高温工作InAlSb的MBE生长及器件性能研究

接近室温的更高工作温度是第三代红外探测器发展的重要方向。本文论述了用MBE在InSb(100)衬底上外延生长制备P-i-N型三元In1-xAlxSb薄膜合金材料,并通过制备单元器件进行了验证。采用RHEED振荡和X射线双晶衍射对In1-xAlxSb薄膜的Al组分进行了调控和检测。5.3 μm厚薄膜的FWHM≈50 arcsec,Al组分约1.9%。10 μm×10 μm原子力表面粗糙度RMS≈0.6 nm。制备的单元器件获得了预期的理想效果,为下一步面阵焦平面的制备奠定了基础。     

粉煤灰的工程性质

为了探讨粉煤灰能否作为贮灰坝的筑坝材料，结合某电厂技改工程对粉煤灰的工程性质进行了比较系统的试验研究。研究表明，只要技术上考虑得当，用粉煤灰这种单一材料筑坝是可能的。     

瀑布沟水电站心墙防渗料渗透特性研究

砾质土是一种良好的筑坝材料，既能作防渗材料，又能填筑坝壳，具有压缩性小，抗剪强度高，便于施工等优点。本文结合瀑布沟工程，较详细地研究了砾石含量、土体密度，小于０．１ｍｍ含量对渗透性的影响。可供利用砾质土作防渗材料作参考。     

瀑布沟水电站高土石坝宽级配砾质土防渗性能研究

１９９２年４月至１９９３年底，成勘院科研所针对瀑布沟水电站工程存在的主要问题开展了室内、外一系列试验研究工作，重点研究了黑马Ｉ区料场在不同砾石含是、不同密度下的渗透性。简述了现场碾压试验原状土渗透试验成果。通过试验研究，对宽级配砾质土有比较系统的认识，建立了砾石含量与渗透系数的，用于防渗的砾质土中，砾石含量＜５０％，小于０．１ｍｍ含量＞２３％。为瀑布沟工程选择防渗料提供依据。     

碲锌镉晶体Zn组分的光致发光实用化研究

利用激光显微光致发光光谱仪测试了碲锌镉晶片的室温显微光致发光谱,对测得的光致发光谱进行拟合得到碲锌镉材料带隙的Eg值,根据实验总结出的Eg与Zn组分的室温计算公式,结合自主开发的Zn组分计算程序得到碲锌镉晶片上的Zn组分。所得的Zn组分结果用X射线双晶衍射进行验证,结果显示,室温下显微光致发光测得的Zn组分是相对准确可信的,可作为大量常规工艺测定Zn组分的有效工具,并且获得的Zn组分可成为外延碲镉汞薄膜时筛选匹配衬底的重要依据,同时还为研究和优化碲锌镉晶体生长工艺提供重要帮助。     

高Al组分In1-xAlx Sb/InSb的MBE生长研究

高Al(10%~15%)组分的In1-xAlx Sb层可作为势垒层以抑制隧穿暗电流、提高器件工作温度而显得很重要。采用分子束外延的方法对InSb(100)衬底高Al组分的In1-xAlx Sb/InSb外延生长进行了实验探索,确定出了Al组分(约12.5%)并讨论了Al组分梯度递变的In1-xAlx Sb缓冲层和生长温度对外延薄膜质量的影响。     

古墓防渗整治中的三合土防渗层研究

王建墓防渗排水修茸工程中，墓室防渗措施的主体工程采用仿古材料三合土。本文介绍了三合土配比的设计，施工技术，施工质量控制及现场质检测试成果统计分析，实践表明，三合土防渗层效果良好。     

Hg1-xCdxTe/CdTe/Si薄膜厚度测试方法的研究

在分子束外延生长高质量的CdTe/Si复合衬底上,分别通过MBE和LPE技术成功地研制出Hg1-xCdxTe/CdTe/Si红外探测器所需的重要红外半导体材料。利用傅里叶变换红外光谱仪对Hg1-xCdxTe/CdTe/Si红外半导体材料的红外透射光谱进行测试分析且计算薄膜厚度,并配合扫描电子显微镜对其厚度计算分析进行校正,最终获得一种无破坏、无污染、快捷方便的多层膜厚度测试方法。     

高质量InSb薄膜的MBE同质和异质外延生长

InSb是3~5 μm中波红外波段具有重要研究意义的材料。本文以单位内部生产的InSb(100)衬底为基础,通过摸索InSb(100)衬底的脱氧、生长温度和V/III束流比,获得了高质量的InSb同质外延样品,1.5 μm样品的表面粗糙度RMS≈0.3 nm(10 μm×10 μm),FWHM≈7 arcsec;采用相同的生长温度和V/III束流比并采用原子层外延缓冲层的方法在GaAs(100)衬底上异质外延生长本征InSb层,获得了较高质量的异质外延InSb样品,1.5 μm样品的室温电子迁移率高达6.06×104cm2 V-1s-1,3 μm的样品最好的FWHM低至126 arcsec。InSb材料的同质和异质外延优化生长可为高温工作掺Al的InSb器件结构的优化生长提供重要参考依据。