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1.
为了提高设计创新效率,本研究基于心理图式提出了国庆彩车的设计程序与方法。研究按照浅层、中层和深层的次序递进,设计心理图式划分为“造型图式”“叙事与动作图式”以及“人物和情感图式”的基本类别,并提出了综合性、时态性、差异性和集体性四类基本属性。而后结合新中国成立70周年彩车设计,对不同心理图式的应用方法和属性进行了案例分析。本文所提出的方法在设计实践中得到了实证,具有一定的实用价值。 相似文献
2.
采用RF-MBE技术,在蓝宝石衬底上生长了高Al组分势垒层AlGaN/GaN HEMT结构.用三晶X射线衍射分析得到AlGaN势垒层的Al组分约为43%,异质结构晶体质量较高,界面比较光滑.变温霍尔测量显示此结构具有良好的电学性能,室温时电子迁移率和电子浓度分别高达1246cm2/(V·s)和1.429×1013cm-2,二者的乘积为1.8×1016V-1·s-1.用此材料研制的器件,直流特性得到了提高,最大漏极输出电流为1.0A/mm,非本征跨导为218mS/mm.结果表明,提高AlGaN势垒层Al的组分有助于提高AlGaN/GaN HEMT结构材料的电学性能和器件性能. 相似文献
3.
笔者根据自身实践经验,从三个方面针对建筑的给排水施工方面谈了自己的一点体会:即给水管道的施工,排水管道的施工,w型元承口机制柔性排水铸铁管的施工方法和注意事项。 相似文献
4.
提出一种新的钝化技术--采用盐酸和氢氟酸混合预处理溶液(HF:HCI:H2O=1:4:20)对AIGaN/GaNHEMTs进行表面预处理后冉淀积Si3N4钝化,研究了新型钝化技术对AlGaN/GaN HEMTs性能的影响并分析其机理.与用常规方法钝化的器件相比,经过表面顶处理再钝化,成功地抑制了 AIGaN/GaN HEMTs肖特基特性的恶化,有效地增强抑制电流崩塌效应的能力,将GaN基HEMTs的输出功率密度提高到5.2W/mm,并展现良好的电学可靠性.通过X射线光电子谱(XPS)检测预处理前后的AIGaN表面,观察到经过预处理后的AIGaN表面氧元素的含量大幅度下降.表面氧元素的含量下降,能有效地降低表面态密度和表面电荷陷阱密度,被认为是提高AIGaN/GaN HEMTs性能的主要原因. 相似文献
5.
6.
7.
8.
本文从基于断言的一致性定义出发,进一步完善了调度可序列化的充要条件,提出了二类较调度可序列化更弱的一致性调度类,充分计论了几种较保冲突可序列化更弱的一致性调度类之间的相互关系,着重讨论了具有容错能力的一致调度,给出了一个实用的并发控制机制(CCC)。 相似文献
9.
分布式实时系统动态任务初始分配的两个有效算法 总被引:3,自引:1,他引:2
对一组具有到达时间T、执行时间c、截止时间d三要素的实时任务集(其中d—f≥7),其初始分配主要是指对每一处理机,选一尽可能大的任务子集,确定每一任务的实际 相似文献
10.
3—氨基—4—甲氧基乙酰苯胺合成新工艺 总被引:4,自引:0,他引:4
以2,4-二硝基氯苯为原料,经甲醇醚化先制得2,4-二硝基苯甲醚,再经Raney镍催化氢化得2,4-二氨基苯甲醚,不分离直接进行选择性酰化,合成出重要分散染料中间体3-氨基-4-甲氧基乙酰苯胺,品质稳定,全程收率大于80%。 相似文献