Hg_(1-x)Cd_xTe非线性光电导

利用连续运行的可调谐CO_2激光器,我们进行实验观察100K时N型Hg_(0.3)Cd_(0.2)Te带间跃迁的非线性光电导,着重研究了吸收系数、光激发非平衡载流子电子的浓度和复合寿命与光强的关系,分析指出,非线性光电导的产生可归结于动态Burstein-Moss效应和俄歇复合两过程.     

N型InSb的光子牵引效应

本文报道了我们关于N型InSb光子牵引效应的研究工作。不同于P型Ge的价带间跃迁,N型InSb的红外吸收是自由载流子吸收,是二阶量子跃迁过程。除了电子和光波的相互作用外,还同时有电子和声子或杂质中心的相互作用。我们研究了在这种情况下,载流子和光波的动量交换如何引起光子牵引效应。由于InSb是典型的窄禁带半导体,电子有效质量很小,可以指望它有较强的光子牵引电流。对N-InSb光子牵引的报道是很少的。     

InSb的带间双光子吸收的实验观察

InSb双光子带间吸收,特别是双光子带间磁光吸收,无论从应用InSb材料于高强度红外光学或者是从对InSb能带结构的了解上看都是一个很有兴趣而又尚未完全解决的问题。我们用观测双光子吸收产生的光电导的方法观察了InSb对CO_2激光的双光子吸收。曾在室温、液氮、液氦下观察没有外加磁场时的双光子吸收以及在液氦温度下观察了双光子磁光吸收。     

用连续调谐CO_2激光器研究InSb自由载流子法拉第旋转

在室温、液氮和液氦温度下,首次用连续调谐的CO_2激光器研究了n-InSb自由载流子法拉第旋转.对于载流子浓度为3.26 ×10~(16)cm~(-3)的样品,测得电子的有效质量:m~*(10K)=0.0172m,m~*(77K)=0.0177m.m~*(296K)= 0.0192m.精确测量表明:当波长λ<9.5μm时,带间法拉第旋转的影响就越来越明显.     

HgCdTe受主能态的非线性吸收光谱

本文介绍用可选支的连续CO_2激光器在低于禁带宽度的谱线范围内研究100K的Hg_(0.785)Cd_(0.215)Te线性与非线性吸收光谱,由受主能态到导带能态的直接跃迁机理成功地解释了实验现象.井由电子和空穴的速率方程导出饱和吸收的表达式.     

光子频率接近吸收边时Hg_(1-x)Cd_xTe的法拉弟旋转

研究固体材料的法拉弟旋转,作为一种获得固体能带参数和研究不同色散机构的重要实验方法,一直受到人们极大的关注。到目前为止,已有不少文章详细地报道了对Ge、Si和Ⅲ-Ⅴ族及Ⅱ-Ⅵ族半导体材料的法拉第旋转的研究。1978年,R.K.Ahrenkiel等研究了x值为0.37的Hg_(1-x)Cd_xTe材料的法拉第旋转。他们的研究表明,Hg_(1-x)Cd_xTe材料具有很高的品质因数,是做波长为10.6μm高能光学隔     

InSb中自旋反转受激喇曼散射效应

InSb中电子的自旋反转喇曼散射是获得红外波段连续可调谐激光以及研究InSb能带结构的一种手段。我们在～7K下,观察了以TEACO_2激光器为入射泵浦光、在n型InSb样品上产生的自旋反转受激喇曼散射光的输出。所用的TEACO_2激光器用光栅选支,可选出46条振动线。本实验用9.6微米(1042cm~(-1))波长的输出。输出脉冲能量～0.5焦耳,脉冲宽度～200毫微秒,前沿～50毫微秒。用能量计和光子牵引检测器检测。样品尺寸4×4×8毫米的n-InSb,浓度～1.1×10~(16)厘米~(-3),所用磁场为我系自制超     

P型锗中的非线性饱和吸收

本文研究主要是在TEA CO_2激光器的10.6μm波段,利用窄脉冲激光峰值测量仪仔细地测量了P型锗的吸收随光强变化的非线性饱和现象。用非均匀展宽的二能级系统分析了P型锗轻、重空穴带之间的电子跃迁过程,并和实验结果进行了比较。由P型锗的能带结构可知,红外吸收可以发生在轻、重空穴价带和自旋轨道分裂带之间。在忽略光子动量的竖直跃迁过程中,吸收频率为ν_0的入射光子后,处于基态E_1(k)的     

HgCdTe中的简并四波混频

利用连续CO_2激光器,从实验上观察到窄禁带半导体n型Hg_(1-x)Cd_xTe(X=0.20)在90K时的简并四波混频,并获得高效率的相共轭反射信号。     

InSb中双光子带间磁光吸收的实验研究

用测量样品光电导变化的方法,以二氧化碳激光器作为入射光源,InSb研究了在0～40KG磁场下,对选支9.6μm和10.6μm的吸收。观察到一系列的吸收峰。和相应的理论计算进行了比较,发现大部分的吸收峰都可以用价带和导带的朗道能级间的二级跃迁来解释。但也有一些不能归结为朗道能级间的二级跃迁的吸收峰,它们也许是来自禁带中束缚能级对导带朗道能级的跃迁。