PMN-PT陶瓷中的氧缺位及其消除

研究了组成中Pb含量的变化对组成为Pbx(Mg1/3Nb2/3)0.65Ti0.35O3的铌镁酸铅-钛酸铅(PMN-PT)陶瓷压电性能的影响,发现化学计量比组成(x=1)的Pbx(Mg1/3Nb2/3)0.65Ti0.35O3陶瓷经常出现压电性能的大幅度退化现象,而A位适量缺Pb能稳定地获得高性能的Pbx(Mg1/3Nb2/3)0.65Ti0.35O3陶瓷。XPS元素价态分析的结果表明,化学计量比的Pbx(Mg1/3Nb2/3)0.65Ti0.35O3陶瓷中含有较多的氧缺位,氧缺位的产生源于MgNb2O6(MN)合成过程中的气氛差异,A位适量缺Pb能有效地消除这种氧缺位而稳定地获得正常的压电性能,其机理被认为是氧缺位与铅缺位的复合。     

PNC型压电式高温涡街流量传感器

高温涡街流量传感器是根据卡门涡街理论，采用高温压电陶瓷制成的敏感器件，本传感器使用ＰＮＣ型改性偏铌酸铅高温压电陶瓷，这种陶瓷的主要参数为Ｔｃ５６２（℃），Ｋｔ０．１４，ｄ３３７６（ｐｃ／Ｎ），ε＾Ｔ３３／ε，２２０，文章给出了主要压电参数的温度特性和ＰＮＣ型高温涡街流量传感器的实测参数及主要技术性能。     

声表面波器件用改性铌酸钠锂陶瓷材料

用少量多元添加物和气氛烧结工艺制得了一种致密度高、性能好、有实用价值的 LNN-20型改性铌酸钠锂陶瓷材料。其抗折强度为2300kg/cm~2,晶粒尺寸为1～2μm,无公害,工艺简便,成本低,介电、压电性能好。用这种改性陶瓷已经制成了37MHz SAW IF 滤波器,其性能达到黑白电视机使用要求,还制成了10.7MHz SAW滤波器,插入损耗<21dB,与 LiNbO_3单晶制作的同类 SAW 滤波器相仿。     

改性偏铌酸铜压电陶瓷高温特性及应用

文章分析了ＰＮＣ－３型改性偏铌酸铅压电陶瓷的高温特性，并就其可能的应用进行了试验。ＰＮＣ－３型陶瓷具有高居里温度和低Ｑｍ特性，有强耦合系数和大的Ｋｔ／Ｋｐ比值，已成功地制成耐高温抗辐射的ＡＥ传感器和宽频带换能器等器件，并将其高温性能与美国Ｄ９２１５型高温ＡＥ传感器进行了比较。     

无铅压电材料NBT-BZT陶瓷压电性能及改性

通过配方试验和性能测试分析研究了(1x)Na1/2Bi1/2TiO3-xBa[ZryTi(1y)]O3(x=0.04,0.06,0.08,0.10,y=0.04,0.045,0.05,0.06)无铅压电陶瓷的压电、介电性能。以及当x=0.06,y=0.045时引入Sn4+对NBT-BZT材料的压电介电性能影响。研究表明:当x=0.06,y=0.045, Sn4+对(Na1/2Bi1/2)2+取代量为0.02时,系统的压电性能参数d33和kt分别达到196 pC/N和0.55,相对介电常数可提高到1 263。     

改性偏铌酸铅压电陶瓷高温特性及应用

文章分析了ＰＮＣ—３型改性偏铌酸铅压电陶瓷的高温特性，并就其可能的应用进行了试验．ＰＮＣ－３型陶瓷具有高居里温度（５６２℃）和低Ｑｍ特性，有强耦合系数和大的Ｋｔ／Ｋｐ比值．已成功地制成耐高温抗辐射的ＡＥ传感器和宽频带换能器等器件，并将其高温性能与美国Ｄ９２１５型高温ＡＥ传感器进行了比较．     

低温烧结PZT压电陶瓷研究进展

介绍了国内外在ＰＺＴ压电陶瓷材料低温烧结方面的研究进展，并对除低ＰＺＴ压电陶瓷材料烧结温度的各种方法进行了评述。     

PNC—3型偏铌酸铅压电陶瓷高温性能的研究

(一) 偏铌酸铅压电陶瓷有着一些突出的特点,如低的Qm值(Qm<10)、单一的振动模式(Kt>>Kr)和较高的居里温度(Tc=570 C),在工业检测、医疗诊断与高温传感器方面有着十分广阔的应用前景。但是纯的偏铌酸铅,因高温铁电相在常温下是很不稳定的,因而要制备出具有压电性良好的偏铌酸铅压电陶瓷是比较困难的。为了制得可应用的偏铌酸铅压电陶瓷,大多采用Ba置换与添杂的方法来现实。Ba的置换能大大地提高材料的压电性能,但压电性能的稳定性随着Ba置换量的增加而急剧变坏。虽然以往曾有过一些改性偏铌酸铅陶瓷料材在使用,但工艺性差,不能制作稍大一…     

铌酸钠锂铁电陶瓷

一、前言长期以来,以锆钛酸铅为基的铁电压电陶瓷一直处于支配地位,占领着超声和水声、电声、引燃引爆和高压发生以及通讯等方面的技术应用领域,原因是这类陶瓷材料具有高的压电性能。然而它也存在着许多缺点,大量含铅成分,对生产和环境保护都带来严重危害,由于受到频率常数低的限制,不能满足高频应用的要求。为了适应高频应用的要求寻找新的陶瓷材料,Nitta曾对铌酸钠锂二元系统富钠区的组成进行了合成,并确定了在14mol％LiNbO_3