高取向富锂正极材料的合成及电化学性能

以六亚甲基四胺(HMT)为导向剂,通过水热法,在不同温度下合成了六边形薄片状的高取向三元前驱体NixCoyMn1-x-y(OH)2,采用氯化钾与氯化钠的混合熔盐法对前驱体进行煅烧后得到高取向富锂正极材料。经X射线衍射、扫描电镜等表征,材料具有良好的层状结构,在(003)晶面具有很高的择优取向。电化学测试结果表明,在0.1 C倍率下(20 m A/g),材料的首次放电容量为282.5 m A·h/g;1 C倍率下经30次循环放电容量从195.7 m A·h/g降至178.8 m A·h/g,容量保持率为91.4%;当倍率分别为2 C和5 C时,材料的放电容量分别为150.6 m A·h/g和110.0 m A·h/g。材料具有良好的循环稳定性和倍率性能。     

高声速（100）择优取向AIN薄膜的制备和性能研究

采用射频磁控溅射法,通过改变工艺参数在n型（100）Si片上制备了表面粗糙度小、以（100）面择优取向的AlN薄膜。研究了高温退火、N2结尾等工艺对AIN薄膜择优取向的影响。结果表明,增大工作气压有利于薄膜（100）面择优取向,但是随着工作气压升高薄膜沉积不均匀,通过退火可以减少这种缺陷;N2-Ar比低有利于（100）...     

O2/Ar气体流量比对射频磁控溅射HfO2薄膜的影响

采用射频磁控溅射法,以HfO2陶瓷作为靶材,在石英衬底上制备了HfO2薄膜.通过椭圆偏振光谱仪(SE)、X射线衍射(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)研究了不同O2/Ar气体流量比对薄膜沉积速率、结构、形貌等的影响.结果表明,随着O2/Ar气体流量比从0增加到0.50,薄膜的沉积速率逐渐下降.O2/Ar气体...     

定向凝固Tb0.3Dy0.7Fe1.95合金的取向与组织研究

利用区熔定向凝固设备制备了Tb0.3Dy0.7Fe1.95合金,研究了不同定向凝固生长速度下Tb0.3Dy0.7Fe1.95合金的轴向择优取向、晶体的生长方式、结晶形貌的变化规律以及它们之间的关系。结果表明,随着定向凝固生长速度V从低速10μm/s逐步增大到380μm/s,Tb0.3Dy0.7Fe1.95合金的轴向择优取向从〈110〉方向转变为〈311〉及〈110〉、〈211〉、〈533〉多种混合轴向取向,之后又转变为原来的〈110〉方向,当V≥350μm/s后,轴向择优取向变得不明显。在整个过程中出现了2个不稳定过渡阶段,即180μm/s相似文献   

聚乙二醇和2-巯基苯并噻唑在碱性条件下对铜电沉积行为的影响

讨论了聚乙二醇和2-巯基苯并噻唑时碱性柠檬酸盐镀铜电沉积行为的影响.采用循环伏安法,计时电流法,扫描电子显微镜和X射线衍射分析了镀液的极化作用和微观沉积行为.结果表明:聚乙二醇在阴极具有较强的吸附能力,对中等电流密度区镀层起细化晶粒作用,使铜电沉积的初期行为由瞬时成核和连续成核共同存在的方式组成;2-巯基苯并噻唑能提高...     

占空比对磁控溅射纯Cr镀层微观组织结构的影响

利用磁控溅射离子镀技术于不同占空比下在单晶Si基体上制备出纯Cr镀层,采用扫描电子显微镜和X射线衍射仪分析了纯Cr镀层表面和截面微观形貌、沉积速率和择优生长取向的变化规律。结果表明:占空比的改变显著影响着纯Cr镀层的微观形貌、择优生长取向和致密度。随着占空比的增大,纯Cr镀层的微观组织结构由柱状晶向均匀、细小纳米晶转变,纯Cr镀层的厚度和沉积速率相应增大,同时纯Cr镀层沿(110)晶面的择优生长取向程度减弱。     

TiAl基合金定向凝固中领先相的确定及影响因素

TiAl基合金因其优异的高温性能及较低的密度成为近年的研究热点,室温塑性是其走向工程化应用最主要的障碍。通过定向凝固技术控制TiAl基合金片层取向与生长方向平行时,可有效提高其综合力学性能,领先相的选择及生长取向的控制是TiAl基合金片层取向控制的关键因素。本文综述了定向凝固TiAl合金领先相的类型及生长取向的几种确定方法,及其生长取向的影响因素,最后总结了领先相生长取向控制的研究方向,对制备定向凝固TiAl基合金叶片具有重要的指导意义。     

低能Ar离子束辅助沉积Ag(111)薄膜

采用低能Ar离子束辅助沉积方法,在Mo/Si(100)基底上制备Ag膜。实验发现,用Ar离子束溅射沉积的Ag膜呈(111)择优取向。若在溅射沉积Ag膜的同时,用能量为500eV的Ar离子束沿衬底法线方向对Ag膜进行辅助轰击,当离子/原子到达比为0.06时,Ag膜呈(111)择优取向;当离子/原子到达比增大到0.18时,Ag膜呈(111)和(100)混合晶向。若Ar离子的入射角为35.26°,离子/原子到达比为0.06时,Ag膜呈(111)择优取向;当离子/原子比增大到0.18时,Ag膜呈(111)和微弱的(100)混合晶向。若Ar离子的入射角为54.7°,离子/原子到达比为0.06时,沉积的Ag膜呈很强的(111)择优取向。     

化学气相沉积高纯钨的择优取向与性能研究

利用光学显微镜、X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜的电子背散射衍射花样(electronic backscatter ring diffraction,EBSD),对用化学气相沉积制备的高纯钨进行了微观结构和晶面取向分析;利用霍普金森压杆系统和电子万能试验机测试了高纯钨的动态和准静态力学性能。研究表明：化学气相沉积高纯钨具有柱状晶组织,并且具有明显的(100)择优取向;动态屈服强度达到2000 MPa以上,静态屈服强度约为1350 MPa,具有应变速率敏感性     

Mo电极形貌对AIN薄膜择优取向生长的影响

采用射频磁控溅射方法在不同形貌的Mo电极上制备了(002)择优取向的AlN薄膜。采用XRD、FESEM表征了Mo电极及AlN薄膜的结构、表面形貌及择优取向。结果表明,Mo电极的形貌影响AlN薄膜的择优取向生长,在较高溅射气压下沉积的Mo电极晶粒细小、分布均匀,有助于AlN薄膜(002)择优取向生长。