氮氩气流量比对磁控溅射氮化钛薄膜微观结构的影响

采用扫描电镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)研究了氮气流量(5、10、25、50 sccm)及氮氩气流量比(4∶1、3∶2、2∶3、1∶4)对磁控溅射TiN薄膜微观形貌和相组成的影响。结果显示,所得样品具有纳米级TiN薄膜的基本特征。当N2与Ar的总流量为5 sccm,而它们的流量比为4∶1时,可以制得品质较好的蓝紫色TiN薄膜。     

真空阴极电弧沉积TiN装饰膜工艺与应用研究

本文研究了真空阴极电弧沉积 TiN 装饰膜的工艺及其应用.利用 X 射线衍射、扫描电镜等方法,分析了膜层性能与沉积工艺之间的关系,结果表明:(1)适当增大气氛压力,可减少 Ti 液滴,从而提高了膜层的显微硬度和耐腐蚀性能;(2)膜层颜色与负偏压和氮分压有关.本文报导了工艺参数对膜层织构和品格畸变的影响.本文还对表壳、表带、餐具.陶瓷制品仿金镀等应用问题进行了讨论.     

高功率脉冲磁控溅射制备的TiN薄膜 应力释放及其结合稳定性研究

目的 探究高功率脉冲磁控溅射（HPPMS）制备的氮化钛（TiN）薄膜在自然时效过程中,应力、薄膜/基体结合性能随时间的变化规律。方法 采用高功率脉冲磁控溅射（HPPMS）技术,通过调控基体偏压（-50、-150 V）,制备出具有不同残余压应力（3.18、7.46 GPa）的TiN薄膜,并采用基片曲率法、X射线衍射法、划痕法和超显微硬度计评价了薄膜的应力、薄膜/基体结合性能、硬度随时间的变化规律。结果 在沉积完成后1 h内,-50 V和-150 V基体偏压下制备的TiN薄膜压应力分别在3.12~3.39 GPa和7.40~7.55 GPa范围内波动,薄膜压应力没有发生明显变化;沉积完成后1~7天,平均每天分别下降28.57 MPa和35.71 MPa;7~30天,平均每天分别下降2.08 MPa和2.50 MPa;30~60天内,平均每天分别下降1.67 MPa和7.00 MPa。其压应力连续下降,且均表现出前期下降速率快,后期下降逐渐放缓的趋势。自然放置60天后,应力基本释放完毕,薄膜性质基本保持稳定。同时,薄膜/基体结合性能随时间逐渐变差,薄膜硬度下降。结论 HPPMS制备的TiN薄膜在自然时效过程中,其残余应力会随时间增加,连续下降,进而影响薄膜的力学性能。     

钴基合金/TiN陶瓷复合硬面涂层的制备及性能

在316L不锈钢基体表面分别采用等离子喷焊和离子镀膜技术制备了钴基合金/TiN陶瓷复合涂层,对复合涂层的成分、结构、表面硬度及高温抗水蒸汽氧化性能进行了表征和分析。结果表明:该复合涂层利用氮化钛陶瓷层的超高硬度解决了钴基合金耐磨性不足的弱点,而钴基合金涂层对陶瓷层形成了良好的支撑,涂层的硬度呈梯度分布;同时TiN陶瓷涂层显示出优异的高温抗水蒸汽侵蚀能力,对提高球阀的使用寿命具有很高的实用意义。     

一种降低影像传感器小丘的方法

正本发明涉及一种降低影像传感器小丘的方法,包括淀积粘合层、铝遮蔽、破真空和淀积抗反射层,粘合层为一层厚度为20~100的金属钛层,且金属钛层上淀积有一层厚度为200~300的氮化钛层,铝遮蔽的厚度为1000~3000,抗反射层厚度为300~600。在铝淀积完成后进行破真空处理,即离开腔体依靠空气缓慢冷却,释放应力,为尽可能的减少对产能的影响,破真空的时间控制在20~30min。本发明优化了铝遮蔽传统工艺,在铝淀积后采用破真空的方法来缓解铝薄膜的应力,解决小丘现象,本发明对比起传统铝遮蔽工艺,减少了小丘,降低了串扰,提高了传感器的质量。。A。A。A。A     

氮电弧制备陶瓷表面层中TiN相形态及生长机制

利用氮电弧熔化纯钛基体表面,原位制备氮化钛（TiN）陶瓷表面层,研究陶瓷表面层的形成机理、TiN相的生长形态及其生长机制．结果表明,氮电弧熔化过程为非平衡快速冷却凝固过程,冷却速度可达10^2～10^3 K／s,表面层中TiN相的微观生长方式具有多样性．在熔池中过冷度较小的位置,TiN晶体为螺型位错侧面长大方式,而熔池...     

Si3N4/TiN复相陶瓷的抗氧化性能

以铁尾矿和含钛高炉渣为主要原料合成了Si3N4/TiN复相陶瓷,在热力学分析的基础上,研究了Si3N4/TiN复相陶瓷的抗空气氧化性能,并对其氧化过程进行了动力学分析.采用X射线衍射、扫描电镜和能谱等对Si3N4/TiN复相陶瓷的氧化过程、氧化后样品显微形貌进行了表征,并通过分析样品的恒温氧化质量增加曲线研究了其抗氧化...