本安型交换机电源抗辐射设计

针对煤矿井下本安型交换机受到电磁辐射干扰使电源产生瞬间电压跌落,导致交换机重启或者死机等问题,研制了一种升压降压电源模块,通过升压后再降压的方式,消除电磁辐射对交换机的影响。该电源电路从输入电压范围、输入本安电源的保护、升压电路、降压电路以及电路保护研究,采用模块灌封的模式。通过试验发现,该电路负载的本质安全型交换机能抵抗多种角度4级电磁辐射干扰,保证本质安型交换机的正常运行,保证了煤矿井下数据通信的正常运行。     

CMOS图像传感器单粒子效应及加固技术研究进展

互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)图像传感器(CMOS Image Sensor,CIS)在空间应用时会受到单个粒子辐照影响,这通常会导致CIS采集图像出现异常,严重时会导致器件功能失效。本文从不同粒子的角度:重离子、质子、电子和中子,从CIS容易发生的单粒子效应类型:单粒子瞬态(Single Event Transient,SET)、单粒子翻转(Single Event Upset,SEU)、单粒子闩锁(Single Event Latchup,SEL)、单粒子功能中断(Single Event Functional Interrupt,SEFI)等方面综述了CIS单粒子效应研究进展。简要介绍了CIS单粒子效应加固技术研究进展。分析总结了目前CIS单粒子效应及加固技术中亟待解决的问题,为今后深入开展相关研究提供理论参考。     

RHF484／310／330／350：运算放大器

意法半导体推出其欧洲抗辐射航天用半导体产品组合的四款获得QMLV官方认证的放大器芯片。RHF484是由4个RHF43B组成的4路运算放大器,可替代工业标准运算放大器芯片,采用Flat．14W封装,2011年通过QMLV认证。RHF310和RHF330是超低功耗5V运算放大器,     

卫星光通信系统中单粒子翻转计算方法研究

高能带电粒子造成的单粒子翻转是影响卫星光通信系统性能的重要因素,给出了单粒子翻转的物理机制及主要研究方法。利用OMERE 3.4软件对星载CMOS 2164器件进行了单粒子翻转率计算,结果表明,通过对轨道倾角和轨道高度的优化设计可以有效减小卫星光通信系统中电子器件的单粒子翻转率。为了有效克服单粒子辐射效应,除了简单的增加屏蔽层厚度等防护方法外,还应考虑通过电子器件的选择来提高抗辐射性能。     

数字电路抗单粒子瞬态效应的最小尺寸设计

随着体硅CMOS电路工艺的不断缩小,数字电路在空间中使用时受到的单粒子效应越发严重。特别是高频电路,单粒子瞬态效应会使电路功能完全失效。提出了一种基于电路尺寸计算的抗单粒子瞬态效应的设计方法,主要思想是通过辐射对电路造成的最坏特性,设计电路中MOS管的尺寸,使电路在系统开销和降低软错误率之间达到一个平衡。从单粒子效应电流模型入手,计算出单粒子效应在电路中产生的电荷数,得出为抵消单粒子效应产生的电荷需要多大的电容,再折算到器件电容上,最终得到器件的尺寸。此工作为以后研制抗辐射数字电路奠定了基础,提供了良好的借鉴。     

辐射条件下中药化学成分的补偿作用

随着电离辐射技术在日常生活中的应用日益广泛，辐射损伤的预防和治疗也有了很大的进步，本文将介绍几类抗辐射损伤的中药有效成分在防治辐射损伤中的应用情况。     

第三代半导体或将引发又一次照明革命

事件：继硅（si）引导的第一代半导体和砷化镓（GaAs）引导的第二代半导体后，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）为代表的第三代半导体材料闪亮登场并已逐步发展壮大。与第一、二代半导体材料相比，第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度，高的击穿电场、高的热导率、高的电子饱和速率和更高的抗辐射能力，因而更适合制作高温、高频、抗辐射及大功率器件。此外，第三代半导体材料由于具有发光效率高、频率高等特点，因而在一些蓝、绿、紫光的发光二极管、半导体激光器等方面有着广泛的应用。从目前第三代半导体材料和器件的研究来看，较为成熟的是碳化硅SiC和GaN半导体材料，而Zn0、金刚石和A1N等宽禁带半导体材料的研究尚属起步阶段。     

GSFC研制的抗辐射电子部件

我们在戈达德航天中心（ＧＳＦＣ）的经验是商业产品（ＣＯＴＳ）与抗辐射工艺器件相结合通常能为航天应用提供成本效率最高的解决方法，能满足某些航天器功能的ＣＯＴＳ部件的利用率有限，ＧＳＦＣ和其它单位已经开始为航天应用研制抗辐射器件，本文介绍这些器件中的一部分，包括一个高性能处理器、中高速星上通信接口和一个嵌入式处理器／接口控制器，由于大量的数据存储对于许多航天器来说是很重要的，因此这些器件中包括高密度存储模块，尽管模块中的器件不同抗辐射器件，但利用测试和降低系统级错误相结合的办法使这类模块能在航天上应用。     

高LET值束流产生技术研究进展

随着器件抗辐射加固性能的提高，在进行地面模拟试验时对所用重离子的能量及其在材料中的线性能量传输（LET）的要求也越来越高。为了提高串列加速器束流能量及其在材料中的LET，最切实可行的办法是使用高剥离电荷态离子。