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该文基于掺钪AlN薄膜制备了高次谐波体声波谐振器(HBAR),研究了钪(Sc)掺杂浓度对AlN压电薄膜材料特性及器件性能的影响。研究表明,当掺入Sc的摩尔分数从0增加到25%时,压电应力系数e33增加、刚度 下降,导致Al1-xScxN压电薄膜的机电耦合系数 从5.6%提升至15.8%,从而使HBAR器件的有效机电耦合系数 提升了3倍。同时,当Sc掺杂摩尔分数达25%时,Al1-xScxN(x为Sc掺杂摩尔分数)压电薄膜的声速下降13%,声学损耗提高,导致HBAR器件的谐振频率和品质因数降低。 相似文献
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以从自然腐败的樱桃上分离的链格孢霉(Alternaria sp.)LD3.0086为指示菌,研究苯乳酸对链格孢霉的主要抑制作用靶位。应用分光光度法测定苯乳酸对链格孢霉的最小抑菌浓度,通过卡尔科弗卢尔荧光增白剂染液(calcofluor white,CFW)染色观察苯乳酸对菌丝顶端生长的破坏作用,利用扫描电子显微镜和透射电子显微镜观察链格孢霉的超微结构变化,通过测定苯乳酸作用前后链格孢霉上清液中N-乙酰葡萄糖胺质量浓度变化研究苯乳酸对菌丝细胞壁的破坏作用,应用荧光双染色法观察苯乳酸对链格孢霉菌丝细胞膜的损伤作用。结果表明,12.5 mmol/L的苯乳酸能有效抑制链格孢霉的生长;与对照组(无菌水处理)相比,苯乳酸处理后链格孢霉顶端生长细胞无明显形变,经12.5 mmol/L苯乳酸处理的链格孢霉上清液中N-乙酰葡萄糖胺质量浓度基本不变;苯乳酸处理24 h,链格孢霉菌丝细胞壁表面无明显损伤,细胞内结构发生明显变化;苯乳酸短时间(4 h)处理链格孢霉,菌丝细胞膜仍较为完整,加入苯乳酸较长时间(8 h)后细胞膜发生破裂。综合分析可知,苯乳酸对链格孢霉的主要作用靶位应不是菌丝体的细胞壁和细胞膜,而是在菌丝体内部,通过破坏菌丝内部细胞器结构或引起细胞内的生化反应,从而抑制链格孢霉的生长和繁殖,发挥抑菌活性。 相似文献
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