不同磨料对微晶玻璃化学机械抛光的影响

为了提高微晶玻璃化学机械抛光(CMP)的材料去除速率(MRR),降低其表面粗糙度,利用自制的抛光液对微晶玻璃进行化学机械抛光,研究了4种含不同磨料(Si O2、Al2O3、Fe2O3、Ce O2)的抛光液对微晶玻璃化学机械抛光MRR和表面粗糙度的影响.利用纳米粒度仪检测抛光液中磨料的粒径分布和Zeta电位,利用原子力显微镜观察微晶玻璃抛光前后的表面形貌.实验结果表明,在相同条件下,采用Ce O2作为磨料进行化学机械抛光时可以获得最好的表面质量,抛光后材料的表面粗糙度Ra=0.4 nm,MRR=100.4 nm/min.进一步研究了抛光液中不同质量分数的Ce O2磨料对微晶玻璃化学机械抛光的影响,结果表明,当抛光液中Ce O2质量分数为7%时,最高MRR达到185 nm/min,表面粗糙度Ra=1.9 nm;而当抛光液中Ce O2质量分数为5%时,MRR=100.4 nm/min,表面粗糙度最低Ra=0.4 nm.Ce O2磨料抛光后的微晶玻璃能获得较低表面粗糙度和较高MRR.     

煅烧活化粉煤灰对镓酸浸效果的实验研究

通过高温煅烧法对粉煤灰进行活化,采用酸浸法浸取活化后粉煤灰中的镓。研究了煅烧条件（助剂种类、助剂含量、煅烧温度、煅烧时间）对粉煤灰中镓的浸出效果的影响。采用X射线衍射表征粉煤灰以及不同煅烧条件下所得产物的物相组成,用ICP测定了浸取液中的镓的含量。研究结果表明：在3种助剂（碳酸钠、碳酸钙和氧化钙）中,碳酸钠是粉煤灰活化的最优助剂;碳酸钠与粉煤灰的质量比为1.5∶1、煅烧温度为800 ℃、煅烧时间为120 min时,粉煤灰中镓的浸出量（质量分数）为5.262×10-5。     

Investigation of CMP of Ni in the Preparation Process of Micro-Electro-Mechanical System Devices

利用自制的抛光液对高纯镍片进行化学机械抛光,研究化学机械抛光过程中抛光压力、pH值、H2O2浓度、络合剂种类及其浓度、SiO2浓度等参数对抛光速率的影响。结果表明在抛光压力为13.79kPa、H2O2浓度为0.5%,pH值为3.0,SiO2浓度为0.5%,络合剂EDTA及其浓度为1%时,得到最大抛光速率为312.3nm/min;在抛光压力为13.79kPa、pH值为4.0、SiO2浓度为1%、络合剂EDTA为1%、H2O2浓度为1%条件下抛光得到的镍片表面质量较好,表面粗糙度Ra达到5nm。并利用电化学手段研究了镍片在抛光液中的溶解与钝化行为。     

新型水油两溶性涂料催干剂的制备及其性能研究

本文探讨了一种新型的非环烷酸类涂料催干剂的制备方法及共催干性能。结果表明，该系列催干剂能溶于水－乙醇介质中，并能分散到亚麻仁油中，既可用于水或醇稀释性醇酸树脂涂料，又可代替环烷酸类催干剂用于油性涂料。其制备工艺简单，产品具有毒性小，粘度低及贮存稳定性好等特点。     

靛蓝二磺酸钠催化光度法测定水中痕量亚硝酸根

基于亚硝酸根对溴酸钾氧化靛蓝二磺酸钠退色反应的催化作用,建立了一种在室温条件下(25℃)测定水中痕量亚硝酸根的方法.在608nm处,亚硝酸根含量在0.2～1.6 μg/10mL范围内与靛蓝二磺酸钠吸光度的减小值(△A)呈线性关系,检测限为0.02μg/mL.大多数常见离子无干扰.由Arrhenius方程求得表现活化能为39.7 kJ/mol.本方法简便快速,用于环境水样中痕量亚硝酸根的测定,结果满意.     

靛蓝胭脂红—溴酸钾催化光度法测定茶叶中微量硒

研究了硒（IV）对溴酸钾氧化靛蓝胭脂红褪色反应的催化作用及NaCl的活化作用,建立了一种测定微量硒的方法,硒量在0－1．0ug/mL范围内与△A呈线性关系,检出限为0．02ug/mL,在NaF及尿素存在下,多数常见离子无干扰,本法灵敏度及选择性较高,用于茶叶中微量硒的测定,结果满意。     

水杨酸体系抛光液中钌的化学机械抛光研究

研究了抛光液中H2O2和水杨酸浓度对钌的抛光速率的影响。采用电化学方法和X射线光电子能谱分析了H2O2和水杨酸对金属钌腐蚀效果的影响;采用原子力显微镜观察钌表面的微观形貌。结果表明:水杨酸浓度的增加有利于金属钌表面钝化膜的形成,抛光速率值随之增加;随着H2O2浓度的不断增加,抛光速率不断增加,当H2O2质量分数大于3%时,抛光速率值随浓度的增加而降低。抛光后的金属钌表面平均粗糙度Ra为7.2 nm。     

吡啶偶氮苯酚类显色剂纯度的分光光度测定

吡啶偶氮苯酚类显色剂纯度的分光光度测定白林山,曹晓敏（安徽马鞍山华东冶金学院化工系,２４３００２）有机试剂的纯度多以纯试剂为标准,用色层分析、元素分析或光度分析法测定,应用不够方便。亚钛滴定法［１］测定杂环偶氮类显色剂需用氮气保护,亦不方便。以纯金属...     

Investigation on the Electrochemical-Mechanical Polishing of NiP Substrate of Hard Disk

利用自制的抛光液和改造的抛光机对NiP基板进行电化学机械抛光,研究了抛光电压、抛光台转速、抛光压力和抛光液流速对材料去除速率的影响,对电化学机械抛光的机理做了初步的分析。研究结果表明, NiP基板可以用低压力 (3.5 kPa)抛光, 材料的去除速率可以通过调整抛光电压, 抛光台转速和抛光液流速进行控制     

5-甲氧基-2-[(E)-(吡啶-3-亚氨基)甲基]苯酚的微波固相合成与表征

研究了以2-羟基-4-甲氧基苯甲醛和3-氨基吡啶为原料,微波固相反应合成新型席夫碱衍生物——标题化合物的方法。当2-羟基-4-甲氧基苯甲醛与3-氨基吡啶物质的量比为1.5∶1、反应时间为8 min、微波功率为920 W时,反应产率可达94%以上。用IR、1HNMR、元素分析和X-射线单晶衍射法表征了产物结构。该化合物属正交晶系,空间群为P212121,a=3.940(2),b=10.506(5),c=26.811(14),Dc=1.366 Mg/m3,Z=4,V=1 109.8(10)3,μ=0.094mm-1,R1=0.066 5,wR2=0.106 9。