CdTe/ZnS双层钝化碲镉汞长波探测器制备的研究

开展了CdTe/ZnS双层钝化碲镉汞长波探测器制备的研究。CdTe钝化膜经退火热处理后,可实现CdTe/MCT界面的互扩散,并改善CdTe钝化膜的质量。通过全湿法腐蚀方法完成了金属化开口,制备了长波碲镉汞600×18@15 μm规格线列和640×512@15 μm规格面阵。线列I-V测试表明:CdTe/ZnS双层钝化膜能有效地减少长波碲镉汞器件的表面漏电流,器件的反向结特性良好。面阵在77K测试:NETD 26.7 mK,有效像元率95.4%,并对室温目标进行了凝视成像。测试过程出现了4%左右由噪声引起的零散盲元,是由芯片面阵局部钝化失效引起的,表明钝化膜沉积工艺及芯片加工工艺尚有改进的空间。     

砷掺杂基区n-on-p长波光伏碲镉汞探测器的光电特性

报道了砷掺杂基区n-on-p长波碲镉汞平面结器件的电流电压特性、光谱响应特性,并同p型汞空位n-on-p长波碲镉汞平面结器件进行对比分析,发现砷掺杂基区长波器件的很多性能如优值R0A、电流响应率、黑体探测率都要优于汞空位基区长波器件。     

高层建筑深基坑支护施工技术及质量控制

高层建筑深基坑支护是高层建筑建设的基础,然而外界环境因素和施工工艺的选择,都会在一定程度上影响支护工程的施工质量,进而给高层建筑的建设埋下安全隐患。本文探讨了高层建筑深基坑支护的施工技术和质量控制措施,为确保高层建筑深基坑支护的安全提供了参考。     

碲镉汞深微台面列阵干法隔离的轮廓研究

文章报道了碲镉汞（HgCdTe）深微台面列阵干法隔离的轮廓研究的初步结果。采用诱导耦合等离子体（ICP）增强反应离子刻蚀（RIE）技术获得的HgCdTe深微台面列阵，在金刚刀解理后，通过扫描电子显微镜（SEM）观察了其干法刻蚀图形的剖面轮廓。进一步研究了刻蚀时间和刻蚀槽开口宽度对刻蚀图形轮廓的影响，获得了一些有助干深微台面芯片工艺设计的实验结果。     

HgCdTe干法刻蚀的掩模技术研究

文章报道了HgCdTe微台面列阵ICP干法刻蚀掩模技术研究的初步结果.首先采用常规光刻胶作为HgCdTe材料的ICP干法刻蚀掩模.扫描电镜结果发现,由于刻蚀的选择比低,所以掩模图形退缩严重,刻蚀端面的平整度差,台面侧壁垂直度低.因此采用磁控溅射生长的SiO2掩模进行了相同的HgCdTe干法刻蚀.结果发现,SiO2掩模具有更高的选择比和更好的刻蚀端面.但是深入的测试表明,介质掩模的生长对HgCdTe表面造成了电学损伤.最后通过优化生长条件,获得了无损伤的磁控溅射生长SiO2掩模技术.     

不同介质层钝化的碲镉汞光导型探测器的氢化研究

利用氢等离子体对阳极氧化层和ZnS钝化的碲镉汞光导型探测器进行了氢化处理,发现对于阳极氧化层钝化的器件,氢化处理后性能衰退,表现在信号的降低和噪声的增加,从表面形貌的观察,发现原来呈蓝色的阳极氧化层在氢化处理后几乎完全消失,从光谱响应上表现为短波方向的响应下降,认为由于氢化过程中介质层的消失使得氢离子直接轰击碲镉汞表面,造成少子表面复合速度增加.对ZnS钝化的器件氢化处理后性能改善,表现为信号的提高和噪声的下降,从光谱响应上表现为短波方向的响应抬高,从表面形貌观察发现ZnS的颜色略有变化,台阶仪测试表明氢化后ZnS的厚度减薄了约70nm,通过SIMS测试分析发现氢化过程中H离子可以穿过ZnS层到达ZnS与碲镉汞的界面处,认为氢离子对界面态起到了钝化作用,降低了界面态密度从而提高了器件的性能.     

InAs/GaSbⅡ类超晶格长波红外焦平面探测器

武汉高芯科技有限公司从2014年开始制备基于InAs/GaSbⅡ类超晶格的长波红外探测器。在本文中,报道了像元规模为640×512,像元间距为15mm的长波红外焦平面探测器。在77 K时,器件的50%截止波长为10.5mm,峰值量子效率为38.6%,当F数为2、积分时间为0.4 ms时,测得器件的噪声等效温差为26.2 mK,且有效像元率达99.71%。本文通过分子束外延(molecular beam epitaxy,MBE)技术与成熟的Ⅲ-Ⅴ族芯片技术,成功地验证了在大于10mm的长波波段,用超晶格代替HgCdTe实现国产化并大规模量产的可行性。     

碲镉汞光伏型探测器的氢化处理研究

利用氢等离子体方法研究了氢化处理对碲镉汞光伏型红外探测器性能的影响,发现对ZnS介质层钝化的器件进行氢化处理后,器件的信噪比和零偏电阻有显著的改善.通过采取在氢化过程中进行光刻胶保护的方法,发现氢化作用主要发生在注入区域之外的P区一侧;通过SIMS测试分析发现氢化过程中H离子可以穿过ZnS层到达ZnS与碲镉汞的界面处.分析认为氢离子对ZnS和碲镉汞的界面产生钝化,降低了界面态密度,减弱了P型区的表面漏电,提高了PN结的击穿电压和结电阻,从而改善了器件的性能.     

弥散强化铜合金中弥散相的观察及析出过程

用透射电镜(TEM)、高分辨电镜(HRTEM)观察了Al2O3弥散强化铜合金的微观结构,并分析了影响弥散相大小及分布的因素.用X射线衍射仪精确测定了Cu基体的衍射峰位置,依据衍射峰的位置变化探讨了Al脱溶及Al2O3质点的析出过程.结果表明:用内氧化法制备弥散强化铜合金时,Al2O3质点在内氧化阶段析出,且Al充分脱溶,内氧化反应进行得很彻底;合金在烧结和热挤压阶段都没有质点析出.合金中Al2O3质点均匀弥散地分布在晶界和晶粒内,并且晶粒内质点比晶界质点更细小、弥散,大小约5nm,间距10nm,晶界处的质点大小约10nm,间距约50nm.     

HgCdTe外延材料批量化生产及其质量控制

经过多年研发,我司的碲镉汞(HgCdTe)红外焦平面探测器已达到批量生产的水平。优异性能的红外探测器离不开高质量的HgCdTe外延材料,外延材料的厚度及组分均匀性、表面缺陷的控制以及HgCdTe外延/CdZnTe衬底晶格匹配度是批量化生产中需要控制的关键性因素,红外探测器的批量化生产也给HgCdTe外延材料质量稳定性以及一致性的控制提出了更高的要求。本文介绍了HgCdTe外延材料批量化生产中这几项关键指标的控制,以及外延质量优化后红外焦平面性能的提升。Abstract:关键词: