转盘式分选机中高速旋转吸盘的动力学分析与计算

针对转盘式集成电路测试分选机中的高速旋转吸盘,进行了动力学分析,推导了真空吸盘在吸持电路做高速旋转运动情况下,所需动态吸力的计算公式.选择不同的角速度控制曲线,计算出在设计指标测试分选产量(Unit Percent Hour,UPH)为36 000颗/h和电路为QFN4×4的情况下,所需的动态吸力曲线,并进行了相应的分析和讨论.最后根据计算出的最大动态吸力,确定出所需的最小真空压强及相应的真空吸盘.     

振动传感器信号调理电路设计及分析（英文）

基于压电式传感器能把振动或冲击的加速度转换成与之成正比的电荷这一原理,提出了该类型传感器的等效电路。设计了基于采集测量系统的压电式传感器电荷/电压转换电路,分析了电路中关键元器件——反馈电容的温度特性对于转换电路输出的影响,对不同类型滤波器进行了特性分析,并根据实际传感器带宽配置了相应滤波电路。通过试验表明,该信号调理电路能有效滤除振动信号中的噪声信号,并能获取精确的振动信号。     

集成电路抗腐蚀能力的研究

首先介绍了塑封电路、玻璃封装电路和陶封电路的构成材料，然后分别选取这3种电路的若干只样品，按几种试验条件进行了盐雾试验，针对试验后在电路上出现的腐蚀现象进行了理论分析，最后总结了3种电路各自的抗腐蚀能力。     

板式换热器的污堵与清洗及其对能耗的影响

文中从实际应用角度,叙述了板式换热器的特点和基本工作原理,讨论了换热器工作过程中的热阻问题,分析了换热器污堵后对换热性能的影响因素,并探索了解决污堵问题的方法。最后以数据统计的形式,描述换热器污堵和清洗与能耗的关系。实践证明,定期对换热器进行清洗是确保换热器工作性能正常和降低能耗最有效的方法。     

0．8μm SOI CMOS技术及电路研制

SOI CMOS技术在一些特殊应用领域中有着体硅无法比拟的优势文中叙述采用SIMOX材料和0.8μm SOI CMOS工艺加固技术成功研制出抗辐射性能较好的器件和电路,并且给出了SOI CMOS器件的特性随辐照总剂量的变化关系,试验电路通过了总剂量500 Krad(Si)钴60γ射线辐照实验。     

基于FPGA的ARM SoC原型验证平台设计

基于FPGA的验证平台是SoC有效的验证途径,在流片前建立一个基于FPGA的高性价比的原型验证系统已成为SoC验证的重要方法。ARM嵌入式CPU是目前广泛应用的高性价比的RISC类型CPU核,文中主要描述了以FPGA为核心的ARM SoC验证系统的设计实现过程,并对SoC设计中的FPGA验证问题进行了分析和讨论。     

抗SEB加固功率VDMOS的温度特性研究

仿真研究了300 V抗辐射功率VDMOS器件在不同缓冲层浓度、不同LET值下单粒子烧毁(SEB)效应的温度特性。结果表明,SEB的温度特性与LET值相关,LET值较小时(0.1 pC/μm),SEB电压呈正温度系数特性;LET值较大时(1 pC/μm),SEB电压呈负温度系数特性。重点分析了1 pC/μm LET时离化强度大的条件下SEB电压的碰撞电离分布和晶格温度分布,分析发现,功率VDMOS颈区JFET/P阱的pn结是SEB效应薄弱点,这得到了实验结果的验证。本模型计算的结果表明,当LET值大、器件工作温度高时,功率VDMOS器件的单粒子烧毁风险最大。该项研究结果为抗辐射加固功率VDMOS器件的应用提供技术参考。     

基于JTAG的SoC开发接口设计

文章提出一种应用在SoC系统中的开发接口,用于边界扫描测试、调试、程序流跟踪等。在处理器、外设内核和开源（GDB）、商业的调试／仿真器或边界扫描测试设备之间提供支持。通过IEEE1149．1JTAG协议接口提供外部调试／仿真器、边界扫描测试设备与内核之间的连接。为了使设计具有实用价值和通用性,该设计重点实现了硬件调试功能中最基本最重要的部分,力求结构简洁、工作可靠。文中的设计通过仿真验证,证明其设计可靠、方案可行,具有很好的实用价值。     

16位高速DSP增强型同步串行口的设计

分析了一种16位高速DSP中增强型同步串口的帧格式及其接口和功能;详细讨论了同步串口的系统级和行为级的设计过程。利用Verilog,设计出同步串口的电路;并通过计算机仿真和实验,证明了设计的正确性。     

一种用在DDS中的高速DAC

文章介绍了一种用在DDS中的高速DAC,采用CMOS电流阵列结构。它的转换频率最高可达300MHz,精度达12位,输出为电流型。文章介绍的高速DAC能够被广泛应用于通讯、雷达、导航、遥控遥测、电子对抗以及现代化的仪器仪表等各种领域。