不同晶向GaSb晶片表面化学组分及形貌分析

对相同条件下制备的不同晶向的锑化镓抛光晶片表面化学组分进行了XPS测试比较,结果表明(110)GaSb晶片表面的氧化程度最为严重,表面极为粗糙;有极性的(111)GaSb晶面由于Ga-Sb价键存在于衬底内部,反而氧化程度较低,表面较光滑.分析比较了GaSb晶面表面化学组分与形貌的关系.     

用通用DSP实现话带MODEM

概述了设计话带ＭＯＤＥＭ时所要考虑的基本问题。介绍了一种用通用ＤＳＰ设计的ＭＯＤＥＭ，并讨论了相应的控制程序和调制，解调程序的设计方法和结构框图，而且设计了一个简单实用的握手协议。最后，进一步分析了这种ＭＯＤＥＭ的特点和它的应用前景。     

碳酸钙的壳聚糖-马来酸酐改性及其对纸张性能的影响

本研究以马来酸酐作为偶联剂,采用壳聚糖对轻质碳酸钙(PCC)进行改性,进而改善其分散性和作为纸张填料的应用特性.通过傅里叶变换红外光谱(FT-IR)、X射线光电子能谱(XPS)和接触角等表征发现,壳聚糖成功地修饰于PCC表面,改性PCC具有良好的分散性、较小平均颗粒粒径及较高Zeta电位.在加填量5％时,与PCC相比,...     

水溶性聚苯胺对铸铁的缓蚀作用

利用水溶性聚苯胺作为铸铁的缓蚀剂,采用全浸腐蚀失重法和扫描电子显微镜(SEM)研究了缓蚀剂在0.2mol/L硫酸溶液中对铸铁的缓蚀能力。结果表明,缓蚀率随缓蚀剂浓度的增加而升高,随浸泡时间的延长和温度的升高而降低。15℃和55℃时缓蚀剂在铸铁表面的吸附行为遵循Langmuir等温吸附线,吸附平衡常数分别为9.67和2.59。SEM观察结果表明,0.2 mol/L硫酸溶液中添加缓蚀剂对铸铁表面的腐蚀起到了良好的保护作用。     

InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波红外探测器背面减薄技术研究

在长波红外波段,InAs/GaSb Ⅱ类超晶格材料具有比碲镉汞材料更优越的性能,因此得到了广泛研究。对InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外探测器芯片的背面减薄技术开展了一系列试验。针对<100>GaSb单晶片进行了单点金刚石机床精密加工、机械化学抛光和化学抛光方法研究,并去除了加工损伤。InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外器件的流片结果表明,长波探测器组件获得了较好的红外成像图片,提高了InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波红外探测器芯片的研制水平。     

响应面法优化重组枯草芽孢杆菌生产纤维素酶EGA的研究

通过响应面优化法(response surface methodology,RSM)对分泌表达纤维素酶EGA重组枯草芽孢杆菌的发酵条件进行优化。利用Plackett-Burman实验设计对淀粉、酵母粉、蛋白胨等8个因素对枯草芽孢杆菌产纤维素酶EGA的显著影响与否进行评估分析,筛选得到淀粉、酵母粉和MgSO4·7H2O为3个显著影响的因素,再利用Box-Behnken实验设计对这3个因素进行进一步优化,确定最佳培养基的配比为淀粉21g/L,酵母粉11.26g/L,蛋白胨25g/L,MgSO4·7H2O 1.52g/L,KH2PO40.395g/L,NaCl 3.25g/L,CaCl20.1g/L,FeSO4·7H2O 0.005g/L。在最优条件下,利用小型发酵罐对重组菌进行扩大培养,其最高酶活力达到1 264U/L。     

InSb红外焦平面探测器的区域性过热盲元问题研究

研究了InSb红外焦平面探测器的区域性过热盲元问题。通过故障分析以及有针对性的排查对比试验,排除了封装、胶水填充和划片等因素,并将故障定位在钝化工艺前。通过对钝化前的InSb材料片表面进行X射线光电子能谱测试,发现它含有Al和As等杂质元素,存在钝化前材料表面杂质含量较多的隐患。杂质元素在PN结的耗尽区形成杂质能级,加载电压后容易导致PN结漏电流较高,使I-V特性退化,从而形成过热盲元。通过缩短器具洗液的更换周期并且分隔使用多个生产线的器具,可以减少材料表面的杂质附着,使区域性过热盲元问题得到有效解决。     

InSb红外焦平面探测器十字盲元问题的研究

InSb红外焦平面探测器在中波红外波段占据重要地位,但十字盲元问题严重降低了探测器的性能。通过聚焦离子束定位剥离手段,发现了十字盲元区域的铟凸点失效。进一步检测发现,铟凸点制备参数欠佳。通过改进铟凸点形状和增加高度,加强了焊接面的牢固度。此后发现极少InSb器件存在十字盲元问题。在80℃下对铟凸点改进后的InSb红外器件进行了14天烘烤。经测试,十字盲元数目保持不变,铟凸点的可靠性较好。改进铟凸点制备技术可有效解决十字盲元问题。互连失效是十字盲元问题的主要原因。以此类推,该方法可解决所有InSb红外器件的十字盲元问题。     

斜交连续小箱梁桥横向分布系数的研究

为了探究斜交连续梁桥在荷载作用下的受力特性,主要研究了8种不同斜交角度的斜交连续梁桥横向分布系数的变化规律,通过桥梁静载试验与有限元模型的对比,验证了模型所提数据能够正确反映出实际桥梁的受力特性。     

硫化铵钝化锑化镓表面的化学与电学性质研究

本文利用X射线光电子能谱（XPS）,飞行时间二次离子质谱（TOF-SIMS）和电流-电压特性（I-V）对不同硫化铵溶液（(NH4)2S）钝化后的锑化镓（GaSb）表面化学性质进行了研究。通过对比,发现中性(NH4)2S S溶液对GaSb表面的钝化能力要优于纯(NH4)2S溶液和碱性(NH4)2S S溶液。碱性(NH4)2S S溶液在有效去除GaSb表面氧化物的同时形成硫化物产物以改善器件性能。TOF-SIMS测试结果从另一方面证实纯(NH4)2S溶液钝化也会形成硫化物产物,但该产物在纯(NH4)2S溶液中是可溶的,以至于很难稳定地存在。3D光学轮廓仪测试结果显示中性(NH4)2S S溶液钝化的GaSb表面具有最低的粗糙度。I-V测试结果表明中性(NH4)2S S溶液钝化能显著提高GaSb基肖特基二极管的电学性能。综上所述,中性(NH4)2S S溶液的钝化效果在改进GaSb表面性质方面具有最优的结果。