C波段微波低相位噪声介质振荡源

介绍了微波低相位噪声介质振荡器的设计方法。就影响介质振荡器相位噪声的因素进行了讨论,从谐振回路有载Q值、有源器件、增益压缩量、电路模式等几个方面提出了降低相位噪声的方法,并给出了一个C波段微波低相噪振荡器的设计实例。测试结果表明:该振荡器工作频率3 900 MH z,输出功率大于10 dBm,相位噪声达到-102 dB c/H z@1 kH z;-128 dB c/H z@10 kH z。     

Ka波段低相位噪声GaAs MHEMT单片压控振荡器

报道了一种低相位噪声VCOMMIC芯片,采用传统的源端反馈形成负阻来消除谐振回路中的寄生电阻,通过合理的输出匹配实现起振条件并抑制谐波,利用南京电子器件研究所0.15μmGaAsMHEMT工艺,研制的Ka波段GaAsMHEMT压控振荡器,典型振荡频率为39.34GHz,频率变化范围38.6～41.3GHz之间,调谐带宽2.7GHz,典型输出功率6.97dBm,频偏100kHz,相位噪声为-81.1dBc/Hz。     

K波段收发集成多功能芯片

K波段收发集成多功能芯片由发射、接收上下2支路组成,发射信号由SPDT开关、中功率放大器和功率SPDT至天线,天线接收信号由功率SPDT开关、低噪声放大器和SPDT开关至后端再处理,开关由电源直接控制收发转换.     

Ku波段600W固态合成功放设计

文章介绍了一种Ku波段600W固态合成功率放大器的工程实现。根据工程应用的实际要求,该固态功率放大器采用多芯片多级合成,每级功率合成采用了不同的合成方式。其中芯片级合成选择了微带合成方式,模块级合成选择了多腔体空间耦合合成结构,组件级合成选择了波导合成方式。固放以6.5W的MMIC功放单片为基本单元,共采用了128个功放单片合成出大于600W的脉冲峰值功率,功率附加效率高达18.5%,并具有脉冲速度快、频谱纯净、体积小、可靠性高、工程上容易实现等优点。     

Parylene敷形涂层

Parylene是一种性能优异的高聚合物材料,它能涂敷到各种形状的表面,例如金属、玻璃、纸张、树脂、塑料、陶瓷等。简述了Parylene涂层的性能,对Parylene涂层的沉积过程、沉积设备和Parylene涂层的应用领域进行了论述,并对Parylene涂层的性能与环氧树脂、有机硅树脂、聚氨酯涂层的性能进行了比较。     

微波前馈功率放大技术

技术的发展带动了对高线性、高功率微波放大器的需求。传统的功率回退应用方法存在器件及效率方面的限制。文中分析了前馈技术提高功放线性度的原理,并给出Ｃ波段前馈功率放大器实例。     

碳纤维复合材料的等离子粗化工艺研究

表面粗化程度是决定碳纤维复合材料金属化镀层结合力好坏的关键。文中对碳纤维复合材料表面开展了机械粗化、化学粗化和等离子粗化试验,对处理后的外观、水膜破裂时间及温度循环试验结果进行比较,找到最适合碳纤维复合材料的粗化工艺。在等离子粗化试验中,对等离子处理的放电电流、处理时间进行对比,最终得到等离子处理碳纤维复合材料表面的最佳工艺参数。     

X波段150W固态合成功率放大器

介绍了一种利用波导实现X波段芯片级功率合成的方法,波导合成器特别适用于大功率、高频段的功率合成,损耗小、合成效率高。借助HFSS软件进行仿真优化,然后依托精密的机加工技术制作出来的波导功率合成器,具有良好的输出端驻波和很小的插损。合成单元20W模块由两个功率单片通过Wilkinson桥合成,在合成之前单独调试,确保功率和相位基本一致。最后得到的合成功率放大器输出功率大于150W,合成效率接近95%。     

采用金锡合金的气密性封装工艺研究

根据功率器件的气密性封装要求,设计了完整的金锡封焊工艺方法和流程,研究了工艺中的技术难点,提出了确保封装工艺稳定性和可靠性的技术要点.实验选甩Au80Sn20预成型焊环作为封接材料对器件进行气密性封装.通过大量试验得出了最佳工艺曲线(包括温度、时间、气氛和压力等).密封后的产品在经受各项环境试验和机械试验后,其结构完整性、电学特性、机械牢固性和封装气密性均能很好地满足要求,证明了采用倒置型装配的金锡封焊工艺的可行性及优越性.     

碳纤维复合材料化学镀铜工艺研究

金属化技术问题使碳纤维复合材料在航空航天领域的应用受到很大限制。化学镀铜工艺是碳纤维复合材料实现金属化的重要途径。文中介绍了碳纤维复合材料的化学镀铜工艺研究过程,采用单因素试验方法进行一系列试验,得出了较好的化学镀铜溶液配比。主要研究了化学镀铜溶液中铜离子含量、pH值、甲醛含量、温度、搅拌因素对化学镀铜的影响。根据化学镀铜的反应机理以及影响镀层沉积速率和镀层外观的不同因素,最终得出碳纤维复合材料化学镀铜的最佳工艺范围。