排序方式: 共有25条查询结果,搜索用时 78 毫秒
1.
本文介绍了原苏联暨今俄罗斯自1968年开始研制和使用聚能药包的简单沿革,批量产品的技术性能,使用情况和存在问题,论证了现代化聚能药包的基本方向,并据此进行了改进,对改进型聚以药包的结构原理、规格性能和加工技术条件作了说明;改进型聚能药包已在斯托伊连采选公司和“沃兹涅先卡”露天矿进行了验收工业试验;建议批量生产ЗКП-M和ЗДП型聚能药包。 相似文献
2.
3.
4.
城市居住区绿化不但美化环境,创造美好的工作、生活、娱乐和休息的条件,而且还可以净化空气,降低有害气体的含量,调节气温,减轻噪音和灰尘,有益于人体健康,有助于环境保护。 相似文献
5.
中国创意农产品深加工的发展趋势与发展战略研究 总被引:1,自引:0,他引:1
创意农业是以增加农产品附加值为目标,构建农村创意生活的生产方式和生活方式。创意农业文化的核心是附加值文化,创意农业已成为拉动内需的新引擎。从全面构建农产品加工业的持久竞争优势的层面.提出了我国加快推进创意农产品生产、实施中国创意农业富民计划、创造中国农民独特增收模式、构建农村创意生活的生产方式和生活方式等一系列战略性构想。 相似文献
6.
在砷化镓(GaAs)集成无源器件(Integrated Passive Device, IPD)的制作工艺中,通孔刻蚀是一道重要环节。蚀刻孔边缘的GaAs会被蚀刻,由此引发崩边并对器件性能及可靠性造成不利影响。本文中,用于通孔蚀刻的GaAs厚度不小于200 μm,通孔边缘没有被蚀刻的痕迹,以实现金属导线的平滑连接。采用光阻和金属来充当掩膜,有效解决了单一光阻因厚度过高而变形或者厚度薄导致GaAs衬底被蚀刻的问题。通过优化工艺,在光阻厚度为32 μm、金属掩膜厚度为0.5 μm、金属蚀刻时间为60 s以及感应耦合等离子体(Inductively Couple Plasma, ICP)蚀刻4000 s的条件下,得到了孔深为200 μm且通孔边缘平整的形貌。分析了 GaAs 崩边形成的主要原因与机理,并通过优化工艺解决了200 μm通孔的崩边问题,从而提高了器件性能及可靠性。 相似文献
7.
交直交机车变频调速异步牵引电动机H级绝缘结构 总被引:2,自引:0,他引:2
文章分析了交直交机车变频调还异步牵引电动机的绝缘特点,介绍了铁道部株洲电力机车研究所近年应用了于交直交变频调速异步牵引电动机的H级绝缘结构的组成、设计思路、试验及效果等。 相似文献
8.
9.
加强北京市勘察设计质量工作的对策研究于春普,李立中(执笔)勘察设计的质量(包括勘察设计单位的服务质量)是建设工程质量的前提与保障,对北京市城市建设的水平起着举足重轻的作用。搞好质量工作,不仅取决于技术业务水平的高低,以及各单位内部管理和外部市场管理的... 相似文献
10.
文章论述了56k高速Modem与ITU-TH.324系列标准的原理及其特点,揭示了二者之间的关系,并展望了它们的发展。 相似文献