新型微波有源滤波器综合方法

本文给出了一种新颖的微波有源滤波器的拓扑结构及综合方法，并对有源滤波电路进行了计算机模拟，结果表明本文给出的微波有源滤波器电路具有优良的的窄带滤波特性，通带内正向增益大于１０ｄＢ，带外抑制大于３０ｄＢ。     

微波单片集成电路的成品率优化

采用建立管芯等效电路模型、灵敏度分析以及统计勘探法对微波单片集成电路进行成品率优化，并编制了软件，加入到ＧａＡｓＩＣＣＡＤ系统中。应用该软件对Ｘ波段低噪声ＭＭＩＣ、超宽带ＭＭＩＣ放大器进行了设计，成品率有较大的提高，电路性能有所改善。     

X波段及DBS接收用PHEMT单片低噪声放大器

报道了X波段及DBS接收用单片低噪声放大器的研制结果。利用CAD软件对单片电路进行优化设计，设计工作包括MBE材料、PHEMT器件和单片电路三部分。在研制过程中，开展了关键工艺的专题研究。研究结果为：单级单片放大器在10：5－11．6GHz范围内，NF≤1．82dB，G≥7.72dB；在11．7－12．2GHz范围内，NF≤1．80dB，G≥6．8dB；双级放大器在10．4－11．1GHz范围内，NF≤1．96dB，G≥15．3dB，最低噪声系数为1．63dB，最高增益为16．07dB。     

2～12GHz GaAs单片行波放大器

报道了一个全平面超宽带ＧａＡｓ单片行波放大器的研究结果。该单片电路的核心部件是四个３００μｍ栅宽的ＭＥＳＦＥＴ，整个电路拓扑结构简单，芯片面积为３．０ｍｍ×１．８ｍｍ。电路经优化设计后在２～１２ＧＨｚ范围内，小信号增益为５±１ｄＢ，输入输出电压驻波比≤１．７５。上述频率范围内输出功率≥１６ｄＢｍ，噪声系数≤８ｄＢ。采用全离子注入、全平面工艺，均匀性、一致性良好。实验结果与设计预计值十分一致。     

短毫米波和亚毫米波接收机的发展现状

本文概述了短毫米和亚毫米波接收机的发展现状，介绍了接收机的重要组成部件：混频器、振荡器和放大器的发展水平以及毫米波单片集成电路的现状，给出了接收机的最新性能指标。     

High power GaN‐HEMT SPDT switches for microwave applications

In this article, the design, fabrication, and on‐wafer test of X‐Band and 2–18 GHz wideband high‐power SPDT MMIC switches in AlGaN/GaN technology are presented. The switches have demonstrated state‐of‐the‐art performance and RF fabrication yield better than 65%. Linear and power measurements for different control voltages have been reported and an explanation of the dependence of the power performances on the control voltage is given. In particular, the X‐band switch exhibits a 0.4 dB compression level at 10 GHz when driven by a 38 dBm input signal. The wideband switch shows a compression level of 1 dB at an input drive higher than 38 dBm across the entire bandwidth. © 2009 Wiley Periodicals, Inc. Int J RF and Microwave CAE, 2009.     

Bias‐dependent small‐signal monolithic PIN diode modeling

This paper details a new bias‐dependant small‐signal modeling methodology for monolithic PIN diodes. The frequency‐dependent responses of intrinsic p‐i‐n structures are de‐embedded from monolithic microwave integrated circuit PIN diodes of varying size and layout configuration and fit from 6 to 45 GHz to a classical linear model at each of 15 different bias levels. This methodology results in a bias‐dependent intrinsic diode data set that shows excellent agreement with large samples of small‐signal measurements. The models are useful for comparing trade‐offs in electrical performance among PIN diodes of varying size and layout style. © 2001 John Wiley & Sons, Inc. Int J RF and Microwave CAE 11: 396–403, 2001.     

C波段单片低功耗低噪声放大器

报道了一种新型的C波段 0 .5μmPHEMT单片低功耗低噪声放大器。该放大器由三级级联构成 ,采用电流回收技术 ,实现了低功耗的目的。芯片面积为 2 .1× 1 .8mm2 ,直流功耗为 1 2 5mW (VD=5V ,ID≤ 2 5mA)。封装后测试结果为 :在C波段 ,带宽 1 .1GHz,增益 >2 5 .7dB ,增益平坦度≤± 0 .6dB ,噪声系数≤ 1 .72dB ,输入、输出电压驻波 <2∶1 ;带内最小噪声系数为 1 .61dB ,相关增益为 2 6 .3dB。测量结果与设计符合得较好。     

基于GaAs MMIC工艺的单片均衡器设计

幅度均衡器被广泛应用于各类微波组件,是其重要的组成部分。对定阻型的幅度均衡器设计进行分析,利用Ga As MMIC标准工艺制作了一款22~32 GHz单片幅度均衡器,该芯片尺寸为0.8 mm×0.7 mm×0.1 mm。经装架测试,在工作频段实现5 d B的负斜率幅度均衡量,驻波良好,插损2.53 d B@32 GHz,基本实现了设计目标。     

应用于大功率MMIC开关的AlGaN背势垒GaN HEMT

报道了应用于大功率开关的AlGaN背势垒0.25μm GaN HEMT。通过引入AlGaN背势垒,MOCVD淀积在3英寸SiC衬底上的AlGaN/GaN异质结材料缓冲层的击穿电压获得了大幅度的提升,相比于普通GaN缓冲层和掺Fe GaN缓冲层击穿电压提升幅度分别为4倍和2倍。采用具有AlGaN背势垒AlGaN/GaN 外延材料研制的GaN HEMT开关管在源漏间距为2μm、2.5μm、3μm、3.5μm和4μm时,估算得到的关态功率承受能力分别为25.0W、46.2W、64.0W、79.2W和88.4W。基于源漏间距为2.5μm的GaN HEMT开关管设计了DC-12GHz的单刀双掷MMIC开关。该开关采用了反射式串-并-并结构,整个带内插入损耗最大1.0dB、隔离度最小30dB,10GHz下连续波测试得到其功率承受能力达44.1dBm。