3D视觉和扫描技术在内星轮冷精整生产中抓取和测量应用实例

在传统工业生产快速朝着智能化和数字化转型发展的今天,各类智能化技术层出不穷;随着近些年3D视觉以及3D扫描技术的不断发展和成熟,相关的技术也越来越多的被运用到智慧物流、快速扫描测量、AI等领域;3D视觉技术能帮助传统工业机器人完成更加复杂的动作,并通过算法实现深度学习,并具备快速计算运动路径的能力;比如依靠3D视觉技术,实现工业机器人对于上、下料动作路径的运算,实现物料的无序抓取,被抓取的物料可以随机无需排列摆放,这在以往工业运用中是难以实现的。     

光诱导作用对木霉菌产孢量的影响研究

通过固体发酵和液体发酵,对比研究了光诱导作用对8株木霉菌菌株产孢量的影响。结果表明,在固体发酵条件下,50～200 Lux蓝光照射能显著提高菌株Tr673、TL02、Tr25、Tr775的产孢量(P≤0.01);菌株Tr673、TL02、Tr25、Tr775在避光处理36 h后再进行蓝光照射的产孢量较持续光照显著降低(P≤0.01)。在液体发酵条件下,菌株Tr673、TL02、Tr25、Tr775在100～200 Lux白光或蓝光照射下的产孢量较避光处理提高数倍(P≤0.01),较其它光源照射提高2～8倍;100～200 Lux蓝光照射能显著提高Tr673、TL02、Tr775的产孢量(P≤0.01),但对Tr25的产孢量提高不明显。     

蓝光LED价格滑落 经销商力推白光LED

近来蓝光LED价格又有滑落，各经销商纷纷把白光LED市场当成唯一出路。因白光LED发展潜力较大，目前现货市场各经销商正目光紧锁白光LED市场。     

宁乡式高磷铁矿中磷的测定方法

磷灰石晶体主要呈柱状、针状、集晶或散粒嵌布于铁矿石及脉石矿物中，粒度较小，难以分离，矿石中磷含量的高低对炼铁、炼钢都有较大影响。铁矿中磷的测定一般用磷钼酸铵容量法、铋磷钼蓝分光光度法等，文中对测定宁乡式高磷铁矿中磷的方法进行探讨。     

大功率发光二极管的寿命试验及其失效分析

以GaN基蓝光LED芯片为基础光源制备了大功率蓝光LED,并通过荧光粉转换的方法制备了白光LED.对大功率蓝光和白光LED进行了寿命试验,并对其失效机理进行了分析.结果表明,大功率LED的光输出随时间的衰减呈指数规律,缺陷的生长和无辐射复合中心的形成,荧光粉量子效率的降低,静电的冲击,电极性能不稳定,以及封装体中各成分之间热膨胀系数失配引起的机械应力都可能导致大功率LED的失效.     

陶瓷厚膜介质电致发光器件特点和最新进展

总结了陶瓷厚膜介质电致发光器件(TDEL)的发展历程和近期进展.介绍和比较了TDEL器件的特殊结构和优异的显示特性,以及陶瓷厚膜介质的工艺特点及器件的成本.重点阐述了iFire技术公司的新颖的颜色转换彩色显示实现方案,并对其产业化前景作了展望.     

GaN蓝光LED电极接触电阻的优化

通过分析LED的工作电压和晶圆上两相邻N电极间电阻来讨论快速退火(RTA)和表面处理对GaN基蓝光LED接触电极的影响.研究了p-GaN表面处理对Ni/Au与p-GaN接触电阻的影响.结果表明,用KOH清洗p-GaN表面比用HCl清洗更能有效地改善Ni/Au与p-GaN的接触电阻.讨论了在氧和氮混合气氛下两种退火温度对P电极接触电阻的影响,当退火温度从570 ℃升到620 ℃时接触电阻升高.研究了氮气氛下不同退火温度和时间对LED电极接触的影响,发现在480 ℃下连续退火对N接触有利,但却使P接触变差,而450 ℃、10 min的氮气氛退火能同时得到较好P接触和N接触.     

注碳外延硅的荧光特性研究

研究了注碳外延硅经氢气退火及电化学腐蚀处理后的荧光特性。经能量为50keV,剂量为2×1016cm-2的碳离子注入后的外延单晶硅片,在氢气氛下高温退火及电化学腐蚀处理。荧光谱仪分析表明电化学腐蚀是蓝光发射的前提,并且不同的电化学腐蚀条件对发光强度和峰位影响极大。不同的激发光波长亦可影响发光谱的峰位。     

有机微腔蓝光发射二极管的研制

利用玻璃/DBR/ITO/NPB/NPB:二萘嵌苯/TAZ/Alq/Al器件结构,研制了有机微腔蓝光发射二极管.将激光染料二萘嵌苯掺于空穴传输材料NPB中作为发光层,Alq为电子传输层,为防止未参与复合的空穴到达金属电极,在NPB:二萘嵌苯和Alq之间引入一薄层TAZ,所研制的微腔器件的峰值位于456 nm,器件表现为较纯的蓝光发射,色坐标为x=0.165,y＝0.088.微腔器件的最大亮度为2 500 cd/m2,最大发光效率为0.23 cd/A.