加速器单粒子效应样品温度测控系统研制及实验应用

为满足国内半导体器件单粒子效应(SEE)截面与温度的关系研究需求,本文基于北京HI-13串列加速器SEE辐照实验终端研制了样品温度测控系统,实现了90~450K范围内实验样品温度的测量和控制,系统控制精度好于±1K。为验证系统可靠性,使用该系统研究了SRAM单粒子翻转(SEU)截面随温度的变化关系,在215~353 K范围内测量了SRAM翻转截面随温度的变化曲线。结果表明,SRAM SEU截面随温度的升高而增加,与理论预期结果一致。     

65 nm双阱CMOS静态随机存储器多位翻转微束及宽束实验研究

利用微束和宽束辐照装置分别对两款65 nm双阱CMOS静态随机存储器(SRAM)进行重离子垂直辐照实验，将多位翻转（multiple-cell upset, MCU）类型、位置、事件数与器件结构布局相结合对单粒子翻转（single-event upset, SEU）的截面、MCU机理进行深入分析。结果表明，微束束斑小且均匀性好，不存在离子入射外围电路的情况；NMOS晶体管引发的MCU与总SEU事件比值高达32%，NMOS晶体管间的电荷共享不可忽略；实验未测得PMOS晶体管引发的MCU，高密度阱接触能有效抑制PMOS晶体管间的电荷共享；减小晶体管漏极与N阱/P阱界面的间距能降低SRAM器件SEU发生概率；减小存储单元内同类晶体管漏极间距、增大存储单元间同类晶体管漏极间距，可减弱电荷共享，从而减小SRAM器件MCU发生概率。     

腐植酸专用肥分层异位同播技术对玉米生长的影响

为了简化农艺措施,降低生产成本,本文通过田间试验法,以腐植酸玉米专用肥和无机复混肥的实用技术进行对比,研究了玉米腐植酸专用肥分层异位同播施肥技术对玉米全生育期内干物质动态积累、养分动态吸收、产量及经济效应的影响。试验结果表明:在全生育期内,随着生育     

计划谬误研究进展

计划谬误是个体和组织中非常普遍的现象,文章基于对计划谬误领域研究文献的梳理,概述了计划谬误的理论、分类及干预措施。综述了内外部观点、自我表达及团体强化效应,归纳了预设谬误、拆分谬误与格式化谬误是计划谬误的三种基本形式,并对不同计划谬误的干预措施进行了分析概括。     

单粒子瞬态电流脉冲测试技术研究进展

单粒子瞬态（single-eventtransient，SET）电流脉冲测试技术是在重离子微束中非常重要的一种实验测试技术手段，可以用来测量束流入射位置与单粒子瞬态电流脉冲之间关系，给出电流瞬态脉冲参数（如上升时问、衰退时问以及峰高等）的二维分布图，在微米空间尺度和皮秒时间尺度上对电荷产生、传输以及收集的瞬态过程进行研究。     

高LET值束流产生技术研究进展

随着器件抗辐射加固性能的提高，在进行地面模拟试验时对所用重离子的能量及其在材料中的线性能量传输（LET）的要求也越来越高。为了提高串列加速器束流能量及其在材料中的LET，最切实可行的办法是使用高剥离电荷态离子。     

农业信息化与农业产业化关系研究综述

目前学术界对农业信息化与农业产业化的关系主要从以下两个方面进行了研究:一是指出农业信息化是农业产业化发展重要手段和根本要求;二是提出农业产业化是农业信息化的基础和动力,包括农业信息化是农业产业化的前提和农业产业化对农业信息化的推动作用。     

次贷危机对中国出口贸易的影响及其对策

改革开放以来,中国对外贸易在迅速发展的同时,存在着诸如出口市场过于单一,对美国贸易依存度过大等问题。2007年美国爆发次贷危机,对我国出口贸易产生了一些影响。从市场需求、美元贬值和贸易保护等几个方面进行了分析,并在此基础上提出了调整进出口结构,实施市场多元化战略;高度防范新一轮贸易保护主义;外贸与内贸并举等政策建议。     

合作开发油气田——苏里格气田：合作开发管理模式

长庆油田公司的工作区域鄂尔多斯盆地,于2000年8月26日发现了苏里格大气田.该气田勘探面积2万平方公里,天然气资源量为1.8万亿立方米,已探明地质储量为10988亿立方米,三级储量15042亿立方米.苏里格处在中国陆上天然气管网的枢纽位置,是重要的战略性气田.但它是一个低孔、低渗、低压、低丰度、低产量的岩性圈闭大气藏,开发难度极大,需要庞大的队伍和高端技术.     

高桥区下古储层压裂增产改造试验

高桥区域位于鄂尔多斯盆地靖边气田南部,属高桥-杏河构造区带,该区域北起镰刀湾,东界和南界为矿权线,西到薛岔-旦八镇,面积约4 781.7 km2,地理位置属于陕西省安塞县、志丹县和宝塔区境内。该区域发育多套含气层系,其中上古二叠系山西组、石盒子组及下古马家沟组为其主力产气层系,属于典型的"三低"储层。以高桥下古储层为研究对象,在储层地质特征分析评价的基础上,开展压裂增产改造试验,通过充分发掘储层潜力,取得了较好的试验效果。