公众食品药品网络谣言和虚假宣传辨识能力调查——以贵州省某少数民族自治地区为例

目的 了解公众对网络食品药品谣言信息及虚假宣传甄别能力和行为态度，探索防范谣言传播、维护社会稳定的有效措施和途径。方法 采用随机抽样研究方法，对贵州省某少数民族自治州公众开展食品药品网络谣言及虚假宣传辨识能力、行为态度问卷调查。结果 当地公众食品药品网络谣言及虚假宣传辨识能力总体较低，经济发展落后地区的青少年人群对网络谣言及虚假宣传的辨识能力较弱。大部分公众处理网络食品药品安全信息较为理性，更愿意通过国家监管部门权威网站了解信息，基本具备了确认信息真实性的主观意识，但辟除谣言的行动能力不高。结论 地方党委政府及有关部门应加强食品药品网络谣言和虚假宣传治理，加大当地谣言及虚假宣传的监测和系统性分析研究，有针对性、预判性地进行治理和科普宣传。     

硅酸盐型胶磷矿单一反浮选工艺研究及工业化应用

云南某矿区产的硅酸盐型胶磷矿的SiO_2含量一般在30%以上,堆存数量巨大,使用常规的单一反浮选工艺难以达到要求的精矿指标,但是使用正反浮选工艺或者双反浮选工艺的生产成本又较高,经济效益不理想。从矿石的多元素分析发现,与CaO∶P_2O_5大于1.79的碳酸型磷块岩配矿后使用单反浮选工艺可以获得合格的精矿指标。在此思路上,对两种矿石进行配合比、解离度、磨矿细度和药剂制度的探索研究。当配合比为1∶3,磨矿细度为92%,药剂制度为抑制剂1.5kg/t、调整剂18kg/t、捕收剂3.0kg/t的情况下,最终可以获得P_2O_5品位为28.89%,MgO品位为0.91%,产率62.73%,回收率85.24%的精矿指标。     

300MW等级锅炉变工况低负荷稳燃能力数值模拟与预测

采用数值模拟软测量技术,在保证锅炉燃烧稳定和炉内温度较高水平的条件下,预测300 MW等级锅炉在实际运行中可降低到25%负荷稳定燃烧,并经过现场低负荷稳燃实验对结果进行验证。针对一次风速调整、磨煤机投运方式调整和配风方式及运行氧量调整三种方式对低负荷稳燃能力的影响进行分析,结果表明:在降负荷过程中调平一次风速偏差并适当降低一次风速,投运相邻层燃烧器,关小周界风,适当降低二次风量的同时适当降低运行氧量有利于提高低负荷稳燃特性。     

“中国制造2025”背景下“班组长型”人才培养的挑战与应对

"班组长型"人才正是实现"中国制造2025"宏伟蓝图的基层驱动力量之一,"班组长型"人才的培养是当前相关职业院校重要任务,分析了"中国制造2025"对当前高职教育的新挑战以及对企业班组长的新要求,并提出了"中国制造2025"背景下"班组长型"人才培养的应对措施。     

轧制速度对AZ31镁合金管材冷轧成形的影响

轧制速度是三辊式冷轧成形过程中关键的工艺参数，决定其力学特征及温升情况。基于此，本文以冷轧AZ31镁合金管材为研究对象，通过全流程数值仿真计算，对比分析不同轧制速度在各特征变形段对等效应力、等效塑性应变及节点温度的影响规律。结果表明，等效应力、等效塑性应变及节点温度均随轧制速度的增大而增大。通过元胞自动机模型及实验等手段，探明了晶粒在轧制过程中产生连续再结晶并细化的初步组织演变规律；对比分析实验与模拟结果并结合多方面因素，得到800mm/s的轧制速度可以更好的满足工艺要求的结果，为冷轧镁合金管材轧制速度的选择提供依据。     

益阳橡机整体搬迁技改建设项目加快推进

正2020年4月4日,益阳橡胶塑料机械集团有限公司(简称益阳橡机)朝阳产业园厂区的一台加工平板硫化机热板和框板的超大型专用设备—22m×4m的数控双龙门铣(磨)机床由沈阳制造厂家人员拆机,运回沈阳返厂大修,拉开了益阳橡机整体搬迁技改项目—"智能型橡胶机械数字化制造基地建设项目"中搬迁设备升级改造的序幕。     

The Water-Soluble Peripheral Substituted Phthalocyanines as Corrosion Inhibitors for Copper in 0.1 N HCl: Gravimetric,Electrochemical, SEM-EDS,and Quantum Chemical Calculations

Protection of Metals and Physical Chemistry of Surfaces - Corrosion inhibition effects of water-soluble peripheral substituted cobalt, copper and zinc metallophthalocyanines (CoPc (1), CuPc (2) and...     

Ion implantation assisted synthesis of graphene on various dielectric substrates

Direct synthesis of high-quality graphene on dielectric substrates is of great importance for the application of graphene-based electronics and optoelectronics. However, high-quality and uniform graphene film growth on dielectric substrates has proven challenging due to limited catalytic ability of dielectric substrates. Here, by employing a Cu ion implantation assisted method, high-quality and uniform graphene can be directly formed on various dielectric substrates including SiO2/Si, quartz glass, and sapphire substrates. The growth rate of graphene on the dielectric substrates was significantly improved due to the catalysis of Cu. Moreover, during the graphene growth process, the Cu atoms gradually evaporated away without involving any metal contamination. Furthermore, an interesting growth behavior of graphene on sapphire substrate was observed, and the results show the graphene domains growth tends to grow along the sapphire flat terraces. The ion implantation assisted approach could open up a new pathway for the direct synthesis of graphene and promote the potential application of graphene in electronics.