系统仿真进行了探索。  相似文献   
10.
VLSI的计算机模拟模型研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
文俊 《微电子技术》2001,29(1):18-26
本文回顾了器件模型的发展历程,分析了在电路模拟中广泛使用的SPICE Leve13模型的器件输入、输出、衬偏、亚阈值等特性,指出该模型在模拟小尺寸器件时的不足之处,详细分析了影响MOS器件特性的主要小尺寸效应:自顾不暇 、窄沟道效应、非均匀掺杂效应、迁移率衰减效应、速度饱和效应、漏感应势垒降低效应、热电子效应、亚阈值电导等物理机理以及对器件性能的影响,分析了建立在上述多种效应基础之上的小尺寸器件的BSIM模型的机理(Berkley Short Channel IGFET Model)。  相似文献   
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