SOI CMOS电路稳态寿命试验后漏电失效分析

针对SOI COMS电路稳态寿命试验后输入漏电流超标开展失效分析,分别对异常掉电致击穿、离子沾污、内部气氛不佳、芯片外表面污染、静电放电（ESD）等因素进行排查分析。定位电路失效原因为ESD防护用具状态不佳,导致试验过程中产生的ESD使电路输入端口二极管发生栅氧击穿。通过ESD测试设备模拟和原试验过程模拟2种方式,对失效模式进行复现验证。结果表明:SOI CMOS电路在试验过程中,即使试验员按要求佩戴防静电腕带和绝缘指套,若防静电腕带或绝缘指套状态不佳,仍易引发样品ESD失效;失效模式通常为电路输入端口微安级漏电,且该漏电在高温退火后会有部分恢复。建议在试验过程中选用全金属防静电腕带和防静电专用指套;若选用尼龙编制腕带,须定期更换。