超晶格界面的电子反向及引起的光电流特性

测量了GaAs/AlGaAs超晶格在T＝77K时的光电流谱,发现在波数～↑υ=1589cm^-1存在一个强电流峰,理论分析认为,该电流峰与超晶格界面的电子反射有关,据此算出的电流峰位置与实验观测结果一致。     

剖析MCZF—10B型除尘机组在轧花除尘中的运用

随着生产力的发展和人们生活水平提高的同时，人们不但对生活条件和居住环境极为关注，而且对工厂中的尘埃排放、空气污染等工作环境也提出了相应的新的要求。在轧花工业中大多又是尘埃排放污染较高的企业，直接影响人们的身体健康和生活环境，是国家和众多轧花企业尽力……     

循环冷却水处理初探暨天津乙烯循环冷却水处理阶段性处理结果

阐述了冷却水处理的技术过程,提出了在换热器原始状态差的情况下的处理方法,天津乙类循环冷却水系统运行三年的效果评价。     

(Cd,Co,Nb)掺杂的SnO2压敏材料的电学性质

研究了Cd对(Co，Nb)掺杂SnO2压敏材料电学性质的影响。组分为97．65％SnO2 O．75％Co2O3 0．10％Nb2O5 1．50％CdO的压敏电阻具有最大非线性系数(a=22．2)和最高的势垒(ψB=0．761eV)．当CdO的摩尔分数从0增加到3％时，(Co，Nb)掺杂SnO2压敏电阻的击穿电压从366V／mm增大到556V／mm，1kHz时的相对介电常数从1429减小到1108。晶界势垒高度测量揭示，SnO2的晶粒尺寸的减小是击穿电压增高和介电常数减小的主要原因。对Cd掺杂量增加引起SnO2晶粒减小的根源进行了解释。     

RTD与HBT单片集成研究

设计并研制了共振隧穿二极管(RTD)与异质结双极晶体管(HBT)单片集成负阻逻辑单元。详细介绍了逻辑单元的材料结构及工艺流程的设计过程,得到了较好的负阻特性,其开启电压1V左右,峰谷比大于2∶1。同时建立了负阻逻辑单元的模型,通过Pspice模拟结果表明与实际逻辑单元特性吻合良好。     

新滩口闸加固工程设计招投标的回顾及体会

由于历史条件的限制，新滩口闸的设计、施工和管理都不同程度地存在一些问题。经过40年的运行，老化病害严重，急需整治。作为一种尝试和探索，新滩口闸工程设计采取招投标方式选择设计单位，效果良好。通过对工程设计招投标标的前期准备，招标投标流程以及合同执行情况进行总结，对进一步搞好工程设计招标投标提出了建议。     

GaN基发光二极管研究进展

GaN基发光二极管(LED)作为目前固态照明和显示等应用中最核心的器件,在完全发挥材料性能的道路上还存在着一些困难.针对蓝光LED内量子效率低和白光LED应用中缺乏简易制备方法的现状,本研究组做出了有意义的富有创新性的工作:提出的宽窄耦合量子阱结构的LED使得蓝光LED的内量子效率得到了很大的提高;通过生长一个用于调节量子阱中的应变和局域化的InGaN插入层,制备出了同一发光层出射白光的单芯片白光LED.     

分子磁性材料的研究进展

文章简明阐述了近年来分子磁性材料研究中的一些相关问题,对其研究的发展历史进行了回顾。介绍了当前分子磁性材料理论研究中定性和定量两方面的进展。同时对分子磁性材料实验研究中的热点问题进行了介绍,并展望了分子磁性材料潜在的应用前景。     

裂解炉COT温度先进控制

针对某石化公司的裂解炉炉出口平均温度原有控制方案中存在的问题,对其控制方案进行了改造,并实施以内模技术为基础的先进控制。结合实际运行情况,给出先进控制实施前后的控制效果对比,说明了裂解炉COT温度先进控制的有效性。