云南北方驰宏光电有限公司

<正>超高纯二氧化锗、区熔锗、锗毛坯非球面镜片、高精度光学元器件、各种材料口径整流罩、高精度对样板连续变焦红外光学镜头,30mm～90mm,F/1.0;37.5 mm～150mm,F/1.2;50mm～200mm,F/1.0;25mm～100mm,F/1.0;25mm～75mm,F/1.0系列化温度自适应红外光学镜头,典型的为f6.3mm、fl9mm、f21mm、f25mm、f45mm、f50mm f75mm f 100mm系列化红外双视场镜头,典型的有f45mm/f 135mm F/1.0,f90mm/f 180mm F/1.0红外显微镜、镜头倍率有1倍、3倍、5倍、10倍高性能     

云南锗业:未来前景看好

锗金属行业将在201 3年前后迎来供需拐点。资源壁垒、产业链完整将是今后行业竞争中占据有利地位的关键因素,公司契合这些竞争优势,通过产品深化扩张将提升公司盈利空间。看好公司未来前景,建议选择较好的介入机会。     

区域熔融法净化磷酸的初步研究

尝试采用区域熔融的方法进行磷酸的提纯,研究砷、铁、钙、镁等杂质的分离效果,重点研究砷的分离。初步研究了区熔次数、熔区移动速度等操作条件对提纯效果的影响。实验结果表明,磷酸中砷、铁、钙、镁杂质随着熔区移动的方向往末端积累,经过一次区熔操作后磷酸杂质砷就发生明显的分离,末端与始端砷含量之比达到1.52,随着区熔次数增加该比值升高,当累积5次区熔后末端与始端砷含量之比达到最大值3.33;降低熔区移动速度也能增加杂质分离效果,以较快的速度移动熔区(20 mm/h),末端与始端砷含量之比达到1.25,当熔区移动速度降低到10 mm/h时,末端与始端的砷含量之比提高到3.3,再继续降低熔区移动速度,分离效果不再明显提高。     

钼铌合金单晶的制备

研究熔炼室真空度、合金原料棒化学成分、熔炼速度、搅拌速度等对铝铌合金单晶制备的影响.结果表明,熔炼室高真空条件,低杂质元素含量(特别是C和O)的两次电子束熔炼/热加工原料棒、合适的熔炼速度0.4～4.0mm/min和旋转速度1.0～40r/min能确保区熔过程稳定,制备出高质量铝铌合金单晶.     

气相掺杂区熔硅单晶及其生产技术

环欧公司首次在国内研制出了气相掺杂区熔硅单晶，设计出了一整套合理的气相掺杂区熔硅单晶的生长工艺，该工艺技术是具有自主知识产权的技术创新成果．2007年8月22日获国家知识产权局授予的生产发明专利，专利号ZL200610013497．6。环欧公刊的气相掺杂区熔硅单晶及其生产技术获得2007年半导体创新产品和技术奖。     

稀土金属真空提纯炉的研制

介绍了一种用于稀土金属提纯的单晶炉,根据区熔法提纯单晶的特殊工艺要求,分析了其主要结构及特点。该设备也适用于多种激光晶体的生长和激光晶体的真空退火。     

工业黄磷制备高纯磷的实验研究

采用区域熔融法净化工业黄磷制备高纯磷.考察了熔区移动速度、区熔次数、熔区长度以及黄磷原料杂质初始含量对提纯效果的影响.研究结果表明,采用区熔法对工业黄磷进行提纯是完全可行的,且当原料砷含量为14301 ng/g时,在移动速度为10 mm/h,熔区长度为0.1L,经过5次区熔后,除As外,Fe、Ca、Co、Mg、Cr、Cd、Mn、Ni、Cu、Pb、Zn、Al等12种杂质均达到6N(99.9999%)级水平,当经过区熔30次后,总杂质含量脱除到100 ng/g左右,完全能够满足半导体以及医药行业对高纯磷的要求.     

高阻真空区熔硅单晶的生长

介绍了高阻真空区熔硅单晶的研制工艺,研制出了导电类型为p型,电阻率(3～5)×103 Ω·cm及(1～2)×104Ω·cm两种规格的真空区熔硅单晶,其中电阻率(3～5)×103Ω·cm规格单晶的研制除需要进行真空区熔提纯外,还要进行微量的p型区熔掺杂.单晶直径30～35 mm,晶向〈111〉.经检测无位错及漩涡缺陷,单晶的少数载流子寿命达到1500μs以上.     

区熔单晶硅生产操作指导专家系统

本文介绍区熔单晶硅生产操作指导专家系统。首先，系统实现了连续图象的自动变周期、定瞬间采样，并提出一种新的区域扩张增量图象处理算法．其次，叙述了知识的获取过程及类规则，提出分布的多库结构，并实现了不确定性推理．最后，开发了区熔单晶硅生产操作指导专家系统，实现了从数据和图象采集、处理、事实获取、推理到给出操作指导一体化。     

区熔硅近表面洁净区和体内微缺陷的形成

中子辐照区熔(氢)硅片经退火后在近表面形成洁净区,在硅片内部形成体内微缺陷.微缺陷的形成与中子辐照造成的损伤及单晶硅内氢杂质的催化加速有关,还与后续退火条件有关.第一步退火的温度对微缺陷的尺度有很大的影响,中低温要比高温所形成的微缺陷小.在退火过程中微缺陷有一个生长过程,1100℃退火2h微缺陷已达最大.硅片表面的粗糙度影响表面洁净区的形成,洁净区出现在未抛光面,双面抛光硅片不会形成表面洁净区.